Va yarimotkazgichli asboblar texnologiyasi

Kiropulos 
usuli. 
Bu 
usulda 
xam irturush  suyulmaga  kiritiladi  va  keyin 
undan 
tortib 
chiqarilmaydi, 
suyulma 
ichida  o'sa  boshlaydi,  bunga  m odda  suyulishi  tem peraturasiga  mos 
izotermaning  suyulmaning  ichkarisiga  ko'chishi  sababchi  bo'ladi.  Bunga 
erishish  uchu  suyulmaning  tem peraturasi  pasayganda  kristall  (xam ir­
turush)  tutgich  orqali  xam irturushni  sovitiladi.  Kiropulos  usuli  dia- 
metrining  balandligiga  (uzunligiga)  nisbati  katta  bo'ladigan  kristallarni 
o'stirishda  qoilaniladi.
Kristallni 
suyulmadan 
tortib 
olish 
usullari 
normal 
yo'nalgan 
kristallanish  usulidan  quyidagi  afzalliklarga  ega.  Kristall  erkin  fazoda 
o ksadi,  tigel  unga  mexanik  ta ’sir  ko'rsatm aydi,  qurilm a  o'sayotgan  kristall 
oicham larini  har  xil  qilib  olish  im konini  beradi.  Kristall  o'sishi 
jarayonini  kuzatib  turish  mumkin.
Bu  usullar  kremniy  monokristallari  olishda  asosiy  o 'rin   tutadi. 
Jahonda  olinadigan  kremniy  m onokristallari  yiliga  2000  tonnadan  ortiq. 
Texnologik  qurilm alar  tobora  takom illashm oqda.  Masalan,  1960-yilda 
kremniy  kristallari  o'stiradigan  tigelning  sig'imi  1  kg  b o isa ,  hozir  u  60  kg 
dan  ortiq.  O'stirilgan  kristallar  diam etri  150-300  mm  va  uzunligi  1,5-2  m 
ga 
yetdi. 
Ularning 
tuzilishi 
ham  
mukam m allashib 
borm oqda, 
dislokatsiyalarsiz  kristallar  o'stirilm oqda.
11.37-rasm. 
Zonaviy 
suyultirish 
usulida 
kristall  o'stirish:
a)
  gorizontal  z o n a v iy   suyultirish; 
b)
  vertikal 
tig e lsiz   zon aviy  suyultirish:
7-xamirturush;  2-kristall;  3-su yu lgan   zona; 
4-dastlabki  m odda;  5-jips  yop ilad igan   kamera 
devori;  6-induktor;  7-kristall  tutgich;  5 -tig el.
b)
■A.gpg./
HC=
Т Г
/
" V
/ 
* 6  
a )
* -  
J
2
1
  -
11.36-rasm.
 
K i r o p u l o s  
u s u l i d a  
krist a lla r  o ' s t i r i s h .
/-xam irturush;  2-kristall;  3-tigel; 
-/-suyulm a.
116

Bu  usullar  yarim o'tkazgich  m onokristaliarni  o'stirish  va  moddalarni 
chuqur 
tozalashda 
muhimdir. 
Ularning 
bir 
fazilati 
kristallarni 
o'stirayotganda  kirishmalarni  ham  bir  tekis  kiritish  imkoniyatidir. 
Bulardan  gorizontal  va  vertikal  zonaviy  suyultirish,  tigelsiz  zonaviy 
stiyultirish  va  Verneyl  usullarini  ko‘rsatish  m umkin.
Gorizontal  zonaviy  suyultirish 
usulida  (11.37,  a -rasm)  kristallanuvchi 
modda  tigelga  joylanadi.  Tigelning  bir  chetiga  monokristall  xam irturush 
joylanadi.  Jarayon  boshida  xam irturush  —  dastlabki  m odda  chegarasida 
suyuq 
zona 
hosil 
qilinadi. 
Uning, 
dastlabki 
m odda 
orqali, 
xam irturushdan  to  tigelning  boshqa  chetiga  siljib  borishi  tufayli 
monokristall 
o ‘sib 
boradi. 
M azkur 
usulda 
kristallni 
tigeldan 
foydalanmsdan  o'stirish  m um kin  (suzuvchi  zona  usuli)  (11.37,  Z?-rasm). 
Bu  usul juda  toza  monokristallarni  o ‘stirishda  keng  q o ‘llaniladi.
Tigelsiz  zonaviy  suyultirish 
jarayonida  nam unadagi  suyulgan  zonani 
sirtiy  taranglik  kuchlari  ushlab  turadi.  (II.38-rasm ).  Kristallning  shakli 
qanday  b o ‘lishligi  gidrostatik  bosim  va  suyulm aning  sirtiy  tarangligi 
munosabatiga  bog'liq. 
Bu  usulni  kremniy  texnologiyasida  qo'llash 
diam etri  100  mm  va  undan  ortiq  bo'lgan  m onokristallar  olish  imkonini 
berdi.  (II.38-rasm )
M onokristallarni  tigelsiz,  taglikdan  o'stirish  (garnissaj)  usuli  ham 
ishlab  chiqilgan.  Bu  usulda  suyultiriladigan  katta  diam etrli  sterjenning 
(taglikning)  yuqorigi  yuzida  suyulma  hosil  qilinadi  va  xam irturush 
yordamida  kristall  tortib  olinadi.
7.2.4.  Zonaviy  suyultirish  usullari
&
к
1 
]
гг,
e)
II.38-rasm.  Induktor  diametri  suyultiriladigan  sterjen  diametridan  kichik 
bo’lgan  holda  tigelsiz  zonaviy  suyultirish  usulida  kristalni  o ’stirish jarayoni 
bosqichlari (vb v2 -  mos ravishda, sterjen va xamirturush harakati tezliklari): 
д -suyulm a 
tom ch isi 
h osil 
qilish; 
Zbxamirturushni 
h o ’llanishi; 
^-diametrni 
shakllantirish;  e - o ’zgarm as  diametrli  kristalni  o ’stirish.
117

Bu 
usulning 
afzalligi 
shundaki, 
uning 
yordam ida  uzunlik  va  ko‘ndalang  kesim  bo‘yicha 
kirishm alar  yuqori  darajada  bir  tekis  taqsim langan 
m onokristallar  olish  mumkin.
M onokristallarni  tigelsiz  o ‘stirish  usullari  qiyin 
suyuladigan  yarim olkazgich  m oddalar  olishda 
ayniqsa  ahamiyatlidir.
Verneyl  usulida 
xam irturush  kristall  uchini 
alangada  suyultiriladi.  Bu  usulni  birinchi  m arta 
sapfir  m onokristallarini  o ‘stirishda  q o llanilgan 
(II.40-rasm ).  Uni  alangaga  bardoshli  m oddalar 
kristallarini  o ‘stirishda  qoilaniladi.  U ndan  hozir 
sapfir.  rubin,  rutil,  uirkoniy  oksidi,  ittriy  oksidi, 
nikelli  ferrit  va  boshqa  kristallarni  o'stirishda 
foydalaniladi.
7.3.  Kristallarni  eritmadan  o ‘stirish
Bu  jarayon  oldin  ko‘rilgan  toza  suyulm adan  o ‘stirishga  nisbatan  an ­
cha  past  tem peraturalarda  olib  borilishi  mumkin.
Ushbu  usul  bilan
-juda 
yuqori 
suyulish 
tem peraturasiga  ega 
b o ig an  
m oddalar 
kristallarini  (masalan,  olm osni);
-suyulish  tem peraturasida  tarkiblovchilari  b u g !  bosimi  juda  yuqori 
b o ig a n   yoki  parchalanib  suyuladigan  kimyoviy  birikmalarni;
-suyulmasi  yuqori  darajada  qovushoq  b o ig a n   m oddalar  kristallarini; 
-past  tem peraturali  polim orf  (ko‘p  shaklli)  m oddalar  kristallarini 
o'stirish  mum kin.
Jarayonning  past  tem peraturali  b o iish i  ko‘pincha  tozaroq  va 
m ukam m alroq  m onokristallar  olish  imkonini  beradi.
Erituvchiga  q o ‘yiladigan  talablar:
-u 
kristall 
o'stirish  jarayoni 
tem peraturasini 
m uhim  
darajada 
pasaytirishi  va  o ‘z  b u g ln in g   bosimi  yetarlicha  past  bo iishi  kerak;
-o ‘stirilayotgan  kristallni  ifloslamasligi,  ya’ni  taqsim ot  (segregatsiya) 
koeffitsienti  kichik  b o iish i  kerak;
-uning  kristalldagi  atom lari  neytral  kirishma  b o iish i  m a’qul.  Bunday 
erituvchini  tanlab  olish  ancha  qiyin.
kristallni  tigelsiz  o ’s- 
tirish  usuli:
/-ta g lik ;  2-induktor; 
3-suyulm a; 
4 - o ’stirila- 
yotgan  kristall.
118

U shbu  hollar  farq  qilinadi:
1. 
0 ‘stirilayotan 
kristall 
tarkibiga 
kirmaydigan 
m odda 
erituvchi 
xizmatini 
bajaradi  (m asalan,  N aC l  kristallini  o ‘stirishda 
suv).
2.  O ^tirilayotgan  birikm aning  tarkiblov- 
chilaridan  biri  erituvchi  b o ia d i  (masalan,
G aP   kristallini  o ‘stirishda).
Birinchi 
holda 
o ‘stirilgan 
kristall 
erituvchining  barcha  tarkiblovchilari  kirish­
m alar  sifatida  qoldiq  kirishmalar  bilan  birga- 
likda  mavjud  b o iad i.  Shuning  uchun  bunday 
kristallar  uncha  toza  emas.
Ikkinchi  holda  eritm ada  chet  m oddalar 
yo‘q, 
o ‘stirilayotgan 
kristallaming 
tozalik 
darajasini  faqat  eritm a  tarkiblovchilari  tozaligi 
aniqlaydi.
Eritm adan 
kristall 
o ‘sishi 
holida 
bu 
jarayon  quyidagi  bosqichlardan  iborat:
-dastlabki  tarkiblovchilarning  erishi;
-tarkiblovchilarning 
eritm aning 
suyuq 
fazasi  orqali  kristallanish  fronti  tom oniga 
diffuziyalanishi;
-kristallanish  frontida  tarkiblovchilarning  o lirib   qolishi;
-kristallanish  issiqligining  sochilishi.
Eritm adan 
hosil 
qilinayotgan 
kristallam ing 
o ‘sish 
tezligi 
o ‘z 
suyulm alaridan  olinadigan  kristallarnikiga  nisbatan  ikki-uch  tartib 
cham asida  kam  ( 10_3- 10"2 sm /soat)  b o ia d i,  am m o  uni  oshirishning  b a’zi 
choralari  ham   mavjud.
Kristallanuvchi  m oddaning  eruvchanligini  oshirish  uchun  shu  m odda 
bilan  ta ’sirlashuvchi  tarkiblovchilar  eritm aga  qo£shiladi.  U lam i  mine- 
ralizatorlar deyiladi.
Eritm alardan  yarim olkazgichlar  m onokristallarini  o ‘stirish  usullari 
bir-biridan  eritm aning  kristallanuvchi  m odda  bilan  o ‘ta  to ‘yinishini 
qanday  hosil  qilinishi  bilan  farqlanadi:
-erituvchining  buglanishi  bilan;
-kristallanuvchi  m odda  manbayi  va  xam irturush  orasida  tem pera- 
turalar farqi  vujudga  keltirish  bilan;
II.40-rasm.  Alanga  bilan 
suyultirish  usulida  (Ver- 
neyl 
usuli) 
kristallni 
o'stirish:
1 -o'stirilayotgan  kristal;
2-suyulm a;  3-alanga; 
4-dastlabki  m odda  kukni  va 
kislorod  yuboriladigan  nay- 
cha;  5-vodorod   yuboriladigan 
naycha.
119

-elektr  m aydonda  kristallash  bilan;
-to'yingan  eritm ani  sekin  sovitish  bilan;
-butun  nam unada  hosil  qilingan  tem peratura  gradienti  bo'lgani  holda 
zonaviy  suyultirish  bilan.
Maxsus  xam irturushlar  kiritmasdan,  balki  kristallanish  markazlarining 
o ‘z -o “zidan  (spontan)  paydo  bo'lishi  va  o ‘sishi  yo‘li  bilan  ham   eritm adan 
kristallarni  o ‘stirish  m um kin  (ommaviy  kristallanish)  yoki  kristallni 
xam irturush  atrofida  o ‘sishini  nazorat  qilib  o ‘stirish  m umkin.
Eng  sodda  holda  kristall  o'sishi  uchun  kerak  bo'lgan  eritm aning  o ‘ta 
to'yinishini  erituvchining  bug'lanishi  yoki  to'yingan  eritm aning  sekin 
sovitilishi  orqali  paydo  qilinadi. 
Bu  holda  ommaviy  kristallanish 
oqibatida  kichik  kristallar  olinadi,  ularda  nuqsonlar  ko‘p,  kirishm alar 
juda  notekis  taqsimlangan.
Yirik  kristallarni  eritm alardan  xam irturush  asosida  o ‘stirish  xuddi 
suyulmadan  o ‘stirish  usullariga  o ‘xshab  ketadi.
7.3.1.  Temperatura  gradientili  zonaviy suyultirish  usuli
Ushbu 
usul 
kristallarni 
eritm adan 
o'stirishning 
m uhim  
usulidir.
1 
xam irturush  va  dastlabki  3  (A) 
m odda  orasida 
2
 erituvchining  yup­
qa  qatlam i  joylashgan.  Ular  tem pe­
raturasi  taqsim oti  11.41,  6-rasm da 
tasvirlangan  pechga  joylanadi.  Ti- 
zim ning  TmajcS,  eng  katta  tem pe­
raturasi  A  m oddaning  suyulish  tem ­
peraturasidan  past,  eng  kichik  Tmin 
tem peraturasi  esa  A -В  evtevtikaning 
suyulish  tem peraturasidan  yuqori 
qilib  olinadi.  В  erituvchi  A  m odda 
bilan  tutashgan  holda  suyuq  faza 
hosil  qiladi  va  u  har  ikki  yo‘na- 
lishda  gorizontal  ravishda  tarqaladi. 
Zona  chegaralari  tem peraturasi  Tj 
va  T
2
  b o ‘lib  qolguncha  (ular  A -В
11.41-rasm. 
Temperatura 
gradienti 
bo‘lgan  holda  kristallni  zonaviy  su­
yultirish  usulida o ‘stirish: 
a)  -   A
  (kristallanuvchi  m odda)  -  
В
  (eri­
tuvchi)  tizim i  holatlari  diagram m asining 
qism i;
b
  -   namuna  b o 'у lab  temperatura  taqsim oti 
( /   -  
A
  m odda  xamirturushi;  2 -su yu q  
A-B 
eritm a zonasi; 
3 -
 dastlabki 
A
  m odda).
120

tizimning 
muvozanatiy  holatiga  mos 
keladi)  A  m oddaning  erishi  davom  etadi. 
A  m oddaning  muvozanatiy  zichligi  o ‘ng 
chegara 
yaqinida 
chap 
chegara 
yaqinidagidan  yuqori.  Suyulgan  zonada 
(sohada)  A  m odda  zichligining  gradienti 
o ‘rnashadi 
va 
u 
zonaning 
issiq 
chegarasidan  sovuq  chegarasiga  tom on 
diffuziyalanadi.  Oqibatda 
suyulgan  zona 
temperatura 
gradienti 
ta ’sirida 
nam unaning 
issiqroq 
uchi 
tom onga 
ko‘chadi. 
Bu 
ko‘chish 
zona 
ichida 
erituvchi 
zichligini 
o ‘zgartiradi. 
В 
erituvchining  zonadagi  miqdori  uning  A 
qattiq  fazadagi  eruvchanligi  hisobidan 
ham   kamayadi.
Suyulgan  zona  ko'chishi  tezligini
II.42-rasm. 
Temperatura  gra­
dienti  boigan  holda  bir  jinsli 
kristallarni  zonaviy  suyultirish 
usulida o 4stirish
I-A
  m odda  kristali;  2-suyuq 
A-B 
eritm a  zonasi;  5-dastlabki 
A
  modda; 
-/-ikki  zonali  pech.
oshirish  uchun
tem peratura
gradienti 
(dT /dx)  va  A  tarkiblovchining  suyuqlikda 
D  diffuziya 
koeffitsienti  katta  b o iish i  va  likvidus  chizigl  og'maligi  (dT /dc)  kichik 
b o iish i  kerak.
Bir  jinsliroq  kristallarni  o'stirish  uchun  tem peratura  gradienti  kichik 
bo iish i,  A  qattiq  fazada  В  erituvchi  juda  kam  eruvchanlikka  ega  boiishi 
kerak.
Eritmaning  zonasi  orqali  elektr  tok  o lk azib ,  izotermik  sharoitda 
kristallash  mumkin.  Bu  holda  ionlarning  ko'chishi  va  Peltye  effekti 
hisobiga  kristallanish  frontida  eritma  o l a   to ‘yinadi.  Manba  ~   eritma 
chegarasida  Peltye  issiqligi  ajraladigan,  eritma  —  taglik  chegarasida  esa  u 
yutiladigan  qilib  tok  yo'nalishi  tanlanadi.  Pelte  issiqligi  ta ’sirida  manba 
qatlami  eriydi,  shu  vaqtda  boshqa  chegarada  tem peratura  pasayib,  eritma 
o l a   to'yinib  qoladi,  kristallanish  yuz  beradi.  Elektrik  m aydonda  bunday 
kristallanish  jarayon  tem peraturasini  bir  m uncha  pasaytirish  imkonini 
beradi,  bu  esa  m azkur  usulning  afzalligidir.
7.3.2.  Kvars  monokristallarini  o‘stirish
Kvars  kristallari  sanoatda  muhim  ahamiyatga  ega.  Ularni  tem peratura 
gradienti  mavjud  b o lganida  xam irturushlarda  o'stirish  usulini  qarab 
chiqaylik.
121

Kvarsning  erituvchisi  sifatida  suv  ishlatiladi.
Yuqori  tem peratura  va  bosimda,  m ineralizator  (N aO H )  ishtirokida 
amalga  oshadigan  kvars  kristallari  o'stirish  quyidagi  tartibda  olib  boriladi: 
- 
CC-kvarsning  mayda  donalari  kukuni  reaktor-avtoklav  tubiga 
solinadi,  uning  yuqorigi  qismida  a  -  kvars  xam irturushlari  osib  qo4yilgan;
-avtoklavning 
(0,8) 
qismi 
ishqoriy 
eritm a 
(0,5N aO H ) 
bilan 
to'ldiriladi;
-avtoklav  ikki  zonali  pechda  tik  vaziyatda joylanadi;
-avtoklavning  kukunli  pastki  qismining  tem peraturasi  yuqorigi  qism
—  o'sish  zonasi  tem peraturasidan  yuqori;
-tem peraturani  suvning  kritik  tem peraturasi  374°C  dan  pastroqqacha 
oshirilganda  eritma  sathi  ko'tariladi  va  ishchi  xajmni  to 'la  egallaydi;
-avtoklav  ichidagi  bosimni  tem peraturalar  maydoni  va  uning 
dastlabki  eritm a  bilan  to'ldirilishi  aniqlaydi;
-pastki  zona  tem peraturasi  400°C  ,  yuqorigi  zonaniki  350°C, 
avtoklavdagi  bosim  200  M Pa  bo'lganida  (2 -kvars  monokristallarining 
o'sish  tezligi  [0001]  yo'nalishda  sutkada  2  mmga  yetishi  m umkin;
-kristallanish  fronti  yaqinida  оЧа  to ‘yinish  400°C  da  to'yingan 
eritmaning  o'sish  zonasiga  konveksion  ko'chirilishi  hisobiga  hosil 
qilinadi.  Bu  zonada  350°C  da  eritma  o 'ta   to'yingan  bo'lib  qoladi.
Bu  usul  bilan  kvarsning  eng  yirik  va  m ukammal  monokristallari 
o'stiriladi.
Kvars  kristallarini  o'stirishda  avtoklav  (tigel)  p o la td a n   yasaladi. 
Boshqa  m oddalar  uchun  esa  asl  metalllardan  ichki  qistirmalardan 
foydalaniladi.
Bayon  qilingan  usul  bilan  yana  bir  qancha  m oddalarning  yirik 
kristallari  o'stiriladi  (sapfir,  rubin,  rux  oksidi,  ittriy-tem ir  granat  va  b.).
Kristallarni 
eritm alardan 
o'stirish 
qonuniyatlari 
va 
usullari 
yarimo'tkazgichli  asboblar  texnologiyasida  epitaksial  qatlam lar  olish 
uchun  keng  qoilaniladi.
7.4.  Kristallarni  gazsimon  fazadan  o ‘stirish
Gazsimon  fazadan  kristallarni  o ‘stirishda  qo llanadigan  usullarning 
ikki  guruhi  bor:
1. 
Toza  fizik  kondensatsiyalanishga  asoslangan  usullar.  Ularning  eng 
muhimi  sublimatsiya-kondensatsiya jarayoniga  asoslangan  usuldir:
122

2. 
Kristallanish  zonasida  (sohasida)_ 
gazsimon 
kimyoviy 
birikmalarning 
parchaianishi  (yoki  tiklanishi)  hisobiga 
kimyoviy 
sintezlanish 
va 
kimyoviy 
ко ‘chirishga  asoslangan  usullar.
Elektronlar  texnikasining  gazsimon 
fazadan 
olinadigan 
eng 
m uhim  
materiallari 
monokristallari 
orasida 
birinchi 
o ‘rinlarda 
A[IBIV, 
A IVB VI 
birikm alar va  kremniy  karbidi  turadi.
Kristallarni 
gazsimon 
fazadan 
suyulish  tem peraturasidan  ancha  pst 
tem peraturalarda 
o ‘stirish 
mumkin. 
Bunda  amalda  har  qanday  m oddalar
Tjt
ll.43-rasm.  Gaz  fazadan  kris- 
tallami  o‘stirish  uchun  qo‘llanila- 
digan  yopiq  va  oqimli  (ochiq) 
tizimlar:
a -y o p iq   tizim ;  6 -o q im li  tizim   ( 1 -  kon- 
teyner;  2-dastlabki  m odda  (shixta);
3  -  yalpi  kristallanish  zonasi;
4  -  m onokristall  xam irturush).
kristallarini  hosil  qilsa  b o ‘ladi.
Sublimatsiya-kondensatsiya  usuli  bilan  kristallash.
Bu  usul  bug‘i  suyulish  tem peraturasidan  pastda  yetarlicha  yuqori 
bosim  hosil  qiladigan  m oddalar  kristallarini  boshqa  gazsimon  usullar 
nochor  b o ‘lgan  holdagi  m oddalar  kristallarini  o ‘stirishda  qollaniladi.  Bu 
usulda  kristallanishni  yopiq  yoki  oqimli  tizim larda  o ‘tkaziladi.
Yopiq  tizim  kavsharlangan  kvars  ampulasi  b o lish i  mumkin.  Qiyin 
suyuluvchan  m oddalar  uchun  korund  (AI2O 3)  yoki  qiyin  suyuluvchan 
m etalllardan  tayyorlangan  kavsharlangan  tigellardan  foydalanish  mumkin. 
Ba’zi  hollarda,  zaruratan,  tigellarni  boshqa  m ateriallardan  (masalan, 
grafitdan,  shisha  ugleroddan)  jips  yopilmaydigan  qilinadi,  am m o, 
tigeldan  b u glarning  chiqib  ketishi  kam  bo'lishi  kerak  (kvaziberk  tizimlar).
ll.44-rasm.  Ampulada kim­
yoviy transport reaksiyadan 
foydalanib kristall o‘stirish:
a -p ech  
balandligi 
b o cyich a 
temperatura taqsim oti;
Z>-tortib  chiqarish  boshida  am- 
pula vaziyati;
(i-jarayonning 
k eyin gi 
b os- 
qichi.
123

Berk  (yopiq)  tizimlarda  massa 
uzatilishi 
m olekulyar 
dastalar 
(vakuumda  ),  yo  m olekulyar  yoki 
konventiv  diffuziya  orqali  amalga 
oshiriladi.
Oqimli 
tizimlarda 
kristallar 
o'stirishda 
dastlabki 
m odda 
bu glarini 
kristallanish  zonasiga 
inert  gaz  olib  boradi.
Kimyoviy  reaksiya  ishtirokida 
kristallanish 
usullarini 
suyulish 
tem peraturasidan  past da  o 4z  bug4- 
lari 
bosimi 
kichik 
b o iad ig an  
m oddalar 
yoki 
sublimatsiya 
jarayonida  o 4z  tarkibi  buziladigan 
m oddalar  kristallarini  o ‘stirishda 
qoilaniladi.  Kimyoviy  transport 
ishtirokida 
kristallarni 
o ‘stirish 
berk  yoki  kvaziberk  tizimlarda 
bajariladi: 
gazsimon 
kimyoviy 
birikm alarni 
parchalash 
(yoki 
tiklash)  usulini  oqimli  tizimlarda  qoilaniladi.
Kristallarni  gazsimon 
fazadan  o 4stirish  usullarining  barchasida 
kristallanish 
markazlarining 
o 4z-o 4zidan 
hosil 
bo lish id an  
yoki 
xam irturushlardan  foydalanish  mumkin  (II.43-rasm ).  Birinchi  holda 
o'stirilgan  ignasimon  kristallar,  plastinasimon  yoki  polikristall  o 4smali 
kristallar  elektron 
texnikada  kam dan-kam   qo llanad i.  Ba’zi  hollarda 
xamirturushsiz  texnologiya  yetarlicha  yirik  m onokristallar  beradi  (11.44- 
rasm).
B uglii  xamirturush  kristallchaga  nazoratli  o lq azish   usuli  bilan 
kimyoviy  tarkibi  va  stexiometriyasini  nazorat  qilib,  o'stiriladigan  yetar­
licha  yirik  (diametri  100  mm  gacha)  kristallar  hosil  qilish  mumkin.  Bun­
day  jarayonning  tasviri  HgSe  monokristallari  olish  uchun  II.  45-rasm da 
keltirilgan.  Dastlabki  polikristall  m oddani  2  kvars  am pulaning  1  tigeliga 
solinadi.  Ampulaning  yuqorigi  qismida  3  monokristallik  xam irturush 
joylanadi.  Ampulani  birikmaning  sublimatsiya  tem peraturasigacha  4 
pechda  qizdiriladi.  4  va  5  pechlar  siljib,  kristall  va  bug4  faza  chegarasida 
zaruriy  tem peraturalar gradientini  hosil  qiladi.
124
г  Щ 
У
b) 
a) 
cl)
II. 45-rasm. 
Monokristallami 
bug4 
fazasidan  (a)  o'stirish  va  pechlar  tem- 
peraturalari  taqsimoti  (b,  d)\
1