Tranzistor deb nimaga aytiladi? Tranzistor kim tomonidan yaratilgan?

Chastota va quvvat bo‘yicha cheklanishlar. MYa – tranzistorlarning chegaraviy chastotasi uning geometrik o‘lchamlari va material parametrlari bilan aniqlanadi. Kremniy va arsenid galliyda elektronlar kovaklarga nisbatan kattaroq harakatchanlikka ega bo‘lgani uchun, O‘YuCh – sxemalarda faqat n-kanalli MTlardan foydaniladi. Bundan tashqari, elektronlarning GaAs dagi harakatchanligi kremniy Si dagi elektronlar harakatchanligiga nisbatan katta bo‘lgani sababli, GaAs asosidagi tranzistorlarda, chegaraviy chastota kremniyli shunday elektron asbob-larnikiga qaraganda besh marta yuqori bo‘ladi.
MTning eng muhim geometrik parametri bo‘lib, zatvor uzunligi L hisoblanadi. Zatvor uzunligi L kamaytirilganda zatvor sig‘imi S_ZI ham kamayadi, natijada, chegaraviy chastota f_ChYeG ortadi. Lekin kanaldan elektronlar samarali o‘tishi uchun uning uzunligi chuqurligidan katta (L/a > 1) bo‘lishi kerak. Shuning uchun L qisqartirilganda, bir vaqtning o‘zida kanal chuqurligi ham kamayti-rilishi kerak. Buning uchun kanal sohasi konsentratsiyasi orttiriladi, lekin teshilishning oldini olish maqsadida N_D~5·10¹⁷sm^-3 dan yuqori qilinmaydi. Konsentratsiya bunday bo‘lganda, kanalning minimal uzunligi 0,1 mkmga yaqin bo‘ladi, f_ChYeG  100GGts ni tashkil etadi.
Sinusoidal signal ta’sir etganda chiqishdagi maksimal quvvat tokning maksimal qiymatlariga I_max va teshilish kuchlanish U_TYeSh ga quyidagicha bog‘liq:
. (18)
Bu yerda, I_max = qN_D_TUYaZ – to‘liq ochilgan kanalning to‘yinish toki, q - elektron zaryadi, Z – kanal kengligi; U_TYeSh = 5ּ10¹³/Q_C – teshilish kuchlanishi.
Sayoz kanallar uchun birlik yuzadagi to‘liq zaryad Q_C = N_D a  2ּ10¹² cm^-2 ni tashkil etadi.