Ва радиокомпонентлар

диэлектрик электрон асбобларда қшлланилади. 
Диэлектрик диод – пардали металл–диэлектрик–металл структурани ташкил этади. Диэлектрик диод ишлаш 
принципи электровакуум ва ярим ўтказгичли диод ишлаш принципларидан фарқ қилади. Диэлектрик диоддаги тўғрилаш 
эффекти исток ва сток чиқишидаги иш фарқи билан тушунтирилади ва диэлектрикка жуда кичик чиқиш ишига эга 
бўлган материалдан контакт суртиш йўли билан бу натижада янада яхшиланиши мумкин. Шу сабабли бир йўналишда 
катта ток юзага келади, тескари йўналишда эса – жуда кичик.
Диэлектрик транзисторда бошқарувчи электрод (затвор) исток ва сток оралиғидаги юпқа диэлектрик қатламида 
жойлашади. Баъзи триодларда n – соҳадан юқори омли р – соҳага эмиисия- диэлектрик ролини бажаради. Юқори электр 
ўтказувчанликка эга бўлган р
+
- 
турдаги ярим ўтказгичдан ҳосил бўлган кичик омли соҳалар, электровакуум триоддаги 
тўр вазифасини бажаради. 
Диэлектрик электроника асбоблари ярим ўтказгичли ва электровакуум асбобларнинг афзалликларини ўзида 
мужассамлаштирган бўлиб, камчиликлардан холидир. Улар микроминиатюр, кам инерцияли, яхши 
характеристикаларага эга, эмитерловчи электрод қизишига сарф талаб қилмайдилар. 

---

21 
Криоэлектрон асбоблар паст температураларда қаттиқ жисм электронларининг электромагнит майдон билан 
ўзаро таъсири ҳодисасига асосланган. 
Криоэлектрон асбобларда турли ҳодисалар қўлланилган: металл ва қотишмаларнинг ўта ўтказувчанлиги, баъзи 
диэлектрикларнинг диэлектрик сингдирувчанлигини электр майдон кучланганлигига боғлиқлиги, металларда 80 Кдан 
паст температураларда ярим ўтказгичлардаги каби хоссаларнинг номоён бўлиши, заряд ташувчиларнинг юқори 
харакатчанликка эга бўлишлари ва бошқалар. Криоэлектроника принциплари бир қатор асбоблар (криотронлар, квант ва 
параметрик кучайтиргичлар, фильтрлар, кечикиш линиялари ва бошқалар) ясашда қўлланилади. Энг кенг тарқалган 
асбоб криотрон бўлиб, ўта ўтказгичларни критик магнит майдон таъсирида ўз ўтказувчанлигини кескин ўзгартириш 
хоссасига асосланган криоген қайта улагич элемент вазифасини бажаради. Криотрон айнан калит ёки реле вазифасини 
бажаради. Криотрон фақат икки ҳолатдан бирида жойлашиши мумкин – ёки ўта ўтказувчан, ёки кичик ўтказувчан. 
Содда криотрон соленоид (бошқарув ўрамлари) орасига жойлаштирилган ўта ўтказувчан маткриалдан ясалган ўрам 
қисмидан ташкил топади. Криотрон юқори тезликка эга ҳамда жуда микроминиатюр: 1 см
2
да бир неча мингтагача 
криотрон жойлашиши мумкин. Криотронлар асосида ўқиш натижасида йўқолиб кетмайдиган мантиқий хотира 
вазифасини бажарадиган криотрон катта интеграл микросхемалар ясаш мумкин. Бироқ чуқур совутиш ҳолатини юзага 
келтириш бўйича мавжйд технологик қийинчиликлар, криотронлардпн фойдаланишни чеклайди. 
Жозефсон эффектидан фойдаланиш катта имкониятларни яратади. Бу эффект иккита ўта ўтказгичларни бирор
кучсиз электрод контакти билан туташтириш натижасида юзага келади. Контакт соҳасида жозефсон туннел ўтиши 
шаклланади. Бундай ўтишга бўсағавийдан кичик силжиш токи берилса, ўзгармас ток манбаида ўтиш ўзининг нол 
ҳолатини, кучланиш пасайиши билан тушунтириладиган резистив ҳолатига ўзгартиради. Жозефсон ўтишининг икки 
ҳолати параметрлари юқори қийматга эга бўладиган, бирор мураккаб ахборотни қайта ишловчи ўта ўтказувчан тизимни 
яратишда қўлланилиши мумкин. 
Суюқ ва қаттиқ электролит ионлари иштирок этадиган электр – кимёвий ўзгартиришлар принципи хемотрон