Ва радиокомпонентлар

=
/
, 
 
Киришмали яримўтказгичларнинг солиштирма электр ўтказувчанлиги

---

13 
n - 
турли яримўтказгич учун 
q(
), 
р - турли яримутказгич учун эса 
 
ифодалар билан аникланади. 
2-
жадвал 
вариант 
0 
1 
2 
3 
4 
5 
6 
7 
8 
9 
Киришмалар 
Концентрацияси См
-3
 
10
15 
10
16 
10
17 
10
18 
10
14 
10
14 
10
15 
10
16 
10
17 
10
18 
Киришмалар тури 
донорли 
акцепторли донорли 
акцепторли 
донорли 
Материал 
германий 
кремний 
Т=300К да германий ва кремнийнинг физик кийматлари
3-
жадвал 
параметр кийматлари 
Германий 
Кремний 
Таъкикланган 
зона 
кенглиги

0,67 
1,12 

N
B.c
м
-3 
валент зонаси эффектив 
холатлар зичлиги 
5,66*10
18 
1,14*10
19 
N
B.c
м
-3
утказувчанлик зонаси 
эффектив холатлар зичлиги 
1,08*10
19 
2,82*10
19 
Электроналар ҳаракатчанлигини 
 
3800 
1300 
Коваклар ҳаракатчанлиги
 
1820 
470 
 

---

14 
5 – 
амалий топшириқ 
Мавзу: ЯРИМЎТКАЗГИЧЛАРДА ЭЛЕКТРОН ЎТИШНИ ҲИСОБЛАШ 
300 К температурада кескин электрон-ковак ўтиши учун қуйидага ҳисоблашларни бажаринг. 
1. U
k 
- 
контакт потенциаллар фарқи қийматини аниқланг. 
2. X
P, 
X
n
ўтиш чегараси координаталари 
U
k
 ) 
ва p-n ўтиш кенглигини ҳисобланг.
=X
n
-X
p
Ички электр майдон потенциалининг кординаталар функцияси сифатида чизинг. 
3. 
Электрон ва коваклар концентрацияларини координаталар функцияси сифатида ўзгаришини p
p
,n
p,
n
n,
p
n
чизинг. 
4. 
Ўтиш юзасини 1мм
2
- 
хисоблаган ҳолда хажмий заряд Q(Q
+ 
=Q
-
)
миқдорини ва электр сиғими 
С
б
ни хисобланг. 

Топшириқни бажариш учун кўрсатмалар 
 
1. U
k 
- 
контакт потенциал фарқи. 
 
 
n - 
соҳа кенглиги
;
 
;
 
р - соҳа кенглиги
 
 
 
 
;
;
=X
n
-X
p 
 

---

15 
2. Ҳисоблашлар натижасида p-n ўтишнинг потенциал диаграммасини ва ўтишдаги заряд ташувчилар концентрацияси 
билан координаталар функцияси графикларини кўринг. 
3. 
Электрон ва коваклар концентрацияларининг координаталарга боғлиқлик графикларини кўринг. 
4. 
р-n ўтишнинг хажмий заряди Q(Q
+
=
 
Q
-
)
ва ўтишнинг электр сиғими 
С
б 
 
 
; 
;
; 
 
Топшириқ учун вариантлар 4 - жадвалда келтирилган 
4-
жадвал 
 
вариант 
0 
1 
2 
3 
4 
5 
6 
7 
8 
9 
,см
-3 
10
15 
10
16 
10
17
10
18 
10
14 
10
14 
10
15 
10
16 
10
17 
10
18 
N
a/
N
g 
0,005 
4 
0,2 
30 
0,3 
4 
0,3 
50 
0,1 
30 
материал 
германий 
кремний 
 
 
 

---

16 
6 – 
Амалий иш 
 
Мавзу: ЯРИМЎТКАЗГИЧЛАР АСОСИДАГИ РАДИОКОМПОНЕНТЛАРНИНГ 
 
ПАРАМЕТРЛАРИНИ ҲИСОБЛАШ 
 
Топшириқни ечишнинг биринчи босқичида берилган электр схемани шундай ўзгартириш керак-ки, бунда 
схеманинг барча ташқи чиқишлари тагликнинг узун томонлари чеккаларига жойлашиши ва юпқа ўтгазгичлар 
кесишмаслиги таъминланиши зарур. Юпқа ўтказгичлар кесишувини корпуссиз операцион кучайтиргичнинг чиқишлари 
билан юпқа парданинг кесишишлари билан алмаштириб, охирги шарт бажарилади. Ушбу операция биринчи масалани 
ечиш мисолида кўрсатилган. 
Гибрид интеграл микросхемалар пассив элементларининг ўлчамларини ҳисоблаш иккинчи этапни ташкил этади. 
Биринчи жадвалда келтирилган номинал қаршиликлар Ri ва юпқа парданинг солиштирма қаршиликлари Рs га 
биноан пардасимон резисторлар ўлчам ва конфигурация (шакли)лари аниқланади. Резисторлар тайёрлаш учун 
ишлатиладиган материаллар тури минимал бўлмоғи керак. Бунда битта материалдан фойдаланиш мақсадга мувофиқ. 
Пардасимон резисторлар материаллари 
 
Резисторлар тайёрлаш учун 
ишлатиладиган материал номи 
Солиштирма қаршилиги 
ОМ/квадрат 
Тайёрлаш усули 
Нихром 
МЛТ-3 М 
РС-3001 
Кермет 
300 
500 
1000÷2000 
3000÷10000 
Термик 
пуркаш 
Тантал 
Тантал нитриди 
20÷100 
1000 
Катод 
пуркаш 
Шундан кейин барча резисторлар учун форма (шакл) коэффициенти топилади 
Kφ=Ri/Ps (1) 

---

17 
Материал танланганда энг катта қаршиликни резистор учун форма коэффициенти Kφ нинг қиймати 50дан кичик 
бўлмоғи шарт. 
Форма кэффициенти қиймати (1)дан фойдаланилган холда, топилганидан сўнг резистор шакли аниқланади. Форма 
коэффициенти Kφ ≤ 10 бўлганда, резистор кўриниши тўғри тўртбурчак шаклидаги битта тасмачадан иборат бўлади 
(1а ёки 1б-расм), Kφ ≤ 10 бўлганда резистор шакли аррасимон (“меандр”) кўринишида бўлади ёки (1в-расм) ҳар бири 
учун Kφ ≤ 10 бўлган кетма-кет уланган бир неча тасмачалардан ташкил топади (1г-расм). 
Тўғри тўртбурчак шаклдаги пардасимон резистор узунлиги L ни унинг кенглиги b асосида ҳисобланади. Агар 
резисторда сочилувчи қувват ва унинг қийматига рухсат этилган четланишлар берилмаган бўлса, b=b
min 
деб ҳисобласа 
бўлади. 
b
min 
нинг қиймати пардасимон резисторларнинг тайёрлаш усулига боғлиқ (маскалардан (ниқоб) фойдаланиб 
тайёрланганда b
min 
=100мкм ни ташкил этади). 
b 
нинг қиймати аниқланиб, l ни ҳисоблаб топилади: 
L=
Kφ · b
min 
(2) 
Юпқа парда узунлиги l < l
min 
= 500
мкм (бунга йўл қўйилмайди), бўлган ҳолда алоҳида вазият вужудга келади. 
Бундай ҳолда l = l
min
деб олинади ва b нинг қиймати топилади: 
b= l
min
/ K
φ 
“Меандр” (1в-расмга қаранг) туридаги резистор учун юпқа парда узунлиги сифатида резистив тасмачалар ўрта 
чизиғи узунлиги қабул қилинади. 
Бир неча кетма-кет уланган тасмачалардан тузилган резистор учун l нинг ҳисоблаб топилган узунлиги барча 
тасмачалар узунликлари йиғиндисидан ташкил топади. 

---

18