Тошкент темир йўл муҳандислари институти “Темир йўллар электр таъминоти” куч электроника фанидан виртуал лаборатория

tadqiq qilish
Ishning maqsadi:
1. Umumiy emitterli sxema bilan ulangan p-n-p strukturali bipolyar tranzistorning kirish va chiqish statik xarakteristikalari oilasini tajribada qurish.
2. Tranzistorning asosiy statik parametrlari – tok bo‘yicha kuchaytirish statik koeffitsiynti β ni, kirish va chiqish qarshiliklarni aniqlash.
Qisqacha nazariy ma’lumot. Bipolyar tranzistorlar ikkita p-n-o‘tishli strukturaga ega bo‘lib, elektr signallarni kuchaytirish va hosil qilish uchun, shuningdek, kalit va mantiqli elementlar sifatida qo‘llaniladi.
Turli tipdagi o‘tkazuvchanliklarning navbatma-navbat kelishiga qarab p-n-p (9,a-rasm ) ni p-n-p (9,b-rasm) tipli tranzistorlarga bo‘linadi.
Bipolyar tranzistorni uch xil ulash umumiy bazali (UB), umumiy emmitterli (UE) va umumiy kollektorli (UK) sxemalari mavjud.

a) b)
9-rasm

Eng ko‘p qo‘llaniluvchi ulanish sxema – UE (10-rasm) bu sxema ham tok bo‘yicha, ham kuchlanish bo‘yicha eng katta kuchaytirish imkonini beradi.

Tranzistorning kirish xarakteristikasi deb, baza toki ning kollektor-emmitter kuchlanishi doimiy (Uk-e=const) bo‘lganda baza emmitter kuchlanishi (U_b-e) ga bog‘lanishi I_b=f(U_b-e) ga aytiladi.
Tranzistorning chiqish xarakteristikasi deb kollektor toki I_k ning baza toki I_b doimiy I_k=f(U_k-e) bo‘lganda kollektor-emmitter kuchlanishi (U_k-e) ga bog‘lanishiga I_k=f(U_k-e) aytiladi.

10-rasm
Tranzistorning asosiy statik parametrlari: tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti β =Δ I_k /Δ I_b kirish qarshiligi R_kir=U_b-e/ I_b chiqish qarshiligi R_chiq=U_k-e/ I_k bo‘lib, bu parametrlar tranzistorning signallarni kuchaytirish yoki hosil qilish zanjirlarida qo‘llash uchun funksional imkoniyatlari darajasini aniqlash zarur.