Va yarimotkazgichli asboblar texnologiyasi

2
) texnologik  qurilma  murakkabligi;
3)texnika  xavfsizligi  bo‘yicha  maxsus  qoidalarga  rioya  qilishning  o‘ta 
zarurligi  va  boshqalar.
Ion  legirlashning  ancha  keng  qo‘llanilishiga,  ayniqsa  kirishma 
atomlarini  dozalangan  miqdorda  kiritish  va  undan  kirishma  taqsimot 
kesimini  hosil  qilish  uchun  keyingi  diffuziyaon  haydash  manbayi  sifatida 
foydalanish  sabab boim oqda.
Undan  tashqari,  ion  kiritish  qo‘shqutbli  tranzistorlarning  yupqa  baza 
sohalarini  yaratish  uchun,  MDYa-tranzistorlar  chegara  kuchlanishlarini 
boshqarish  va  boshqa  maqsadlar  uchun  foydalaniladi.
Ion  legirlash  bilan  olingan  tuzilmalarni  nazorat  qilish  uchun  kirishma 
atomlar  taqsimoti  kesimi  va  zaryad  tashuvchilarning  samarali  sirt 
konsentratsiyasi  tekshiriladi.
14.2.  Ionlar  kiritilgan  tuzilmalarni  hisoblash  usullari
Ion  legirlashni  amalga  oshirish  texnologiyasi  asoslari  qo‘llaniladigan 
kirishmalar,  ion  kiritib  legirlashning  fizik  asoslari  kitobning  I  qism  2- 
bobida berilgan.
1. 
Ion  legirlangan  tuzilmalarni  texnologik  hisoblashlarda  xuddi 
diffuzion  tuzilmalarga  o‘xshash  to ‘gfcri  va  teskari  masalalar  uchraydi. 
To‘g‘ri  masala  uchun  misol  qilib,  berilgan  ionlarning  energiya  va
241

nurlanish  dozasi  uchun  konsentratsiya  taqsimot  kesimini  ko'rsatish 
mumkin.
Moddaga  ionning  kirish  chuqurligi  yugurish  bilan  xarakterlanadi. 
Kristalida  alohida  ionlarning  traektoriyalari  singan  chiziqli,  har  biri 
to'g'ri  chiziqli  qism  va  to ‘la  uzunlikka  o ‘xshashligi  bilan  bir-  biridan  farq 
qiladi.  Alohida  ionlarning  yugurishlarini  barcha  yig‘indisi  o‘rtacha  to ‘la 
yugurish  R,  yugurishning  o‘rtacha  kvadratik  og‘ishi  AR  qiymatlari  bo‘- 
yicha  tasodifiy  kattaliklar  normal  taqsimoti  qonuni  bo‘yicha  guruhlarga 
bo'linadi.  Amaliy  ahamiyatga  ega  bo‘lgani  o£rtacha  normal  yugurish  Rp  — 
ionning  boshlang‘ich  tezlik  yo‘nalishidagi  o‘rtacha  to ‘la  yugurish 
traektoriyasining  proyeksiyasi  va  uning  o‘rtacha  kvadratik  og‘ishi  ARp.
Kiritilgan  ionlarning  konsentratsiya  taqsimot  kesimi  nurlantirilgan 
qatlam  chuqurligi  bo‘yicha  o ^ a c h a   normal  yugurishlar  taqsimoti  bilan 
aniqlanadi. 
Ionlar  yugurishlarini 
hisoblashlarda  kristalida  atomlar 
tartibsiz  taqsimlangan  hoi  uchun  deb  qaraladi.  Ionlar  oqimi  shunday 
moddalarga  tushadiki,  unda  atomlar  bilan  to 4qnashish  tasodifiy  bo‘lib, 
yugurishlar  taqsimoti  tasodifiy  taqsimot  kattaliklari  bilan  yoziladi.  Xuddi 
shunday  hoi  monokristallar  uchun  ham  kuzatiladi.  Chunki,  ionlar  oqimi 
plastina  sirtiga  turli  yo4nalishlarda  tushishi  mumkin.  Bu  holda  kiritilgan 
atomlar  taqsimoti  kesimi  Gauss  egri  chizig‘i  bilan  ifodalanadi:
C(jc) = .r=^ ---- exp
л/2^А R n
' ( x - R
P ) ' 2
ARr  у
(III.
68
)
Bunda  N-  nurlantirish  dozasi,  ion/sm2;  Rp— o'rtacha  normal  yugurish 
qiymati;
ARp-  o‘rtacha  normal  yugurishning  kvadrat  og‘ishi.
Ion  legirlashda  kirishmalarning  eng  yuqori  konsentratsiyasi  diffuzion 
kiritib  legirlashga  okxshab  sirtdan  emas,  x=Rp  chuqurlikda  aniqlanadi:
Cmax=0,4N/ARp. 
(III.69)
242

Ion  legirlash  bilan  epitaksial  qatlamda  tranzistor  tuzilmaning 
olinishini  koframiz.
Epitaksial  qatlami  n  turi  boigan  plastinkasimon  kremniyda  energiyasi 
E
a
  va  dozasi  NA  boigan  akseptor  kirishma  va  energiyasi  E
d
 va  dozasi  N
d
 
boigan  donor  kirishma  ionlaridan,  mos  ravishda,  baza  va  emitter  sohani 
hosil  qilish  uchun  kiritib,  ketma-ket  ion  kiritib  legirlash  bilan  n-p-n 
turdagi  tranzistor  hosil  qilinsin.  Bunda  quyidagi  shart  bajarilishi  kerak, 
y a'n i  o lish   RpA  > R
pd
™  CmaxA  <  CmaxD.
Kirishmalar yiglndi  taqsimoti  quyidagicha  ifodalanadi:
О Д  = Сшах^еХР
Ux-Rpa) 
\  4
i
&
r
PA
- C max0exp
K x - R pd) 
\ S A R pl)
-C ,
(III.70)
Kollektor 
olishning 
joylashish 
chuqurligi 
quyidagi 
shartda 
aniqlanadi:
Cm A exp
2
- C „ =  
0
,
(III.71)
unda
xJK= R PD + b R pAA2\n
c,
m ax A
С
в  
J
(III.72)
bu  yerda
C,
m ax A
k a r
pA
Emitter  o'tishning  joylashish  chuqurligi  C(xje)  »   С в  shart dan 
aniqlanadi:
Cm„ ,  exp
(хл - * ра) 
л/2А 
R
pA 
J
= Cmax„ex p
(xj3  Rpp)
л/2Д 
R
PD
_ r  
(111.73)
В
  ’
bunda
x .  = 
(-m
 + 
у/т2 -  а с ) ! а
,
(III.74)
bu  yerda 
а  =  A  R  pD  -   A  R
pA
m —  RpAARpD 
RpDAR yD;
243

■
 r 2
pDa r 2
pA  -
2
a r 2
pAa r 2
pD
 l n ^
P D  
P A 
P A 
p D  
N
d M
' A
Emitter  o4ishning  joylashish  chuqurligini  soddaroq  holda  C(xje) = C в 
shartidan  foydalanib  ham  topish  mumkin:
; R pl) + ^ R pD-
2
 In
C \
С
(111.75)
в
Baza  sohasining  qalinligini  quyidagi  ifodadan  aniqlash  mumkin:
W *xjk-xje 
(HI-76)
1-misoL  Agar  Cg  -1 0
16
s n r 3*  £ ^ 1 0 0   keV,  A^5*10
13
s n r 2,  E
d
=200 
keV,  A ^ -llO  
15
  sm
'2
  bo'lgan  n  turdagi  kremniyga  n B+ va 
31
R+ larni  ion 
kiritib  legirlash  natijasida  hosil  bo'lgan  tranzistor  tuzilmada  kirishmalar 
konsentratsiyasi  taqsimoti  kesimi  hisoblansin.
1. 
Energiyasi  100  keV  li  bor  ionlari  uchun  /^ = 0 ,3 9 8   mkm, 
ARpA=Qfi9A
 
mkm, 
200
  keV  fosfor  uchun 
R
pd
- 0,254mkm,  R
pd
=*0,061mkm 
larni  III.5-jadvaldan  aniqlaymiz.
III. 5-jadval
K.keV 
|  n B+
27Д1+
31p+
75AS+
121
 Sb+
[
20
Rp
 
| 
78
29
26
16
14
ARp
32
11
9,4
3,7
2,4
60
Rp
244
85
73
38
31
ARp
71
27
23
8,4
5,1
100
Rp
 
1
398
144
193
58
46
ARp
94
42
35
12,5
7,4
160
Rp
603
236
201
89
67
ARp
116
60
52
18
10,5
200
Rp
725
297
254
110
81
ARp
126
70
61
22
12,5
2.  Bor va  fosforning  maksimal  konsentatsiyasini  topamiz:
0,47V. 
0 ,4 - 5 -10
13
C,
max.A  :
ARpA 
0,094-] O'
-=
2,12
 
0 18
  sm-3,
244

0,4N
d
 
0
,
4
-
1-10
 
, CCftiq_„_,
Onax.D  —
  A
  „ 
~  ^  к ^ л  л л
-4
  —
6,55 0 
sm  .
AR
PD
0,06 M O"
3. 
Kollektor  va  emmiter  p-n  o‘tishlarning  joylashish  chuqurligini 
topamiz:
Xjk=RpA+AR.  )21n—
-0,398+0,094  )4 6 |n 2^2 '}®  =0,705  mkm
1 
l)A\l 
Q  
\l
 
5 
1 . 1 П 16
M 0,(
Xje 
RpD  / 
21
П
с
-0,254+0,061
4,6 In
6,55-10  =
0
;5Q  mkm. 
MO
16
4. 
(III.
66
)  ifodadan  foydalangan  holda  n-p-n-  tranzistorda  akseptor 
va  donor  kirishmalarning  yig'indi  taqsimoti  III.35-  rasmda  kolrsatilgan.
Shu  rasmda  kiritilgan  bor  Сь(х)  va  fosfor  Cf(x)  atomlarining 
taqsimoti  alohida  ko‘rsatilgan.  Undan  ko‘rinib  turibdiki,  ifoda  etarli 
darajada  aniqlikda  emitter  o ‘tish  holatini  aniqlab  bergan.
Teskari  masala  bo‘yicha,  agar  p-n  o4ishning  joylashish  chuqurligi, 
kirishma  eng  katta  konsentratsiyasi  Cmax  va  yarimo'tkazgich  taglik 
plastinkada  kirishma  konsentratsiyasi  Q,  m a'lum   bo‘lsa,  kiritilgan 
kirishma  konsentratsiyasi  taqsimoti  kesimini  Gauss  egri  chizig'i  bo'yicha 
aniqlash  uchun  o‘rtacha  normal  yugurish  Rp,  yugurishning  o‘rtacha 
kvadratik  og‘ishi  ARp va  nurlanish  dozasi  TV m a'lum   bo‘lishi  kerak.
Demak,  p-n  o‘tishning  joylashish 
chuqurligi  (II 1.70)  ifodaga  asosan 
C(x)=0  da  aniqlanadi:
(III.77) 
quyidagi
XJ - RP+ARr
Nurlanish 
dozasini 
munosabatdan  aniqlanadi:
=0.4  N 
A 
R n
yoki  N=2,5 д/е 
c 
.  (HI.78)
HI.35-rasm.  Ion  legirlash  usulida 
olingan  n-p-n  tuzilmali  tranzis­
torda bor va fosfor taqsimoti.
Yugurishning  o‘rtacha  kvadratik 
og‘ishi  A7?^ni  aniqlash  uchun  grafik
usulidan  foydalanamiz.  AR  va  Rp  lar
uchun  bir  necha  qiymatlar  berib,
(111.77)  ifodadagi  tenglamaning  o'ng 
245

qismi  energiyaga  bog'liqligini  chizamiz.  Keyin  energiyaga  parallel  Xj  lar 
uchun  chiziqlar  chizilsa,  (III.70)  tenglamaning  o‘ng  va  chap  qismlari 
kesishish  nuqtalari  E energiyani  beradi.  Topilgan  energiya  bo‘yicha  ARp 
va  nurlanish  dozasi  N aniqlanadi.
14.3.Yarimo‘tkazgichli  asboblar  texnologiyasida  ion  kiritib 
legirlash jarayonlaridan  foydalanish
Ion  legirlash jarayonlarini  yuqori  darajada  o‘rganish  yarimo4tkazgichli 
asboblar  parametrlarini  yetarlicha  yaxshilash,  ularni  takror  ishlab 
chiqarish,  ishlab  chiqarilgan  mahsulotning  yaroqli  bo'lishiga  va  narxini 
kamaytirish  imkonini  yaratdi.  Umuman  olganda,  hozirgi  vaqtda  ion 
kiritishni  qollamasdan  yangi  turdagi  asboblarni  yaratish  juda  qiyin  yoki 
mumkin  emas.
Ion  kiritish  asosan  legirlanuvchi  kirishmalarni  kiritish  uchun  keng 
qo'llaniladi.  Ion  energiyasi  30  —  300  keV  va  10
11
  —10
17
  s n r
2
  doza 
oraliqlarida 
qoMlanilishi 
turli 
diskret 
yarimo'tkazgichli 
asboblar 
yaratilishiga  olib  keldi.  Bularga  :  qo‘sh  qutbli  tranzistorlar  va  IMSlar,
III.36-rasm.  Q o ‘sh  qutbli  tranzistorlarni  tayyorlashda 
ionlam ing  energiya va  doza kattaliklari.
246

o ‘ta 
yuqori 
chatotali 
tranzistorlar, 
maydon 
tranzistorlari, 
fotopriyomniklar va boshqalarni  ko‘rsatish  mumkin.
Yarimo‘tkazgichli  asboblar  va  IMS  laming  keyingi  rivojlanishi,  ya'ni 
submikronli  texnologiyada  elektron  va  rentgen  litografiyasi  asosida 
elementlar  o‘lchami 
1
  mkm  dan  kichik  bo'lgan  tuzilmalarni  olish  ham 
ion  kiritishsiz  mumkin  emas.  Misol  tariqasida  qo‘sh  qutbli  tranzistorni 
tayyorlashda  ion  kiritishning  qo‘llanilishini  ko‘ramiz.
Qo‘sh  qutbli  tranzistorlar.  Qo‘sh  qutbli  tranzistorlarni  tayyorlashda 
ion  kiritish  emitter,  baza,  kollektor,  kollektor  va  baza  kontaktlar  uchun 
yuqori  legirlangan  sohalar,  ajratuvchi-bo‘luvchi  diffuziya,  yashirin  n +  - 
qatlamlar va  boshqalarni  olish  uchun  qo'llaniladi  (III.36-rasm).
Bazani  yaratishda  nurlanish  dozasi  o ‘zgarishi  emitter  tok  uzatish 
koeffitsientini  boshqarish  imkonini  beradi,  ionlarning  energiyasini 
0
‘zgartirish  esa,  bazada  legirlangan  kirishmalarning  taqsimot  ko‘rinishini 
vujudga  keltirishda  uning  kengligini  boshqarib,  asboblarning  takroriylik 
tavsifnomasi  o‘zgartiriladi.
Uzatish  koeffitsienti  yuqori  bo‘lgan  qo‘sh  qutbli  tranzistorlarni 
yaratish  uchun  ikkita  usul  qocllaniladi.  Ular  /?-bazani  hosil  qilish  uchun 
yuqori  energiyada  uncha  katta  bo'lmagan  dozada  borni  va  kichik 
emittemi  olish  uchun  yuqori  dozada  arsenikni  kiritishga  asoslangan. 
Birinchi  holda  kiritilgan  kirishma  kesimini  o‘zgarmas  saqlash  va  10-  15 
min  davomida  900-950°C  temperaturada  emitter  qatlamini  issiqlik 
ishlovi  (otjig) jarayonida  kirishmalarni  yuqori  elektr  faolligini  ta'milashga 
intiliniladi.  Ikkinchi  holda  yuqori  temperaturali  qisqa  vaqtli  emitter 
kirishmalarning  haydashidan  foydalaniladi.  Qo‘sh  qutbli  tranzistor 
tuzilmasini 
tayyorlash 
bor 
diffuziyasi 
yordamida 
passiv 
bazani 
yaratishdan  boshlanadi.
Niqob  himoyasining  qalinligi 
1
  mkm  bo'lgan  SiC
>2
  dan  foydalanib, 
energiyasi  100  keV  va  dozasi  1015-  10
16
  smr
2
  bo'lgan 
75
As+  ionlar
247

kiritiladi.  1000°C  da  20-  30  min  issiqlik  ishlovidan  so‘ng  arsenik  0,3 
mkm  chuqurlikka  diffuziyalanib  emitter p-n  o‘tish  hosil  bo‘ladi.
Aktiv  baza  200  keV  energiyali  va  2* 10
12
  —  10
13
  sm
-2
  dozali  borni 
kiritish  va  850°C  da  20  min  davomida  termik  ishlov  jarayonida  vujudga 
keltiriladi. 
Chunki  borning  o ‘rtacha  normal  yugurishi 
725  nm, 
yugurishning  o'rtacha  kvadratik  ogcishi  126  nm  tashkil  qiladi,  unda  bor 
taqsimoti  kesimining  asosiy  qismi  kristall  chuqurligining  emitter 
qatlamida  joylashadi.  Shu  yo‘l  bilan  tayyorlangan  tranzistorlarning  tok 
bo‘yicha  kuchaytirish  koeffitsienti  100-  300  va  chegara  chastotasi  1-8 
GHz  ni  tashkil  qiladi.
Nazorat savollari
l.Io n   legirlashning  tuzilmalar  olishdagi  afzallik  va  kamchililklarini 
ayting?
2
. Ion  legirlashda  p-n  o‘tishning  joylashish  chuqurligi  qanday 
aniqlanadi?
3. Ion  legirlash  usulida  olingan  tranzistorda  konsentratsiya  taqsimoti 
ko‘rinishini  chizing?
4. Ion  legirlashda  kiritish  energiyasi  qancha  bo‘lishi  mumkin?
248

15-BOB.  PLANAR  TEXNOLOGIYADA 
HIMOYAVIY  DIELEKTRIK  PARDALAR
15.1.  Umumiy  ma’lumotlar
Yarimo‘tkazgichli  asboblar  va  integral  mikrosxemalarni  planar 
texnologiya  bo‘yicha  tayyorlashda  himoyaviy  dielektr  pardalar  katta  rol 
o‘ynaydi.  Ular  donor  va  akseptor  kirishmalarni  mahalliy  diffuziya 
qilishga,  mikrosxemaning  aktiv  va  passiv  elementlarini  bir-biridan 
izolatsiyalashga,  hamda  p-n  o'tishlarni  tashqi  ta'sirlardan  himoyalashga 
imkoniyat  beradi.  Shuning  uchun  planar  texnologiya  himoyaviy  dielektr 
pardalarga  quyidagi  asosiy  talablar  qo‘yadi:  boshlang‘ich  taglik  sirtiga 
diffuziyalanuvchi  elementlarning  (bor,  surma,  arsenik  va  boshqalar) 
kirishini  to ‘la  himoyalash;  vaqt  o'tishi  bilan  kimyoviy  barqarorlik  va 
turg‘unlik;  bir  jinslilik  va  nuqsonsizlik;  yuqori  solishtirma  qarshilik  va 
elektr  mustahkamlik;  yuqori  mexanik  mustahkamlik  talablari  qo‘yiladi. 
Albatta,  bu  talablarni  to ‘la  bajaradigan  moddani  topish  qiyin.  Biroq 
m a'lum   talablarga javob  beradigan  moddalar  mavjud.
Himoyaviy  dielektr  pardalar  uchun  tayanch  materiallar  sifatida  kvars, 
kremniy  monooksid  va  to ‘rt  oksidi,  kremniy  nitridi  va  boshqalardan 
foydalanish  mumkin.  Biroq,  hozirgi  kunda  ikkita  material  (kremniy  IV 
oksidi  va  nitridi)  keng  qo‘llanilmoqda.
15.2.  Kremniyni  termik  oksidlash  kinetikasi
Planar 
texnologiyada 
yarimo‘tkazgichli 
asboblar 
va 
integral 
mikrosxemalar  tayyorlashda  kremniyni  termik  oksidlash  usuli  keng 
tarqalgan.  Bunda  boshlang‘ich  kremniy  taglikda  oksidlovchi  muhitda 
qizdirish  natijasida  himoyaviy  dielektr  parda  Si
02
  olinadi.  Bu  usul 
qalinligi  va  tuzilishi  bo‘yicha  tekis,  hamda  yuqori  himoya  va  dielektr 
xossaga  ega  boMgan  sifatli  niqobiovchi  parda  olish  imkoniyatini  beradi.
249

Kislorod  muhitida  kremnini  termik  oksidlashda  himoyaviy  dielektr  parda 
SiC
>2
  ning  hosil  bolish jarayoni  kinetikasini  ko‘ramiz.
Termik  oksidlanish  jarayonini  bilish  uchun  oksidlovchi  oqim 
tushunchasini  kiritamiz.  “Oksidlovchi  oqim ”  deganda  birlik  vaqtda 
taglikning  birlik  sirtidan  o ‘tuvchi  oksidlovchi  molekulalar  miqdori 
tushuniladi.
III.37-rasmda  kremniyning  termik  oksidlanish  jarayoni  modeli 
ko‘rsatilgan  bo‘lib,  u  oksidlovchi  (gaz)—oksid  qatlam  (qat.)—kremniy 
taglikdan  iborat.  Bu  tizim  orqali  to‘rt  oksidga  oksidlovchi  oqim  o ctadi  va 
ularning  har  biri  oksidlovchi  tashqi  m uhit—kremniy  taglik  tizim 
sohalaridan  biriga  mos  keladi.
Rasmdan  ko‘rinib  turibdiki,  Fj  oqim  kremniy  taglik  sirti  tomon 
oksidlovchi  gaz  faza  massa  ko‘chirishiga  to‘g‘ri  keladi.  MaTumki, 
kremniy  sirtida  hamma  vaqt  yupqa  oksid  qatlami  mavjud,  unda  Fj  oqim 
bu  holda  oksid  sirti  tomon  oksidlovchini  ko‘chirishga  mos  keladi.  Bu 
ko‘chirish  diffuziya  jarayoni  hisobiga,  hamda  gaz—tashuvchining  oqimi 
bilan  majburiy  ko‘chishi  hisobiga  amalga  oshiriladi.  Ko‘chish  tezligi 
oksidlanish jarayonining  texnologik  rejimiga  bogiiq  boladi.
Sanoatda  kremniyni  termik  oksidlash  jarayoni  uchun  aniq  bir 
tezlikda  ishchi  kamera  orqali  o‘tuvchi  majburiy  oksidlovchi  F\  oqimdan 
foydalaniladi:
Fj^h(C\ — C2)
(III.  79)
bu 
yerda 
A-oksidlovchi 
gaz
ko‘ rinishidagi 
massaning 
ko‘ chirish
jarayon  tezligi  doimiysi;  Q -h a jm d a   gaz
fazadagi 
oksidlovchining 
muvozanat
konsentratsiyasi;  C2—oksid  sirti  yaqinida 
III.37-rasm.  Kremniyning  termik 
.
oksidlanish jarayoni modeli 
oksidlovchi  konsentratsiyasi.
250

Oksidlovchi  zarralari  oksid  sirtiga  yetib  borganda  bu  sirtda  yutiladi  va 
unda  eriydi.  Bunda  gaz  fazada  oksidlovchi  konsentratsiyasi  va  qattiq 
fazada  eruvchi  oksidlovchi  konsentratsiyasi  munosabatlaridan  taqsimot 
koeffitsienti 
aniqlanadi. 
Oksidda 
oksidlovchining 
erish 
jarayoni 
harakatdagi  kuch  gaz-oksid  sirt  sistemasida  oksidlovchi  konsentratsiyasi 
gradienti  bo‘ladi.  Shuning  uchun  oksidlovchi  oqimi
bu  yerda  5-oksid  qatlamda  oksidlovchining  erish jarayoni  tezligi  doimiysi; 
C
3
  — gaz  fazali  oksid  qatlam  chegarasidagi  oksidlovchi  konsentratsiyasi.
Oksid  qatlamda  erigan  oksidlovchi  gaz  faza  sirti  chegarasidan 
(oksiddan)  oksid  chegara  (kremniy  taglik)  tomon  diffuziyalanadi.  Bu 
holda  oksidlovchi  oqim 
/3
  oksid  chegarasidagi  konsentratsiyalar  farqiga 
proporsional  va  oksid  qatlam  qalinligiga  teskari  proporsional.  Shunday 
qilib,  oksidlovchi  oqim
bu  yerda  D-oksidda  oksidlovchining  diffuziya  koeffitsienti;  CVoksid- 
kremniy  taglik  chegarasida  oksidlovchi  konsentratsiyasi;  x0-oksid  qatlam 
qalinligi.
Oksid  qatlam  orqali  diffuziyalanuvchi  oksidlovchi  oksid-kremniy 
chegarasidan 
o4ib 
kremniy  bilan 
reaksiyaga 
kirishadi. 
Natijada 
kremniyning  oksidlanishi  yangi  oksid  qatlamni  hosil  qiladi. 
/4
  oqim 
oksid-kremniy  sirt  qismida  ro‘y  beradigan  oksidlanish  reaksiyasining 
kimyoviy  tezligini 
xarakterlaydi. 
Kremniyning 
oksidlanish 
tezligi 
oksidlovchi  konsentratsiyasiga  proporsional,  natijada
bu  yerda  /:-oksidlanish  reaksiyasi  tezligi  doimiysi.
Agar  muvozanat  rejimida  barcha  oqimlar  bir-biriga  teng  desak,  unda 
Fl=F
2
=Fi=F4=F  bo‘lsa,  oqimlar  uchun  tenglamani  birgalikda  yechish 
natijasida  oksidlovchining  yig'indi  oqimi  uchun  ifoda  olish  mumkin.
^
2
~^( 
C
3
),
(III.80)
(III.  81)
р
4
=к  C
4
,
(III.82)
251

Gaz-tashuvchi  laminar  (qatlamdor)  oqim  va  oksidlovchini  gaz-qattiq 
jism  chegara  qismida  oksidlovchining  konsentratsiyasi  taqsimotini 
chiziqiy  deb  ko‘rsak,
C\=a  Cj  bu  yerda  о<д<1, 
shartdan
С 
С