Va yarimotkazgichli asboblar texnologiyasi

Rentgenografik 
usul 
kristall 
tekisliklaridan 
qaytgan 
rentgen 
nurlarining  sochilish  intensivligini  har  bir  tekislikdagi  atom lar  joylashish 
zichligiga  bogsliqligiga  asoslangan.  Ancha  yuqori  zichlikga  ega  b o ‘lgan 
( 111)  tekislik  uchun  sochilish  intensivligi  boshqalarga  nisbatan  yuqori 
bo4adi.  Shu  bilan  birga  har  bir  m odda  uchun  xarakteristik  rentgen 
nurlari  kristallografik tekislikka  mos  aniq  burchak  ostida  qaytadi.
165

III. 1-jadval
Modda
Tekisliklar  uchun  sochilish  burchaklari
(111)
(110)
(100)
Germ aniy  (G e)
17°14'
28°56'
43°10
Kremniy  (Si)
17°56’
30°12'
45°23’
Y arim o4tkazgich 
quyma 
monokristallini 
rentgenografik 
usulda  yo'naltirish 
III. 1- 
rasmda 
ko'rsatilgan.
Quym ani 
yo4 naltirishdan 
oldin  uni  uchi  quyma  o 4qiga  tik 
holda 
kesilib, 
kesim 
(yoq) 
tekislanadi. 
Shu 
tekislangan 
yoqni  nurlanish  oqimiga  qaratib 
kristall 
stolchaga 
o ‘rnatiladi. 
Stolchaga 
o £rnatilgan 
quyma 
yo‘nalganligini 
boshqarish
imkoniyati  b o iib ,  unga  rentgen  nurlari  oqimi  у   burchak  ostida 
yo'naltiriladi.  Tushuvchi  nur  tekisligidan  qaytuvchi  nurni  kuzatish  uchun
2 у   burchak  ostida  qabul  qilgich  (3)  o 4rnatiladi.  Stolcha  quyma  bilan 
birgalikda  vertikal  o 4qqa  nisbatan  og‘dirib  qabul  qilgichga  qaytgan  nur 
eng  katta  ravshanlikka  ega  b oiishiga  erishiladi.  Shundan  so4ng,  quymani 
stolchaga  shu  yo'nalishda  m ahkam lanadi  va  o 4z  o 4qi  atrofida  180° 
aylantirilib,  yana  eng  katta  ravshanlikka  erishiladi.  Shunda  (111)  tekislik 
aniqlangan  b o iad i.  Quymalarni  yocnaltirishining  bu  usuli  aniqligi
±(3+5) 
b o iib ,  aniqlash  uchun  15-30  m inutgacha  vaqt  sarflanadi.
Optik  usulda 
quyma  m onokristallning  kristallografik  tekisliklari  (111), 
( 100)  va  ( 110)  ni  aniqlash  uchun,  quyma  uchi  tanlovchan  yedirgichlar 
yordamida  yediriladi  va  uch  sirtlarida  kristallografik  tuzilish  qirralari 
yuzaga  chiqariladi.  Bu  qirralarni  yuzaga  cliiqarish  asosiy  kristallografik 
tekisliklarga  mos  kelib,  quyma  sirti  tekisligiga  nisbatan  ular  turli  og4gan 
burchaklarda  bir-biridan  farq  qiladi.
Agar  yedirilgan  quyma  uchi  sirtiga  yorugiik  nuri  tushirilsa,  bu  sirtdan 
nurning  qaytgan  burchagi  kattaligiga  qarab  sirtdan  qaytgan  nurning 
shakliga  qarab,  quyma  yo'nalganligi  to ‘g4risida  xulosa  chiqariladi. 
C huqur  qirralardan  qaytgan  nurni  ekranga  tushirilsa,  u  holda  ekranda 
o 4ziga  xos  soyalar  (shakllar)  hosil  b o iad i.  Bu  figuralar  ko4rinishi 
III.2- 
rasmda  ko4rsatilgan.
usuli  sxemasi:
7-rentgen  nay, 2-quyma,  J-nur qabul  qilgich, 
^-qaytgan nur,  5-tushuvchi  nur
166

(Ill) 
(100) 
(110)
UI.2-rasm.
  Quyma  monokristallarda  yo‘nalishlarning  ko‘rinishi.
Quymaning  geom etrik  tekisligini  o'zgartirsak,  u  holda  ko'rilayotgan 
kristallografik  tekislikdagi  qaytgan  nur  hosil  qilgan  soya  shakli  o'zgaradi. 
Shakl  m a’lum  burchakka  siljiydi  va  ko'rinishi  buziladi.  Optik  usulda 
yo'nalganlik  aniqligi  yedirgich  sifatiga  b o g iiq   bo'lib,  hozirgi  kunda  u 
kremniy  uchun  ±  3',  germaniy  uchun  esa  ±  15*  ga  yetkazilgan. 
Yo'nalganlik  aniqligini  lazerdan  foydalanib  oshirish  m umkin.  Optik 
usuhring  rentgenografik  usulga  nisbatan  afzalligi  shundan  iboratki, 
qurilma  sodda,  tezkor  va  xavfsiz.
9.4.  Quyma  monokristallarni  plastinka  va  kristallarga  kesish 
usullari
Yarimo'tkazgichli 
asboblarni 
tayyorlash 
texnologiyasida 
yarim o'tkazgich 
quymalarni 
plastinkalarga 
kesishning 
bir 
qancha 
usullaridan  foydalaniladi:
1)  Qirrasi  tashqi  yoki  ichki  olmosli  diskda  kesish;
2)  Abraziv  suspenziya  yordamida  po'lat  tasm a  yoki  ingichka  simda 
kesish.
Plastinkalarni  kristallarga  kesishda  esa  1)  ultratovush;  2)  ingichka 
sim,  3)  olmos  kesgich  va  boshqa  usullardan  foydalaniladi.
Turli  usullarni  solishtirish  uchun  bir  qancha  m ezonlar  mavjud  bo'lib, 
ularga:  unumdorligi  (kesish  tezligi);  mexanik  buzilgan  qatlam  chuqurligi; 
foydali  materialning  chiqishi;  yarim o'tkazgich  material  chiqindisidan 
qayta  foydalanish;  turli  ko'rinishdagi  kristallarni  tayyorlash  kabilar  kiradi.
Yuqoridagi  usullarni  ketm a-ket  ko'rib  chiqamiz.
1. 
Olmosli  diskda  kesish  maxsus  qurilm alar  yordam ida  amalga 
oshiriladi.  Bu  usul  keng  tarqalgan.  Olmosli  disk  yupqa  po'lat  disk  bo'lib, 
tashqi  yoki  ichki  cheti  o'lcham lari  20-40  mkm  li  donador  olmos  bilan 
singdirilgan.
167

Tashqi 
qirrali 
qirquvchi 
diskni 
diam etri  50  m m,  qalinligi  0,1-0,2  mm. 
Bunday  disklar  yordamida  diam etri  10 
m m   li  quymalarni  kesish  m um kin  (III.3, 
a-rasm   ).
Ichki  keskich  olmos  qirrali  diskning 
ichki  diam etri  50-60  mm   va  tashqi 
diam etri  100-150  mm   b o ‘lib,  qalinligi 
0,1-0,15 
mm. 
Bu 
disklar 
maxsus 
qurilmaga  m ahkam lanadi  va  unda  tepkili 
tebranishlar  b o ‘lmaydi. 
Kesish 
katta 
aylanishda  (8000-12000  ayl/min  )  olib 
boriladi.  Diskning  bunday  katta  burchak 
ostida  aylanishida  kesishning  chiziqiy 
tezligi 
20 
m/s  ga  yetishi  mum kin. 
Kesilayotgan joyni  suv  bilan  sovitiladi.  Plastinkalar  qalinligi  b o ‘yicha  bir- 
biridan  farq  ±  0,03  mm  dan  oshmasligi  kerak.  Bu  usulda  kesilish  kengligi 
disk  qalinligidan  2,  5-3  m arta  katta,  shuning  uchun  material  chiqindisi 
40-45%  ni  tashkil  qiladi.
Ichki  keskich  olmos  qirrali  diskda  kesishning  bir  qancha  afzalliklari 
bor.  U  unum dor  va  chiqindi  kam.  Usulning  kamchiliklari:  mexanik 
buzilgan  qatlam ning  qalinligi,  qurilm aning  murakkabligi  va  uni  sozlash 
qiyinligi  va  boshqalar.
2. 
Abraziv  suspenziya  (mayda  donador  qattiq  m aterial  +  suv) 
yordamida  p o ia t  tasm ada  quym alarni  kesish  sanoatda  olmosli  keskichlar 
chiqm asdan  oldin  qo‘llanila  boshlagan.  Qalinligi  0,05-0,1  mm  va  kengligi 
5-H0  mm  p o ‘lat  tasm alar  maxsus  po ‘latlarni  qayta  term ik  ishlov  berish 
natijasida  olinadi.  Tasm alar  maxsus  kassetaga  tartib  bilan  joylashtiriladi. 
Tasmalarni  kesish  jarayonida  egrilanishidan  saqlash  maqsadida,  ular 
ancha  qattiq  tarang  tortib  m ahkam langan  b o ‘ladi.  Qurilmaga  o ‘rnatilgan 
kasseta  quyma  bilan  tutashtiriladi  va  ilgarilanm a-qaytma  harakatga 
keltiriladi.  Kesish  zonasiga  uzluksiz  ravishda  abraziv  suspenziya  quyilib 
turadi.
Tasmaning  quymaga  solishtirma  bosimi  (7-^9)-103  N /m 2.  Kesish 
tezligi  10-15  mm/soat
Usulning  asosiy  afzalligi:  kesishning  kichik  kenglikda  b o ‘lishidir. 
Kesilishning  sifati  tasmaning  harakat  tezligi,  tasmaga  b o ‘lgan  bosim,
I I 1.3-rasm.  Tashqi  (a)  va  ichki 
(b)  olmosli  disklar  yordamida 
quymani kesish sxemasi:
/-olmos qirrali disk; 2-po4at 
disk;  3-mahkamlovchi tirqish; 
-/-quymani mahkamlovchi 
plastinka;  5-quyma
168

abrazivning  donadorlik  o ic h a m i  va 
qattiqligi, 
abraziv 
suspenziya 
konsentratsiyasi,  ishlov  berilayotgan 
material  xususiyatiga  bogiiq.  M a­
salan,  kremniyning  kesilishi  germa- 
niyga  qaraganda 
2
  m arta  kam.
Kamchiligi: 
qurilmaning 
murak- 
kabligi  va  tasm ani  xizmat  vaqtini 
kichikligidir.
Abraziv  suspenziya  bilan  simda 
quymani  kesish  usuli  xuddi  tasma 
bilan  kesish  usuliga  o ‘xshab  ketadi.
Farq:  tasm a  o ‘rniga  ingichka  sim 
qoilaniladi.
Sim 
volfram 
yoki 
volfram -m olibden 
(50%W 
+ 
50% 
Mo) 
qotishm adan  tayyorlanadi,  uning  diam etri  0,1-0,15  mm  (III.5-rasm ).
C hulg‘am  simlar  o ‘ralgan  g‘altak  quymaga  qo ‘yiladi  va  u  ilgarlanma- 
qaytm a  harakati  tufayli  kesishni  amalga  oshiradi.  Bir  vaqtning  o ‘zida 
kesuvchi  simlar  soni  25-40  ta  b o iad i.
Sim  bilan  kesish  usuli  afzalligi  -  kesilish  kengligining  yuqoridagi 
usullardan  yana  ham   kichik  va  yuqori  unum dorli  boiishligidir.
Katta 
chuqurlikda  kesish  imkoniyati 
yo‘qligi 
usulning  asosiy 
kamchiligidir.  Shuning  uchun  bu  usul  asosan  plastinkani  kristallarga 
kesishda  qoilaniladi.  D iam etri  30-40  mm   li  plastinkalarni  0,1  mm   li 
simlarda  10-15  m in  da  kesish  mumkin.
Ill.5-rasm.
 
Abraziv  suspenziya bilan 
simda quymani  kesish sxemasi:
7-uzatuvchi g'altak;
2-qabul qiluvchi g'altak;
3-sim ;
¥-rama;
5-g'altak-kasseta;
6-tartib bilan o'ralgan sim chulg'amlari;
7-posongi;
5-plastinkani  qisish  uchun richag; 
9-mahkamlanuvchi  plita;
/(?-shisha plastinka;
//-yarimo'tkazgich plastinka
IIL4-rasm.
 
Abraziv  suspenziyali  tasma 
yordamida 
quymani 
plastinkalarga 
kesish sxemasi:
7-kasseta asosi;  2-ajratuvchi  qistirma; 
3- 
tasma;  4-quyma;  5-quymani  mahkamlash 
uchun taglik.
169

a) 
b) 
d)
III.6-rasm. 
Skraybirlash  (
a
),  plastinkani  sindirish  (
b
),  kristall 
(d) 
olish  sxemasi.
Q uym alarni  kesishda  p o 'la t  taglikka  epoksid  k o m paund  yoki  abraziv 
q o 'sh ilg an   yelim  bilan  m ah k a m lan a d i,  plastinkalar  esa  shellak,  pitsein, 
sm ola  va  b oshqalar  bilan  yopishtiriladi.
Skraybirlab  chegara  chizish  usuli  san o atd a  plastinkalarni  kristallarga 
kesishda  keng  q o'llaniladi.  Skraybirlash  (inglizcha  so 'zd an   olinib,  scribe- 
tirn am o q ,  tirn ab   c h izm o q   m a ’nosini  anglatadi)  asosida  u ch   yoki  to 'r t 
qirrali  p iram id a  k o 'rinishidagi  olm os  keskich  bilan  plastinkada  paralel 
chizilgan  kichik  ariq ch alar  hosil  qilinadi.  U lar  qoldirgan  izlar  b o 'y ic h a  
kvadrat  yoki  to 'g 'ri  burchakli  kristallar  sindirib  hosil  qilish  m u m k in  
(III.6 -ra sm ).
Skraybirlash  usuli  yuqori  u n u m d o rli  va  kesilgan  chiziqning  kengligi 
kichik,  y a ’ni  m aterial  isrofi  ju d a   oz,  shu  afzalliklari  bilan  u  boshqa 
u sullardan  ajralib  turadi.  Shu  bilan  birga,  skraybirlash  sifati  plastinkalar
qalinligiga, 
kesuvchi 
olm os 
shakliga 
va 
kristall ografi к 
yo 'n alish  
b o 'y ic h a  
kesilishiga 
bog'liq.
Skraybirlash  m axsus  yarim - 
avtom at 
dastgohlarda 
am alga 
oshiriladi.  Q urilm a  qadam li  h a- 
rakatlangich  bilan  t a ’m inlangan 
b o 'lib ,  kesishni  0,01  m m   oraliq- 
da  0,01  m m   d an  to   9,99  m m  
gacha 
skraybirlashni 
am alga 
oshiradi.  Skraybirlash  tezligi  2-3 
m /m in.
Skraybirlashdan  so 'n g   plas­
tinkalarni  sindirish  turli  usu l­
larda  olib  borilishi  m um kin.  Bu-
170
cS>
III. 7-rasm.  Ultratovushli kesish 
qurilmasining tuzilishi:
/-yarimo4tkazgich plastinka, 
2-abraziv 
suspenziya berish  mexanizmi,  5-konsentrator,

larga  yumshoq  taglikda  valikni  yurgizish;  elastik  m em brana  yordam ida  va 
boshqalar  kiradi. 
Yumshoq  taglikda  plastinkalarni  sindirish 
quyidagicha 
olib  boriladi.  Skraybirlangan  plastinka  yum shoq  taglik  sirtiga  q o ‘yilib, 
chiziq  tortilgan  tom oni  orqasidan  kuch  q o ‘yiladi. 
Kuchlar  bilan 
plastinkani  ikki  chekkasidan  ketm a-ket  bosib  boriladi.
Ultratovushli  abraziv  ishlov  berish 
turli 
geom etrik 
shakldagi 
kristallarni  kesish  uchun  sanoatda  keng  q o ‘llaniladi.  U ndan  tashqari,  bu 
usul  yordamida  plastinka  va  kristallarni  tekislash  mumkin.  Qurilm aning 
ishlashi  III.7-rasm da  ko‘rsatilgan.  Ultratovush  generatordan  4  vibratorga 
beriladi.  N atijada  magnitostriksion  effekt  tufayli  3  konsentrator  10  mkm 
am plituda  bilan  tebranadi. 
K onsentrator  uchiga  kesuvchi  uskuna 
m ahkam langan  b o ia d i.  U skuna  7  yarim o^kazgich  plastinka  bilan 
kontaktda  boiganligi  uchun  unga  uzluksiz  abraziv  suspenziya 
2
  quyilib 
turadi  va  tebranishlar  natijasida  plastinka  kesiladi.
U ncha  katta  b o ‘lmagan  1-1,  5  m m   chuqurlikda  sirtga  ishlov  berish 
natijasida  uskuna  bilan  yonlab  kesishida  kristallning  to ‘g‘ri  burchakli 
to ‘rtburchak,  kvadrat  va  boshqa  ko‘rinishlarini  hosil  qilish  mumkin. 
Ultratovush  bilan  ishlov  berish  natijasida  erishilgan  plastinka  sirtining 
sifati 
abrazivning 
donadorlik 
o'lcham i 
va 
uskunaning 
tebranish 
amplitudasiga  bog‘liq.
Ultratovush  bilan  ishlov  berish  usuli  unum dorligi  bir  qancha 
omillarga 
(generator  quvvati  va  takroriyligiga, 
vibratorning 
f.i.k, 
konsentratorning 
transformatsiya 
koeffitsientiga, 
suspenziyaga 
va 
yarim o4tkazgich  materialning  mexanik  tavsifnomalariga)  bog‘liq.
9.5.  Plastinkalarni  tekislash  va  silliqlash
Yarim o‘tkazgichli 
asboblar, 
ayniqsa 
integral 
mikrosxemalar  tayyorlash  texnologiyasida  tekislash 
va  silliqlash  amallari  katta  ahamiyatga  ega.  Bu 
am allar  plastinkalarda  mexanik  buzilgan  qatlam   va 
notekisliklarni 
olib  tashlash, 
kerakli 
qalinlikka 
keltirish, 
plastinkalarning 
yassi 
parallelligini 
yaxshilash,  sirt  tozaligini  talab  darajasidagi  sinfda 
olish  uchun bajariladi.
Yarimo'tkazgich 
plastinkalarni 
tekislash 
va 
silliqlash. 
uchun 
turli 
abraziv 
m ateriallardan 
foydalaniladi.
111.8-rasm. 
Tekis- 
lovchi 
dastgohning 
kinematik sxemasi: 
7-planshayba,
2-tekislagich,
3-rostlagich.
171

1119-rasm.  Tekislashda 
yarimo‘kazgich  plas­
tinkalar joy lashishi: 
7-yuk; 
2-planshayba; 
3-yarimo‘kazgich  plas­
tinkalar;  4-abraziv  sus­
penziya;  5-tekislagich.
Y arim o‘tkazgich  plastinkalarni  tekislashda 
tekislovchi  qattiq  disk  (cho‘yan,  p o ia t,  jez, 
shisha 
va 
boshqa 
m ateriallar) 
va 
abraziv 
m ikrokukunlar  (donadorligi  o ich am lari  5+220 
mkm)  dan  foydalaniladi.  Abraziv  mikrokukun 
materiallarga  olmos,  kremniy  karbidi  SiC,  bor 
karbidi  B
4
C,  korund 
01
-AI
2
O
3
  va  boshqalar 
kiradi. 
Tekislash 
natijasida 
sirt 
tozaligi 
V 9+ V 
12
 
sinflarga  to ‘g‘ri  keladi.
Tekislash jarayoni  texnologik  belgisiga  qarab, 
old  va  oxirgi;  konstruktiv  belgisiga  qarab,  bir 
tom onlam a 
va 
ikki 
tom onlam aga; 
foydalaniladigan  m ateriallar  turiga  qarab,  erkin 
va  bogiangan  abrazivli  sillqlash  jarayonlariga  b o iin ad i.  Old  va  oxirgi 
ishlov  berishlar  ikkita jarayondan  iborat  b o iib ,  ular  maqsadlari,  rejimi  va 
qoilaniladigan  materiallari  bilan  farqlanadi.  Old  tekislashning  maqsadi 
plastinkalar  sirt  tekisligini  tez  ravon  qilish,  iflosliklarni  kyetkazishdan 
iborat.
Jarayonni  o iq azish   rejimida  tekislagichning  aylanish  takroriyligi 
yuqori  b o ia d i  va  plastinka  sirtiga  abraziv  qum   bosim  berib  turiladi.  Old 
tekislash  uchun  M14  va  M10  abraziv  qum dan  foydalaniladi.  Oxirgi 
tekislash  ancha  yum shoq  rejimda  o ‘tkaziladi,  bunda  M7  va  M5  abraziv 
qum laridan  foydalaniladi.  Oxirgi  tekislashning  asosiy  maqsadi  plastinka 
sirtiga  yaxshiroq  ishlov  berish  va  uning  geom etrik  param etrlarini  yanada 
sifatli  qilishdir.
Y arim o‘tkazgich  plastinkalarini  bir  va  ikki  tom onlam a  aniqlash 
qonuniyati  bir  xil,  farqi  tekislovchi  qurilmalarning  konstruktiv  tuzilishiga 
b o g iiq ,  xolos.  Bir  tom onlam a  silliqlashda  yarim oikazgich  plastinkalar 
maxsus  taglikka  yopishtiriladi.  Shundan  so‘ng  plastinka  sirtiga  aylanuvchi 
silliqlovchi  m oslama  tegiziladi.  Silliqlash  zonasiga  suvga  aralashtirilgan 
abraziv  suspenziya  berib  turiladi.
1
11
.
8
-rasm da  tekislovchi  qurilm aning  kinem atik  sxemasi  berilgan.
111.
9
-rasm da 
tekislash  jarayonida 
yarim oikazgichli 
plastinkalar 
joylashishi  ko‘rsatilgan.
172

Silliqlash. 
Plastinkalarni  silliqlash  3  dan  0,25  mkm  abraziv  yo g ii 
pastalar  singdirilgan  yumshoq  tagliklar  (fetr,  velyur  yoki  batist  matolari) 
yordamida  amalga  oshiriladi.  Bunday  plastinkalarning  sirt  tozaligi 
V14 
va  undan  yuqori  sinflarga  to ‘g‘ri  keladi.  Yarimo'tkazgichli  plastinkalarni 
silliqlashda  olmos  qum lar  va  qum  pasta,  kubik  bor  nitridi,  alyuminiy 
oksidi, 
seriy 
oksidlari, 
xrom 
va 
kremniy 
asosidagi 
pastalardan 
foydalaniladi.  Silliqlash  uchun  olmosni  q o ilash   ham m a  vaqt  ham   yaxshi 
natijalar  bermaydi,  chunki  sirt da  m ikroskopik  shakl  —  olmos  d o g i 
qoladi.  Yumshoq  abrazivlardan,  m asalan,  xrom,  sirkoniy  yoki  kremniy 
oksididan  foydalanish  unum dorlikni  kamaytirsada,  biroq  yuqori  sinf 
tozaligidagi  sirtni  olish  im konini  beradi.
9.6.  Mexanik  ishlovdan  so‘ng  plastinkalar  va  kristallar 
sifatini  nazorat  qilish
M exanik  ishlovdan  so'ng  plastinkalar  va  kristallar  sifatini  baholash 
quyidagi 
asosiy 
meyorlar 
bilan 
aniqlanadi: 
geometrik 
shaklning 
takomilligi  (noparallelik,  plastinkalar  egilish  darajasi);  mexanik  buzilgan 
qatlam  qalinligi,  sirt  g'adir-budurligi;  ruxsat  etilgan  chegaradagi  qalin- 
likka  mosligi.
Plastinkalardagi  asosiy  nuqsonlar ko'rinishi  111.10-rasmda  ko'rsatilgan.
Plastinka  sirt  tekisligi  ogishi 
8
h  —  bu  haqiqiy  sirt  nuqtasidan 
o'tkazilgan  to 'g 'ri  chiziq  yoki  tekislikkacha  b o ig a n   eng  katta  masofa 
(III. 10,  b,  d-rasm).  Plastinkalarning  egriligi /
—  radial  kesimda  haqiqiy  shakl  nuqtasidan
sirtda  yotuvchi  to 'g 'ri  chiziqgacha  b o ig a n  
i
b)
masofa  (Ill.lO -rasm ,  e). 
Plastinkalarning 
egrilanishi  qoldiq  mexanik  kuchlanishlar 
d) 
farqidan  va  bir  tom onlam a  ishlov  berish 
natijasida  paydo  b o iish i  mumkin. 
e)
Plastinkalar  va  kristallar  nuqsonlarini 
nazorat  qilish  amallarni  bajarish  oralig id a  va 
Ill.lO-rasm.  Plastinkalardagi 
asbobning  oxirgi  ishlovidan  so'ng  qilinadi. 
asosiy 
nuqsonlar 
ko‘ri- 
M exanik  ishlovlarning  oxirida  sirtda  buzi- 
nishlari.
1 * 
^
1
4
с т . .   |. ..'^ rd *
173

lishlar  hosil  bo'lm asligi  u ch u n   kontaktsiz  optik  yoki  fotoelektrik  usullarda 
n uqsonlar 
nazorat 
qilinadi. 
M exanik 
buzilgan 
qatlam  
qalinligi 
rentgenografik  yoki  elektronografik  usulda  yupqa  qatlam ini  k etm a-k et 
elektrokim yoviy  usulda  olish  bilan  m onokristall  u ch u n   to 'g ^ i  keladigan 
rentgenogram m a  (elektronogram m a)  olgungacha  aniqlanadi.
13- 14-sinf 
tozaligidagi 
sirtlar 
interferension 
usulda 
L innik 
m ikroskoplari  yordam ida  nazorat  qilinishi  m um kin.
Nazorat savollari
1.  Monokristallarni  kesishning  qanday  usullari  bor?  Har  bir  usulning  afzalligi 
va  kamchiliklarini  ayting.
2.  Ultratovush  kesish  m exanizm i  qanaqa?
3.  Plastinkalarni  tekislash  nega  kerak?  Silliqlash-  chi?
4.  Sirt  sifatini  nazorat  qilishning  qaysi  usullarini  bilasiz?
5.  Kremniy  plastinkalarga  qanday  talablar  q o ‘yiladi?
6 .  Abraziv  materiallar  nima  va  abraziv  ishlov  nimadan  iborat?
174

Ю-ВОВ.  YARIMOTKAZGICH  PLASTINKALAR  VA 
KRISTALLARGA  KIMYOVIY 
VA  ELEKTROKIMYOVTY  ISHLOV  BERISH
10.1.  Umumiy  ma’lumotlar
Y arim o'tkazgichli  asboblar  ishlab  chiqarishda  kim yoviy  jaray o n lar 
n am u n alarn i  kristallografik  y o 'n altirish d an   boshlab  to   tayyor  asbobning 
korpusi  zanglashiga  qarshi  q o plam a  o 'tq a zish g ac h a  deyarli  barcha 
texnologik  bosqichlarda  q o'llaniladi.
Kim yoviy  ishlov  asbobning  turi  va  texnologik  jaray o n n in g   borishiga 
qarab  turli  usullar  bilan  bajariladi.  K im yoviy  ishlov  m exanik  ishlovdan 
so ‘ng  am alga  oshiriladi.  U ning  natijasida  y a rim o ‘tkazgichning  m exanik 
ishlovda  buzilgan  qatlam i  kyetkaziladi  va  sirt  tozaligiga  erishiladi.  B a’zi 
hollarda  kim yoviy  yoki  elektrokim yoviy  ishlov  plastinkalar  sirtida  turli 
geom etrik  relyef (andozalar)  olish  u c h u n   ham   q o ‘llaniladi.
K im yoviy  qayta  ishlovlarni  bajarish  va  tugatish  diqqat  bilan  nazorat 
qilinadi.  Ayniqsa,  asosiy  diqqat  kim yoviy  reaktivlarga  berilishi  kerak, 
u larning  tozaligi  yarim o'tkazgich  m ateriallarning  tozalik  sinfidan  kichik 
b o clmasligi  zarur.
Kim yoviy  va  elektrokim yoviy  ishlovni 
q o ‘llash  bilan  quyidagi 
vazifalarni  bajariladi.
1)  Sirtni  tozalash  va  tu rg ‘unlashtirish;
2)  Sirtni  shakllantirish;
3) Y arim o'tkazgich  m aterial  yoki  p-n  o ‘tish  sifatini  nazorat  qilish;
4) Y arim o ‘tkazgich  sirtiga  tu rg 'u n lo v ch i,  him oyalovchi  yoki  kontakt 
hosil  qiluvchi  qoplam alar  o 'tq azish ;
B irinchi  guruhga  y a rim o ‘tkazgich  sirtini  oksid  pardalar  va  turli 
xildagi 
chetki 
iflosliklardan 
tozalash; 
m exanik  buzilgan 
qatlam ni 
kyetkazish;  sirtni  tu rg ‘unlash;  tayyor  asbob  tavsiflarini  o'zgartirish 
m aqsadida  p-n  tuzilm alarni  yedirishlar  kiradi.
Ikkinchi  guruhga  m exanik  buzilm agan  qatlam   qalinligidagi  kristall  va 
plastinkalar  olish  u ch u n   boshqaruvli  kyetkazish,  sirtda  talab  darajasidagi 
shaklni  olish,  quym alarni  plastinkalar  va  kristallarga  ajratish  kiradi.
U ch in ch i 
guruhga 
kristall 
tu zilm alar 
nuqsonlarini 
oshkorlash: 
dislokatsiyalar,  blok  va  donadorlik  chegaralari,  egizaklik  chegaralari  va 
boshqalar; 
kirishm alar 
taqsim otidagi 
notekisliklarni, 
p-n 
o 'tish  
chegarasini,  pretsipitatlar  va  boshqalarni  oshkorlash  am allari  kiradi,
175

T o ‘rtinchi  guruhga  sirt  xossalarini  b arqarorlash,  uni  him oyalash 
m aqsadida 
qoplam alar 
(oksidlar, 
fosfatlar, 
xrom atlar) 
o 'tq azish ; 
k o n tak tlar  hosil  qilish  u ch u n   m etall  q o plam alarni  kim yoviy  yoki 
elektrokim yoviy  o ‘tqazish  kiradi.
Y uqorida  sanab  o iilg a n   ishlarni  faqat  kim yoviy  yoki  elektrokim yoviy 
y o i  bilan  bajarish  m um kin.
Y a rim o ik a zg ich  
asboblar 
ishlab 
chiqarishda 
yedirish, 
o d atd a 
y og'sizlantirishdan  so ‘ng  am alga  oshiriladi.  C h u n k i,  bu  h o latd a  yedirgich 
plastinka  sirtini  t o i a   h o ila y d i  va  tashqi  qatlam   tekis  yem iriladi.
Biz 
yedirish  jaray o n in i 
tavsiflashdan 
oldin 
kim yoviy 
tozlash 
t o ^ r i s i d a   to ‘xtalib  o ‘tam iz.