Chastota va quvvat bo‘yicha cheklanishlar. MYa – tranzistorlarning chegaraviy chastotasi uning geometrik o‘lchamlari va material parametrlari bilan aniqlanadi. Kremniy va arsenid galliyda elektronlar kovaklarga nisbatan kattaroq harakatchanlikka ega bo‘lgani uchun, O‘YuCh – sxemalarda faqat n-kanalli MTlardan foydaniladi. Bundan tashqari, elektronlarning GaAs dagi harakatchanligi kremniy Si dagi elektronlar harakatchanligiga nisbatan katta bo‘lgani sababli, GaAs asosidagi tranzistorlarda, chegaraviy chastota kremniyli shunday elektron asbob-larnikiga qaraganda besh marta yuqori bo‘ladi.
MTning eng muhim geometrik parametri bo‘lib, zatvor uzunligi L hisoblanadi. Zatvor uzunligi L kamaytirilganda zatvor sig‘imi SZI ham kamayadi, natijada, chegaraviy chastota fChYeG ortadi. Lekin kanaldan elektronlar samarali o‘tishi uchun uning uzunligi chuqurligidan katta (L/a > 1) bo‘lishi kerak. Shuning uchun L qisqartirilganda, bir vaqtning o‘zida kanal chuqurligi ham kamayti-rilishi kerak. Buning uchun kanal sohasi konsentratsiyasi orttiriladi, lekin teshilishning oldini olish maqsadida ND~5·1017sm-3 dan yuqori qilinmaydi. Konsentratsiya bunday bo‘lganda, kanalning minimal uzunligi 0,1 mkmga yaqin bo‘ladi, fChYeG 100GGts ni tashkil etadi.
Sinusoidal signal ta’sir etganda chiqishdagi maksimal quvvat tokning maksimal qiymatlariga Imax va teshilish kuchlanish UTYeSh ga quyidagicha bog‘liq:
. (18)
Bu yerda, Imax = qNDTUYaZ – to‘liq ochilgan kanalning to‘yinish toki, q - elektron zaryadi, Z – kanal kengligi; UTYeSh = 5ּ1013/QC – teshilish kuchlanishi.
Sayoz kanallar uchun birlik yuzadagi to‘liq zaryad QC = ND a 2ּ1012 cm-2 ni tashkil etadi.
Do'stlaringiz bilan baham: |