Toshkent kimyo texnologiya instituti shahrisabz filiali

Vakuum ostida kristallash. Bu usulda erituvchi devor orqali issiqlik uzatish yoʼli bilan bugʼlatilmasdan, balki eritmaning oʼz fizik issiqligini berish hisobiga roʼy beradi. Ushbu issiqlikning bir qismi erituvchini (tahminan 10% mass) bugʼlatish uchun sarflanadi. Hosil boʼlayotgan bugʼlar vakuum - nasos yordamida soʼrib olinadi. Uzatilayotgan issiq toʼyingan eritma temperaturasi qurilmadagi bosimga tegishli eritmaning qaynash temperaturasigacha pasayadi va jarayon adiabatik kechadi. Eritmaning oʼta toʼyinish holatiga uni sovutish yoʼli bilan erishiladi, chunki kontsentratsiya bunda sezilar - sezilmas oʼzgaradi. Erituvchi eritmaning fizik issiqligi hisobiga, hamda kristallanish jarayonida ajralib chiqayotgan issiqlik hisobiga bugʼlanishi mumkin. Eritmaning sovitish va kristallanishi bilan birga bugʼlanishi uning butun hajmida sodir boʼladi. Bunday holat qurilma devorlarida kristallar yopishib qolishini kamaytiradi, hamda uni tozalash bilan bogʼliq sarflar qisqaradi.Bir qismi eritma ustida harakatlanayotgan havo yordamida bugʼlanadi va eritma sovutiladi. Erituvchining bir qismini issiqlik eltkich yordamida bugʼlatib kristallash.
Fraktsiyali kristallash. Аgar eritma tarkibida ajratiladigan moddalar bir nechta boʼlsa, uni fraktsiyali kristallash usulida qayta ishlanadi. Bu usulda eritma temperatura va kontsentratsiyasini oʼzgartirish yoʼli bilan kristallar ketma - ket choʼktiriladi va ajratib olinadi.

Kristаllаnish jаrаyonining tezligi
Kristallanish tezligi eritmaning haroratiga, uning oʼta toʼyinish darajasiga, kristall markazlarining paydo boʼlish tezligiga, aralashtirish darajasiga va boshqa omillarga bogʼliq boʼladi. Kristallanish markazlari oʼta toʼyingan yoki oʼta sovigan eritmalarda oʼz-oʼzidan hosil boʼladi. Bunday markazlarning hosil boʼlish tezligini oshirish uchun haroratni koʼpaytirish, aralashtirish, silkitish yoki sirt-faol moddalarni qoʼshish kerak. Аmaliyotda kristallanish markazlarining paydo boʼlishini osonlashtirish uchun uskunaga qoʼshimcha kristallsimon moddaning mayda kukuni qoʼshiladi.
Kristall kurtaklarining yaxshi oʼsishi uchun ular maʼlum oʼlchamga ega boʼlishi kerak. Hosil boʼlayotgan kurtakning oʼlchami ancha kichik boʼlsa qaytadan molekulalarga parchalanib ketadi, agar oʼlchami kattaroq boʼlsa kurtak saqlanib qoladi. Saqlanib qolishi mumkin boʼlgan kristall kurtaklarining oʼlchami eritmaning toʼyinish darajasiga, haroratga, hamda erigan modda va erituvchining xossalariga bogʼliq boʼladi.
Yagona olingan kristallarning hosil boʼlishi quyidagicha boradi: 1) oʼta toʼyingan eritmada kristallanish markazi (yoki kurtagi)ning paydo boʼlishi; 2) ushbu kristallanish kurtagi asosida kristallning oʼsishi. Kristall toʼgʼri panjara sifatidagi fazaviy tuzilishiga ega boʼlib panjaraning tugunlarida kristallarning tarkibiga kirgan ionlar, atomlar yoki molekulalar joylashgan boʼladi. Suvning molekulasi koʼpincha qattiq kristallning tarkibiga kirgan boʼladi, bunday kristallarni kristollogidrat deb ataladi.
Quydagi rasmda kristallanish tezligining vaqtdan bogʼliqligi koʼrsatilgan. Grafikdan koʼrinib turibdiki, oʼta tuyinish darajasi katta boʼlgan paytda kristallanish tezligi keskin oʼzgaradi. Eritmalarning tuyinish darajasi ortishi bilan kristallarning oʼsishiga nisbatan, kristallanish markazlarining paydo boʼlishi tezroq boradi. Oqibat natijada mayda kristallar hosil boʼladi. Yirik kristalli mahsulot olish uchun eritmani toʼyintirishni sekin-asta pasaytirish zarur.


Kristallanish tezligining vaqtga bogʼliqligi:
1-eritmaning toʼyinish darajasi nisbatan katta boʼlganda; 2-oʼta toʼyinish darajasi kichik boʼlganda.