Va yarimotkazgichli asboblar texnologiyasi

4
+АГ  va  boshqa  aralashm alar  bilan  ishlov 
beriladi.  Oltin  qoplamalarga  ishlov  berish  uchun  reaktiv  gaz  CF
3
CI  dan 
foydalaniladi.
Plazma-kimyoviy  usul  bilan  ishlov  berish  texnologiyasi  fotolitografiya 
jarayonida  taglik  sirtidan  fotorezistni  ketkazish  uchun  keng  qoilaniladi.
Fotorezistlarni  ketkazish  uchun  aktiv  gaz  sifatida  kislorod,  azot  va 
vodorod 
aralashmasidan 
foydalaniladi. 
Fotorezist 
bilan 
kimyoviy
192

reaksiyaga 
kiruvchi 
aktiv 
zarrachalar 
gaz 
razryadli 
plazmada  kislorod  moleku- 
lalarining 
dissotsiyalanishi 
hisobiga 
paydo 
bo'luvchi 
atom ar  kislorod  va  ozon 
b o ‘ladi.  Unga  katta  bo‘l- 
magan  m iqdorda  azot  va 
vodorod  (l% g a  yaqin)  ni 
qo‘shish  taglik  sirtidan  fo­
torezist  qatlam ini  kyetkazish 
tezligini  oshirishga  olib  ke­
ladi.
Taglikka  plazm a-kimyo- 
viy  usulda  ishlov  berishni 
amalga  oshirish  uchun  past 
bosimli  yuqori  chastotali  gaz  razryadli  plazm adan  foydalaniladi.  III. 15- 
rasmda  plazma-kimyoviy  yedirish  uchun  vakuum  kam era  sxemasi 
berilgan.  Yedirish  maxsus  metall  ekranli  gaz  razryadli  plazm adan  ajralgan 
holda  vakuum  kamera  sohasidan  o ‘tkaziladi.  Yuqori  chastotali  plazma 
ishchi  kam eraning  silindrik  sirti  va  ekran  oralig‘ida  q o ‘zg‘atiladi.  Yedirish 
plazm adan  plastinkalar joylashgan  zonaga  o ‘tuvchi  neytral  kimyoviy  aktiv 
atom lar  yoki  yashash  vaqti  katta  b o ‘lgan  radikallar  F*  bilan  amalga 
oshiriladi.
Bu  usulda  silindrik  ekran  tirqishlari  orqali  plazm aning  zaryadlangan 
zarrachalari  sirtga  tushmaydi.  Zonada  qo‘zg‘algan  atom lar  ftor  va  atom ar 
kislorod  ishchi  gaz  molekulalari  bilan  bir  qancha  to ‘qnashish  natijasida 
tartibli  harakat  qiladi.  Bu  esa,  plastinkalarni  bir  jinsli  yedirilishga  olib 
keladi.
10.11.  Galvanik  qoplamalarni  o4qazish
K o‘p  turdagi  yarim o'tkazgichli  asboblar  va  integral  mikrosxemalarni 
tayyorlash  texnologiyasida  yarim o‘tkazgichli  tagliklarga  turli  qalinlikdagi 
va  ko£rinishdagi  metall  qatlam lar  o'tqazish  ko‘p  qoilaniladi.  Bu 
qatlam lar  ikki  elektrod  orqali  tok  o'tishi  natijasida  hosil  bo'ladi. 
Bulardan  bittasi  taglik  bitta  elektrod  vazifasini  bajarsa,  ikkinchisi  m a’lum
III. 15- rasm.  Plazma-kimyoviy yedirish 
uchun vakuum kamera sxemasi:
/ - kvars kamera,
2-maxsus  ekranli  silindr,
3-plastinkalar kassetasi,
4-yuqori  takroriylikli  induktor,
5-ishchi  gaz  berish,  6-chiqish trubkasi
193

tarkibli  elektrolitdir.  Elektrolitik  usul  bilan  m etallarni  o iq azish   jarayoni 
asosida  katod  tiklanish  reaksiyasi  yotadi.
Y arim oikazgichlar  texnologiyasida  galvanik  qoplam alarni  o iq azish  
yarim oikazgich 
taglikka 
omik 
kontaktlar 
hosil 
qilish, 
elektrod 
chiqqichlar  yaratish,  kontakt  m aydonchalar  va  tok  y oilari,  ko‘p  qatlamli 
metall  kompozitsiyalar,  sharsimon  va  konsolli  elem entlarni  tayyorlash 
uchun  qoilaniladi.
Y arim oikazgich  taglikka  metallni  elektrolitik  o iq azish   jarayoniga 
juda  ko'pchilik  omillar  ta ’siri  mavjud.  Bularga  elektrolit  tarkibi,  elektrod 
m ateriallarning  kimyoviy  tarkibi,  berilgan  elektrolitda  elektrod  potensial 
va  elektrolit  orqali  oqayotgan  tokning  qiymati  va  yo‘nalishi,  elektrolit 
temperaturasi  va  boshqalarga  bogiiq.
Metallarni 
galvanik 
o iq a z ish  
jarayonida 
o iq azish d a 
ayniqsa 
foydalanilayotgan  elektrolitlarning  tozaligiga  katta  ahamiyat  berish  zarur. 
Tayyor  elektrolitda 
oiqazilayotgan 
qatlam  tarkibi  va 
elektrofizik 
xususiyatini  o'zgartiradigan  kirishmalar  boim asligi  kerak.
Elektrolitga  suvdan  kirishm alar  tushib  qolishi  mumkin.  Shuning 
uchun  yarim oikazgichlar  ishlab  chiqarishda  elektrolitlar  tayyorlaganda 
faqat  ionsizlashtirilgan  suvdan  foydalaniladi.  Ishlab  chiqarishda  galvanik 
qoplam alar  misdan,  ruxdan,  kum ushdan,  oltin,  qalay,  kadmiy,  xrom  va 
indiydan  foydalaniladi.
Mislashtirish  nikel,  xrom,  kumush  va  oltin  qoplam alr  hosil  qilishdan 
oldin  qoilanilib,  u  sianli  va  kislotali  elektrolitlarda  oikaziladi.  Sianli 
elektrolitlarga  nisbatan  kislotali  elektrolitlar  tarkibi  b o cyicha  sodda  va 
misni  o iqazishni  ancha  yuqori  tok  zichligida  o iq azish   imkonini  beradi.
Sianli  elektrolit  sifatida  tarkibida  15  g//  sian  misi,  10  g//  sian  natriy, 
15  g//  karbonat  angidrid  natriy  va  30  g/l  sulfat  kislotali  natriy  b o ig an  
eritm adan  foydalanish  mumkin.
Misni  o'tqazish  jarayoni  18°-20°C,  tok  zichligi  0,3-0,5  A/dm
2
  da 
oikaziladi.  Kislotali  elektrolit  tarkibida  200  g/l  mis  poroshogi  (kuporos), 
5  g/l  sulfat  kislotasi  va  2  g/l  etil  spirt  kiradi.  Jarayon  20°-25°C  va  tok 
zichligi  2-3A/dm
2
  da  o ‘tkaziladi.
Nikellash  jarayonida  ikki  xil  ko‘rinishdagi,  ya’ni  kislotali  va  kuchsiz 
kislotali  elektrolitlardan  foydalaniladi.  Misol  tariqasida,  nikellashda 
qoilaniladigan  elektrolit  tarkibi:  150-200  g/l  sulfat  kislotali  nikel,  70  g/l 
oltingugurt  kislotali  natriy,  10  g/l sulfat  kislotali  magniy,  30  g //b o r  kislota
194

va  5  g//  natriy  xloridi  bo4ishi  mumkin.  0 ‘tqazish jarayoni  18°-20°C,  tok 
zichligi  0,5-1,0  A/dm
2
  bo‘lganda  bajariladi.
Krem niyda  omik  kontaktlarni  olish  uchun  va  geom etrik  tuzilishi 
murakkab  b o ‘lgan  qismlarda  tekis  qalinlikdagi  nikelni  olish  uchun 
kimyoviy  nikellash  jarayonidan  ham   foydalaniladi.  Bu  usulning  asosiy 
mohiyati  shundan  iboratki,  bunda  elektr  tokini  q o ilanm asd an  nikel 
qoplam a 
olishda 
kimyoviy 
tiklanish 
jarayonidan 
foydalaniladi. 
Tiklovchilar  sifatida  natriy,  kaliy,  am m oniy  yoki  kalsiy  gipofosfit  xizmat 
qiladi.  Kimyoviy  nikellash  uchun  tarkib:  30g//  nikel  xloridi,  10  g//  natriy 
gipofosfit,  50  g//  xlorli  am m oniy  va  65  g//  natriy  sitrati  bo'ladi.  Nikelni 
o‘tqazish jarayoni  70°C  da  o ‘tkaziladi.
Kumush 
qoplam alar 
yarimo4kazgichli 
asboblar 
va 
IM Slar 
konstruksiyasida  tok  o ‘tkazuvchi  elem entlar  elektrik  o ‘tkazuvchanligini 
oshirish  uchun  va  kontaktlardagi  o £tish  qarshiliklarni  kamaytirish 
maqsadida  foydalaniladi.  Kum ushni  o ‘tqazish  uchun  elektrolit  tarkibiga 
205  g//  kumush  xlor  va  80-100  g//  kaliy  sianidi  kiradi.  Jarayon  18°-20°C 
va  tok   zichligi  1 , 5 —2  A/dm
2
  oraliqlarida  o ‘tkaziladi.
Oltin  qoplam alr  o ‘tqazish  ham  yarim o4kazgichlar  texnologiyasida 
ancha  keng  tarqalgan  bo‘lib,  u  yarim o‘tkazgich  taglik  sirtiga  yupqa  parda 
sifatida  qoplanadi.  Bu  qoplama  har  qanday  kimyoviy-texnik  ishlov,  ya’ni 
agressiv  m uhitda  ham   chidash  im konini  beradi.  Oltin  qoplangan  taglik 
vodorod  ftoridi,  nitrat  va  sirka  kislotalariga  ham   chidash  beradi,  ya’ni 
taglik  yemirilmaydi.  Oltin  qoplam alarni  o ‘tqazish  uchun  to ‘rt  turdagi 
elektrolitlar:  i'shqorli,  kuchsiz  ishqorli,  neytral  va  kislotali  elektrolitlar 
qo‘llaniladi.  Oltin  qoplamalarni  olishda  asosiy  tarkiblovchilardan  tashqari 
(oltin  tuzlar  kompleksi  va  erkin  sianid),  elektrolitga  turli  qo‘shim chalar 
kiritilib,  ular  oltin  qoplama  sifatini  va  uning  elektrofizik  xususiyatini 
yaxshilashi  m umkin.  Misol  uchun,  ushbu  elektrolit  tarkibini  ko‘rsatish 
mumkin:  1  g//  kaliy  disianoureti,  1,5  g//  kaliy  xlor,  1,3  g//  kaliy  biftaleat,
0,2  g// trilon.  O ctqazish jarayoni  90°C,  tok  zichligi  0,5  A/dm2.
10.12.  Termik  ishlov berish  (kuydirish)
Termik  ishlov  berish  sirtga  o ‘tirgan  kirishm alarni  ketkazish,  sirt 
iflosliklarini  parchalash  va  uchuvchi  birikm alarni  bug4lantirish  uchun 
q o ‘llaniladi.  Term ik  ishlov  to 'g ^ id a n - to ^ ^ i  oksidlash,  epitaksiya  va 
boshqa jarayonlar  oldidan  vakuumli  va  term ik  qurilm alarda  olib  boriladi.
195

Masalan,  kremniy  plastinkada  epitaksial  qatlam   o'stirishda,  qoplovchi 
gaz  pardalar  va  nam liklar  sirtdan  uzoqlashtirish  uchun  oksidlanish 
tem peraturasigacha  qizdiriladi.  Yarimo'tkazgich  plastinkalarni  vakuumda 
term ik  ishlov  berishda  oksidlangan  sirtdan  namligini,  karbonat  angidrid 
gazini,  yengil  uglevodlarni  400°C  da  oson  uchirib  yuborish  mumkin. 
Kremniy  sirtidan  oksid  parda  900°C  dan  yuqori  tem peraturada  ketadi. 
Kremniyli  epitaksial  qatlamni  hosil  qilishdan  oldin  oksid  pardani 
vodorod  m uhitida  1200°C.. 1250°C  term ik  ishlov  bilan  ketkaziladi. 
Keramika,  shisha,  kvars,  sapfir  tagliklarning  oxirgi  amallari  vakuumda 
ishlov  berishdir.  Termik  ishlovni  samaradorligi,  albatta,  tem peraturaning 
ortishi 
bilan  yaxshi  bo'ladi, 
biroq  kirishmalarning  diffuziyasi  va 
materialning  erib  ketishi  bilan  chegaralangan.
Nazorat savoilari
1.  Y e d i r g ic h   n i m a   va  u l a r n i n g   t u r la r in i  a y ti n g ?
2.  Y e d i r g ic h la r   q a n d a y   t a r k i b d a   b o i a d i ?
3.  N i m a   m a q s a d d a   kislotali  y e d ir g i c h g a   sirka  kisl ota   q o bs h ilad i?
4.  Q a n d a y   maqsadla rda  q u ruq  yedirish  q o il a n il a d i?
5.  K im y o v iy   s u y u q   to z a l o v   u c h u n   qaysi  e r i t m a n i   q o i l a n i l a d i ?
6.  Kislotal i  y e d i r g i c h n i n g   is h q o r i y   y e d ir g i c h d a n   afzalligini  ayti ng.
7.  K islo ta   a r a l a s h m a l i   k r e m n i y   y e d ir g ic h   k i m y o v i y   reak siy asin i  y o z in g   va  
ta hlil  qiling.
8.  K i m y o v iy   n ik e lla s h   q a n d a y   a m a l g a   o s h irila d i?
196

11-BOB.  QOT1SHMALI  USULDA TUZILMALAR  OLISH
11.1.  Umumiy  ma’lumotlar
Qotishmali  usul  50-yillarda  elektr  parametrlari  nazariyasiga  yaqin 
b o ig an   yassi  diodlar  va  tranzistorlar  yaratilishiga  imkon  berdi.  Hozirgi 
paytda  u  yarim oikazgich  kristallga  kontakt  va  elektrodlarni  ulash  va 
b a’zi  hollarda  elektr  o iish la r  tayyorlash  uchun  katta  ahamiyatga  ega. 
Usul 
yarim oikazgich 
plastinka si 
sirtiga 
legirlovchi 
metall 
yoki 
qotishmani  o iq azish   va  uni  suyulish  tem peraturasiga  qizdirish  va  keyin 
sovitishdan  iborat.  Bunda  kristallanayotgan  yarim oikazgich  legirlovchi 
kirishma  atomlarini  ushlab  qoladi.  Qotishmali  jarayonni  tushunish  uchun 
kirishm a-yarim oikazgich  binar  tizimining  holat  diagrammasini  bilish 
kerak.  Qotishmada  asosiy  fizik-metallurgik  jarayon  --  yarim oikazgich 
sirtiga  metallning  hoilanilishi,  suyulmada  yarim oikazgichning  suyulishi 
va  uning  qayta  kristallanishidan  iboratdir.  Qotishmali  usulda  tuzilmalarni 
sifatii  olish  texnologik  rejimga,  elektrod  metallarni  o iq azish   usuliga, 
qotishmali  jarayonini  o iq azish   usuliga  bogiiq.  Aks  holda  yomon 
hoilanilishiga, 
suyulishning 
notekis 
frontda 
boiishiga, 
kristalida 
tirqishlarning  boiishiga  olib  keladi.
11.2.  Qotishmali 
p - n
  o4ish  hosil  boiishining 
fizik-metallurgik  asoslari
Y arim oiqazgichli 
asboblar 
ishlab 
chiqarish 
texnologiyasida 
qotishmali  usul  p-n  tuzilmani  yaratish,  omik  o iish la r  va  elektrodlarga 
chiqqichlar  ulash  uchun  foydalaniladi.
Qotishmali  p-n  o iis h   olish  uchun  yarim oikazgich  kristall  sirtiga 
elektrod  material  (metall  yoki  qotishma)  joylashtiriladi.  Sistema  qotishma 
hosil  boig u n ch a  qizdiriladi  va  uncha  katta  b o im ag an   vaqt  davomida 
ushlab  turilib,  so‘ng  sovitiladi.  Olinadigan  o iish la r  sifati  metall  va 
yarim oikazgichning  sirt  holatlariga  va  tashqi  m uhitning  tozaligiga,
197

suyuq  fazada  metall  va  yarim o'tkazgich  atom larining  diffuziyasiga. 
suyulmaning  oqib  ketishiga  b o g iiq   b o iad i.
Qotishm alanish  jarayonida  yuz  beradigan  fizik  jarayonlarni  uchta 
ketm a-ket  bosqichga  b o lish   mumkin. 
Ular  yarim o'tkazgich  sirtini 
elektrod  material  hollashi;  holat  diagrammasi  bo'yicha  aniqlanadigan 
elektrod  qotishmalarning  yarim o'tkazgichning  m a’lum  hajmida  suyulishi; 
suyulmanig  sovishida  erigan  yarim o'tkazgich  m aterialning  kristallanishi 
natijasida  p-n-  yoki  omik  o'tish  hosil  b o lish id an   iborat.
Agar  sof  element  elektrod  m ateriallar  talablariga  javob  bersa  hech 
qanday  qo'shim chasiz  yarim o'tkazgich  bilan  eritilaveradi.
Qotishm ada  berilgan  tarkiblovchining  suyulish  holat  diagrammasi 
likvidus  chizig l  bilan  aniqlanadi.  Suyulish  jarayoni  diffuziya  bilan  kuchli 
bog'langan.  Suyulmaga  diffuziyalanib  o'tuvchi  yarim o'tkazgich  atom lari 
unda  tekis  taqsimlanishga  intiladi.  Qotishm a  sirtidan  ketuvchi  atom lar 
yarim o'tkazgichning  yangi  qatlam ida  suyulish  imkonini  beradi.  Suyulma 
va 
qattiq 
yarim o'tkazgich 
orasida 
yarim o'tkazgichning 
kimyoviy 
potensiali  suyulmada,  uning  qattiq  holatdagi  kimyoviy  potensialiga  teng 
bo'lganda  m uvozanat  b o iad i.  Agar  zichlik  muvozanatdagidan  katta 
b o isa ,  suyulmadan  qattiq  jism  kristallanaveradi,  bu  jarayon  ikkala 
fazaning  kimyoviy  potensiallari  bir-biriga  teng  bo'lm aguncha  davom 
etadi.
11.3.  Elektron-kovak  o ‘tishning  hosil  boiishi  va  uning 
geometriyasi
M uvozanat  holat  suyulganda  elektrod  qotishm a  berilgan  chuqurlikda 
yarim o'tkazgichni  eritgandan  so'ng  suyulmani  sovitish  amalga  oshiriladi. 
Yarim o'tqazgichning  suyulma  bilan  to'yinishi  natijasida  qattiq  fazada 
kristallanish  yuz  beradi.  Yarim o'tqazgichning  suyulmada  kristallanishi 
jarayoniga  qayta  kristallanish  (rekristallanish)  deyiladi,  chunki  uning 
o'tirishi 
qattiq  taglikning 
suyulgan 
qismida 
ro'y  beradi. 
Sovish 
boshlanguncha  qattiq  va  suyuq  faza  chegarasida  yarim o'tkazgichning  turli 
sohalari  turlicha  legirlangan  bo'lib  kontakt  hosil  qiladi  (III.17-rasm ).
198

Agar,  eritilayotgan  metall  akseptor 
kirishma 
b o ‘lsa, 
suyulma 
bilan 
yarim o'tkazgich  oralig'ida  p -turdagi 
qatlam 
hosil 
bo‘ladi. 
Natijada, 
taglik 
yarim o‘tkazgich 
plastinka 
o ‘tqazuvchanligi  я -tur  boMsa,  p-n 
o ‘tish  hosil  bo ‘ladi.  Unda  kirishma 
taqsimoti 
pog‘onalikka 
yaqin 
b o
4
ladi.  Odatda  yarim o'tkazgich  tag­
lik  plastinkada  kirishma  konsen­
tratsiyasi  yetarli  darajada  kam  (
10
14—
 
1016
  sm-3),  rekristallangan  qatlamda 
etarli  katta  va 
1018
-
10
2°  sm
-3
  ni  tashkil  qiladi.
Suyultirish 
jarayonining 
natijalari 
p-n 
o ‘tishning 
geometrik 
o'lcham lari,  suyulishning  chuqurligi  va  frontining  shakli,  ham da  p-n 
o'tishning  maydoni  bilan  xarakterlanadi.  Elektrod  m aterialning  suyulish 
chuqurligini  x  deb  belgilansa,  u  yarim o'tkazgich  sirtidan  qattiq  va  suyuq 
faza 
chegarasigacha 
b o ‘lgan 
masofadir. 
(III. 17-rasm). 
U 
yarim o'tkazgichning  suyulgan  miqdoriga,  elektrod  qotishma  xiliga  va 
suyultirish  vaqtiga  bog‘liq:
S  
r]
X   — -------
(ШЛО)
1
  -   s ,„  
'
bu  yerda 
6
^ -m a ssa  birligida  metallda  yarim o'tkazgichning  eruvchanligi; 
dm  va  dya  —  metall  va  yarimo4kazgich  zichligi;  //-elektrod  material 
diskining  qalinligi.
III.18-rasm.
  K r istall   t u z i l m a   b u z i l g a n  
Ul.l9-rasm.
 
Y a r i m o ' t k a z g i c h  
s ir tid a  
j o y d a  
e le k t ro d  
m a t e r i a l d a n  
y a r i m -  
t o 1 a   h o l l a n m a s l i k   o q i b a t i d a   « k a llik »  
o 4 k a z g i c h n i n g   m a h a l li y   s u y u l i s h i  
h o s j]  b o ' l i s h i
p-n-o'tish
III-17 rasm.
  Q o t i s h m a l i   u s u l d a  
p-n 
o ‘tis h  ho si l  b o ‘lishi.
199

Qotishmali 
p-n 
o iish n i 
olishda 
ahamiyatli 
geometrik 
tavsifnomalardan  biri  suyulish  frontining  shakli  b o iib   u  yassi  tekis 
b o iish i  kerak.  Ideal  yassilikdan  chetlanish  p-n  o ‘tishning  effektiv 
maydonning 
qisqarishiga, 
baza 
qalinligi 
notekisligiga 
va 
boshqa 
hodisalarga  olib  keladi.  Kassetali  suyultirish  usuli  yassi  front li  suyultirish 
olishga  imkon  beradi.  p-n  o iish n in g   maydoni  elektrod  materiali 
tayyorlanishiga,  suyultirish  tem peraturasiga  va  qizdirish  rejimiga  bogiiq. 
Suyultirish  frontining  notekisligi, 
kristall  sirtining  turli  qismlarida 
suyulish  tezligi  bir  xil  boim asligidan  kelib  chiqadi.  Bunga  bir  qancha 
sabablar  b o iish i  mumkin. 
Suyulish  jarayonida  faollash  energiyasi 
kamayishiga  b o g iiq   b o ig an   sirtdagi  turli  nuqsonlar  va  uning  turlari 
(dislokatsiya,  chizilishlar,  kichik  yoriqlar)  b o iad i.  Shuning  uchun  bu 
buzilishlar  elektrod  materialining  oqishiga  to ‘sqinlik  qiladi  va  bu 
sohalarda  yarim oikazgichning  mahalliy  suyulishiga  olib  keladi.
Qotishma 
material 
sirtining 
yetarli 
toza 
boim asligi 
va 
yarim oikazgich  sirtidagi  qoldiq  oksidning  b o iish i  suyulmagan  qismlar 
(«kalliklar»)  paydo  boiishiga  olib  keladi  (III. 19-rasm).  Bu  qismlar  p-n 
o iish n in g   omik  qarshiligi  bilan  shuntlanib  qolishi  qo ‘shim cha  teskari  tok 
hosil  boiishiga  olib  keladi.
11.4.  Elektrod  materiallarga  talablar
Elektrod  materiallarni  ikkita  guruhga  b o iis h   m umkin.  Birinchi 
guruhga  p-n  o iish n i  olish  m um kin  b o ig a n   qotishm alar  b o iib ,  ularni 
elektrod  qotishm alar  deyiladi.  Ikkinchi  guruhga  om ik  kontaktlar  olish 
m um kin  b o ig a n   qotishm alar  kiradi. 
Qotshim ali  p-n  o ‘tishlarning 
xossalari  ko‘proq  eritilayotgan  metall  va  qotishm alarning  xossalari  bilan 
aniqlanadi.  Shuning  uchun  ularga  bir  qancha  talablar  q o ‘yiladi.
1
) 
elektrod  material  yarim oikazgichning  m a’lum  qismida  hosil 
qiladigan  oiqazuvchanlik  turi,  yarim oikazgich  taglik  oiqazuvchanligi
turiga  qaram a-qarshi  boiish i  kerak;
200

2
) 
agar  elektrod  material  sifatida  qotishma  q ollanilsa,  unda  suyuq 
fazada  qotishma  tarkiblovchi  bir-birida  t o i a   suyulishi  kerak;
3) 
kristallangan 
qatlam 
yuqori 
elektr  olqazuvchanlikka 
ega 
bolishini 
ta ’minlash 
uchun 
legirlovchi 
elem entning 
qattiq 
yarim olkazgichda  taqsimot  koeffitsienti  va  eruvchanlik  yuqori  b o iish i 
shart;
4) 
yetarli  past  tem peraturalarda  elektrod  material  yarim olkazgich 
sirtini  yaxshi  hoilashi  kerak;
5) 
u  tem peratura  yarim olkazgichning  suyulish  temperaturasiga 
nisbatan  m um kin  qadar  past  b o iish i  kerak,  chunki  yuqori  tem peraturada 
suyultirish  yarim olkazgichda  asosiy  b olm ag an   zaryad  tashuvchilarning 
yashash  vaqtini  kamaytiradi;
6
) 
elektrod  materialda  yarim olkazgich  elektrofizik  xossalarini 
yomonlashtiruvchi  tez  diffuziyalanuvchi  kirishmalar bolm asligi  kerak;
7) 
elektrod  materialning  suyultirish  tem peraturasida  bu glan ish  
bosimi  kichik  b o iish i  kerak,  aks  holda  vakuumda  materialning  intensiv 
buglanishi  kuzatiladi;
8
) 
u  yuqori  olqazuvchanli  va  issiq  olqazuvchanli  b o iish i  kerak, 
bu  esa,  p-n  o ‘tishning  to'gri  yo‘nalishida  yo‘qotishlarni  kamaytiradi  va 
issiqlikni  olib  ketishini  yaxshilaydi;
9
) 
elektrod  material  p-n  o lis h   olingandan  keyin,  diodni  olishning 
keyingi  jarayonlarida  ham,  ya’ni  barcha  tem peraturalarda  ham   qattiq 
qolishi  kerak;
10
)  elektrod  material  yuqori  mexanik  xossaga  ega  bo iish i  kerak,  u 
barcha  amaliy  ish  tem peraturalariga  va  talab  darajasidagi  m exanik 
yuklamaga  chidamli  b o iish i  kerak.
201

11.5.  Qotishmali  tuzilmalarning  sifatini  nazorat  qilish
Ko‘ndalang  jilo  (shlif)  tayyorlash. 
Qotishm ali  yarimo'tkazgichli 
tuzilm alar  to ‘g‘risida  qimmatli  m a’lum otlarni,  elektr  va  elektrofizik 
o lch ash lard an   tashqari,  tavsiflaridagi  og‘ish  sabablarini  jilo  olish  yo‘li 
bilan  aniqlanadi. 
K o‘ndalang  jilo  tayyorlashning  asosiy  bosqichlari  p-n 
o ‘tishli  kristallni  plastmassaga  jips  yopishtirish,  p-n  o ‘tish  tekisligiga  tik 
jilolash,  olingan  kesimni  silliqlash  va  tanlovchan  yedirishdan  iborat. 
Tashqi  nuqsonlarni  aniqlash  uchun  kristallni  mikroskop  ostida  diqqat 
bilan  kuzatiladi.  Kristall  jilosini  aniqroq  ko‘rish  uchun  30  sm
3
  HNO
3
,  10 
sm
3
  HF va  120  sm
3
  CH
3
COOH   eritm alar  yordamida  kuchsiz  yediriladi. 
Kimyoviy  ishlovdan  so‘ng  jiloda  p-n  o'tishning  chegaralari  ochiladi. 
Bunda  esa,  suyulish  chuqurligi  va  rekristallangan  soha  kengligi,  ham da 
suyulish  fronti  tekisligi  kuzatiladi.
Nazorat savollari
1.  Q a n d a y  
p-n
  o ‘tis h   q o t is h m a l i   de y ila d i?
2.  Q a y t a   k r is ta lla n g a n   q a t l a m   q a n d a y   hosil  b o i a d i ?
3.  E l e k t r o d   q o t i s h m a l a r g a   q a n d a y   t a l a b la r   q o ‘yilg an?
4.  K r e m n iy l i  
p-n
 
o kt is h la r d a  
m e x a n i k  
k u c h l a n i s h l a r n i  
p a y d o  
b o l i s h  
s a b a b la r in i  ayting.
5.  Q o t i s h m a l i   t u z i l m a l a r n i   sifati  q a n d a y   n a z o r a t   q ilin a d i?
202