Va yarimotkazgichli asboblar texnologiyasi

13.4.  Diffuzion  tuzilmalarni  hisoblash  usullari
Diffuziya  yetarli  darajada  chegaralangan  oraliq  temperaturalarda 
o‘tkaziladi.  Masalan,  kremniy  uchun  bu  oraliq  1100-1300°C  bo‘lib,  ikki 
bosqichli  diffuziyada,  ya’ni  birinchi  bosqich  (kiritish)da  temperatura 
1150°C  bo‘lsa,  ikkinchi  bosqich  (haydash)da  temperaturani  1250°C  qilib 
olinadi.  Temperaturani  bunday  tanlanishiga  sabab,  yuqorida  ko'rsatilgan 
temperaturalardan  past  temperaturalarda  diffuziant  kirishmalarning 
diffuziya  koeffitsienti  juda  kichik  va  diffuziya  chuqurligi  kichkina. 
1300°C  dan  yuqori  temperaturalarda  kremniy  sirtidagi  buzilishlar 
hisobiga  diffuzion  qatlamlar  qoniqarsiz  boiadi.
Diffuzion  jarayonlar  asosan  ochiq  yoki  yopiq  kvars  shisha  naylarda 
o‘tkaziladi.  Bulardan  ko‘p  qocllaniladigani  ochiq  nayda,  qattiq,  suyuq  va 
gaz  ko'rinishidagi  diffuziant  manbalarda  o4kazishdir.  Kremniyda  asosiy 
diffuziantlar  bor  va  fosfor  hisoblanadi.  Planar  asboblarni  tayyorlashda 
diffuzion jarayon  ikki  bosqichda  o ‘tkaziladi.  Birinchi  bosqich  (kiritish)da 
kremniy  sirtida  e//c-taqsimotli  kirishmalarnig  yupqa  diffuzon  qatlami 
vujudga  keltiriladi. 
Ikkinchi  bosqich  (haydash)da  yarimo'tkazgich 
plastinalar  diffuzion  atomlari  bo‘lmagan  muhitda  bir  zonali  pechkada 
qizdirilib,  bunda  kirishmalarning  diffuzion  qayta  taqsimlanishi  yuz 
beradi.  Ikkinchi  bosqich  kirishma  miqdori  chegaralangan  manbadan 
diffuziyaga  to ‘g‘ri  keladi.
Diffuzion  tuzilmalarni  hisoblashda  ikki  turdagi  masala;  berilgan 
texnologik  rejim  asosida  aralashma  taqsimot  kesimini  aniqlash  (to‘g‘ri 
masala)  va  tuzilmada  kirishmalar taqsimotini  oxirgi  parametrlariga  asosan 
diffuziya jarayon  rejimini  aniqlash  (teskari  masala)  yechiladi.
Ikki  bosqichli  diffuziya jarayoni  uchun  kirishma  taqsimotini  hisoblash. 
Yuqorida  ko‘rdikki,  planar  texnologiyada  diffuziya  ikki  bosqichda  olib 
boriladi.  Kirishma  kiritish  bosqichi  Qz-o^zgarmas  sirt  konsentratsiyasida 
t}  qisqa  vaqtda  amalga  oshiriladi.  Kiritishda  kiritilgan  N  kirishma
230

atomlari  miqdori 
/2
  vaQt  davomida  sirt  konsentratsiyasi  o‘zgaruvchi 
haydashda  diffuziant  manbasi  vazifasini  o'taydi:
с   = - * _
4
п°г
11
Ikki  bosqichli  diffuziya  holida  kirishmalar  kesimini  ko'rish  uchun 
kiritish  va  haydash  davomiyligi  va  temperaturasini  bilish  kerak. 
Temperatura  Tj  uchun,  kirishma  diffuziya  koeffitsienti  Dj  va  silt 
konsenrtatsiyasi  C
qj
  kirishmalarni  chegaraviy  eruvchanligidan  aniqlanadi.
Kiritish  bosqichida  kiritilgan  kirishma  atomlari  sirt  zichligi  kirishma 
taqsimotini  integrallash  bilan  aniqlanadi.
N =  JC(x)dx =  jC{)]  •erfc-
*dx = 
2
-C
Haydash bosqichidan  so‘ng  kirishma  taqsimoti 
2
C.
DA
71
C(xJ) = -
DA
D2t2
exp
N
’\J tiD
2
 t
2
exp
4D
2
t
2
 j
(I I I .50)
(I I I .51)
ifoda  bilan  aniqlanadi.
1
-misol.  Elektrik  o‘tkazuvchanligi  p-tur,  solishtirma  qarshiligi  10 
Om sm   bo'lgan  kremniyga  ikki  bosqichli  diffuziya  bilan  fosforni 
Г/=1050°С,  t]=   10  min, 
7 2
=
1150
°C,  t
2 = 2
  soat  rejim  bilan  olingan  p-n 
o‘tishning  joylashish  chuqurligi  va  aniqlangan  kirishma  taqsimoti  kesimi 
chizilsin.
1.  S
07
  ni  aniqlaymiz.  Buning  uchun  kitob  oxirida  berilgan  rasmdan 
foydalanib, 
7Ы050°С  temperatura  uchun  fosforning  kremniydagi 
chegaraviy  eruvchanligi  1,2-10
21
  sm 
~3
  ekanligini  topamiz.  C
0
j= 1,2-10
21 
sm
-3
  deb  olamiz.
2.  Dj  ni  aniqlaymiz.  Fosforni  Г=1050°С  temperaturada  kremniy 
uchun  fosforning  diffuziya  koeffitsientini  kitob  oxirida  berilgan  rasmdan 
foydalanib  topamiz.  Unda  Dj= 2,510~14  sm2/s  ekanligini  aniqlaymiz.
231

3. 
Birinchi  bosqich  diffuziya  (kiritish)dan  atomlarning  sirt  zichligi  N  
ni  aniqlaymiz
jV  = 2 C „ , = 2 • 
1,2
 -10
21
  ^ 1 2 — ■l - ~   = 5,2 ■
 10|
5
слГ2.
1   I  
V 
3,14
4.  Yuqoridagidek  fosforning  diffuziya  koeffitsienti  D
2
  ni  aniqlaymiz.
2-rasm,  a  (kitob  oxiriga  qaralsin)  yordamida  Г=1150°С  da  D?=  4 1 0 -13 
sm2/s  bo‘lishligini  topamiz.
5.  Taqsimot  egri  chiziqlarini  tuzamiz:
4 
N
C ( X j )
  = 
eXp
д
/ TlD
 
2
1
2
V
5 ,2 -1 0 '
д/з,14  ■
 4 ■
 10 ~13  - 2  -60  -60 
=  5,5  -10  19  exp  f  -
exp
4  -4  1013  -2  -60  -60
1,5  -10
Haydashdan  so‘ng  fosfor  konsentratsiyasining  taqsimot  kesimi  III. 32- 
rasmda  ko'rsatilgan.  Solishtirish  maqsadida  shu  rasmni  o‘zida  kiritish 
bosqichidan  so‘ng  fosforning  taqsimlanish  egri  chizig‘i  berilgan.
C ( x ,t )   =  С  n]erfс
2
 J
d
,
1^1
= 
1
,
2 - 1 0
 2Xerfc
7,75  -1 0 6
p-n  o'tishning  joylashish  chuqurligini  aniqlaymiz.  (111.38)  formulaga
asosan
Xj  =  2 j D 2t2
С  л
о 2
In
Namuna  plastinkadagi  kirishma  konsentratsiyasini  /:> =f(S)  egri  cliiziq 
yordamida  p=10  O m sm   uchun  Q = l,2-10
15
  sm
-3
  bo‘lishligini  aniqlaymiz 
(kitob  oxiridagi  Q.3-rasm,  b  ga  qaralsin).
U n d a  x,  =2V4-10‘l3-2-60-60-  2,3-lg
5,5  10
19
 \
1,2
 • 
10
= 3,5* 10~4  = 3,5mkm
Soddalashgan  (III.50)  formula  bo‘yicha
232

х,  = 
6y[D ^ =
 б-у/2,3-10"9  = 3,2 
mkm
yetarli  darajada  aniq  qiymatga  ega.
Ketma-ket  ikkilama  diffuziyada  kirishma  taqsimotini  hisoblash.
Diffuzion  tranzistorlar,  tiristorlar,  varikaplar  va  juda  ko‘pchilik  boshqa 
asboblar  tayyorlashda  turli  elektr  o4kazuvchanlikka  ega  boigan 
qatlamlarni  yuzaga  keltiruvchi  kirishmalarni  ketma-ket  diffuziya  yoii 
bilan  aktiv  tuzilmalar  olinadi.  Agar  oldin  parametrlari  CoA,  Z)A,  tA 
boigan  akseptor  kirishma,  keyin  parametrlari  C
0
q,  Z>d,  tD  donor 
kirishma 
я-turdagi 
elektr 
olkazuvchanlikli 
yarimo‘tkazgichga 
konsentratsiyasi  Q>  boigan  kirishma  tekis  legirlangan  я-turdagi  elektr 
o4kazuvchanlikli  yarimolkazgichga  ikkilangan  ketma-ket  diffuziya 
qilinsa,  unda  konsentratsiyaning  natijaviy  taqsimoti  quyidagi  ko‘rinish 
oladi:
C(x,t) = CoA exp
4 DAtA)
- C oDerfc
2
(III.52)
Shunday  qilib,  akseptor  va  donor  kirishmalar  o'zaro  bir-birini 
kompensatsiyalaydi,  unda  hisbolashda  konsentratsiyalar  taqsimot  kesim 
qiymatlari  musbat  (akseptor  uchun)  va 
manfiy  (donor  uchun)  belgilar  beriladi 
yoki  teskarisi.  Birinchi  diffuziya  ancha 
chuqur,  keyingilari  esa  ancha  sayoz, 
biroq  yuqori  konsentratsiyada  bolishi 
kerak. 
Shuning 
uchun 
ketma-ket 
ikkilangan  diffuziyada  (111.48)  formulaga 
asosan  n-p-n-tuzilma,  agar  kirishma  o‘rni 
0
‘zgartirilsa,  p-n-p  tuzilma  olinadi.  Xuddi 
shu  usullarda  tranzistor  olinadi.  Kichik 
sirt  konsentratsiya  va  katta  chuqurlikdagi 
birinchi  diffuziyani  bazali  deyiladi.  U 
tranzistor  tuzilmaning  /?-sohali  bazasini 
yaratish  uchun  xizmat  qiladi.  Yuqori  sirt 
konsentratsiya  va  kichik  chuqurlikdagi
ikkinchi  diffuziyani  emitterli  deyiladi.  U 
r  r
t  t 
, 
. . . .  
.. 
. 
dash (2) dan 
so 
n g  
fosTor 
taq-
elektnk  о  tkazuvchanhgi  я-turh  em.tter 
simotini  hisoblashlar natijasida
sohani  olish  uchun  moljallangan. 
olingan kesimi
233

Baza  /?-sohani  olish  uchun  diffuziya  ikkita  bosqichda  olib  borilganligi 
uchun  uning  yig'indi  taqsimoti  (III.52)  Gauss  egriligi  ko‘rinishida  bo‘- 
ladi.  Unda  emitter  diffuziya  odatda  bitta  bosqichda  bo
4
lib,  uni  kirishma 
taqsimot  funksiyasi  erfc  funksiya  bilan  ifodalanadi.  Agarda  emitter 
diffuziya 
vaqtida 
akseptor  kirishmaning 
aralashishi 
sezilarli 
yuz 
bermasa,(III.48)  ifoda  to ‘g‘ri  boiadi,  unda  umumiy holda
2
C( x, t )
 = СоЛ exp 
bu  yerda
C„
4(А Л  + D j d) 
N„
} - C „ Derfc
2
V A A
- C a ,
(111.53)
(111.53)
t
J
x
(
d j
a +£>/,})
bunda  £>*A-donorlar  diffuziyasi  temperaturasida  akseptorlar  diffuziya 
koeffitsienti.
Emitter p-n  o‘tishning joylashish  chuqurligini  aniqlash  uchun  yig‘indi 
konsentratsiyani  nolga  tenglashtiramiz  va  taglikka  legirlangan  kirishmalar 
konsentratsiyasi 
Q, 
diffuziyalanuvchi 
donorlar 
va 
akseptorlar 
konsentratsiyasiga  nisbatan  ko‘p  marta  kichikligini  hisobga  olamiz.  Unda 
(IH .52)  taqsimot  uchun
CoDerfc-
= C
od
 exp
"
2
^
 
erfc  funksiya  taqribiy  ifodasidan  foydalanib,
C„
d
 exp 
ifodasini  o ‘zgartirib,
\ 2
+ 0,3
=   C„A 
exp
4 DJ
a
(111.54)
(III.55)
=
/  
\
2
2  1
1 
I 0,3
1
Jln
( С
 
i
oD
v 
D/Jo 
х ь 
j
4 DAtA
r
\  оЛ J
(III.56)
Bu  tenglamani  itaratsiya  usulida  yechamiz  va  uning  boshlang'ich 
qiymati.
xa =
6
y [ D ^ ,  
(HI-57)
unda
234

Emitter  p-n  o‘tishning  joylashish  chuqurligini  yanada  aniqroq 
aniqlangan  qiymati
Г 
Л
2
1 
]  0 ,3
Ф о Ь
4 DJA
In
c,.
с
V 
^OA
 У
(III.59)
Kollektor 
o‘tishning  joylashish 
chuqurligi 
aniqlashda 
emitter 
diffuziyada  uning  siljishini  hisobga  olish  kerak,  shuning  uchun
: 
DAtA + ^DAtD
In
(111.60)
bu  yerda  CoA  (III.49’)  formuladan  aniqlanadi.  Bu  ifodalarni  konkret 
hollar  uchun,  ya’ni  n-p-n  tranzistor  uchun  kirishma  taqsimotini  111.33- 
rasmda  ko‘rish  mumkin.
Diffuziya  rejimlarim  aniqlash. 
Endi  teskari  masalani  yechishga  e’tibor 
beramiz.  Teskari  masala  katta  amaliy  ahamiyatga  ega,  chunki  diffuziya 
parametrlari 
bo‘lmish 
jarayon
davomiyligi 
va 
temperaturalarni 
bilish  texnologik jarayonlarni  o'ziga 
xos 
xususiyatlari 
va 
texnologik 
qurilmalar 
imkoniyatlari
aniqlanadi.
Teskari  masalani  yechish  Dt 
kokpaytmani  aniqlashga  olib  keladi. 
Ko'pincha  temperatura  T  berilgan 
bo‘ladi  va  shu  temperatura  uchun 
tajribalardan 
topilgan 
diffuziya 
koeffitsient 
qiymatidan 
diffuziya
Ш.ЗЗ-rasm.  Ikkilama ketma-ket dif­
fuziya yo‘li  bilan olingan  n-p-n-tmn- 
zistorda kirishmalar taqsimoti.

vaqti  t aniqlanadi.
Ba’zan  rejimni  tanlashda  diffuziya  koeffitsientining  temperaturaga 
bog'liqligini  hisobga  olmasdan  kirishmalarning  chegara  eruvchanligini 
hisobga  olish  ham  mumkin.
.  Kirishma  taqsimotining  berilgan  parametrlari  asosida  diffuziya 
rejimini  aniqlash. 
Haydash  bosqichi  yoki  bir  bosqichli  diffuziyani 
hisoblash  uchun  teskari  masala  yetarlicha  oddiy.  Deylik,  oldindan 
chegaralangan  miqdordagi  kirishma  ion  kiritish  yordamida  hosil  qilingan 
qatlamdan  diffuziya  o‘tkazilgan  bo‘lsa,  unda
\  n /
Endi  yo  temperatura,  yoki  jarayon  vaqti  tanlanadi.  Unda  ishlab 
chiqarish  talabiga  asosan  kichik  vaqtlar  uchun  diffuziya  koeffitsientini 
hisoblab  topishimiz  mumkin:
Ketma-ket 
diffuziya 
rejimlarini 
aniqlash. 
Ketma-ket 
ikkilama 
diffuziyada  emitter  diffuziya  bir  jinsli  bo‘lmagan  legirlangan  baza 
sohasiga  tomon  yo‘nalgan  bo'lganligi  uchun  texnologik  rejimlarni 
aniqlash  murakkablashadi.  Boshlang‘ich  m a’lumotlar  kollektor va  emitter 
o'tishlari  joylashish  chuqurligi 
,  xie  ,  epitaksial  qatlamda  kirishmalar 
konsentratsiyasi  Q ,  diffuziyalanuvchi  akseptor  va  donor  kirishmalar  sirt 
konsentratsiyasi  C()A,  Cgd,  deb  belgilanadi.  Aniqlash  kerak  bo‘lgan 
parametrlar  baza  diffuziyasida  akseptor  kirishmalar  kiritish  ( 7 \,  /д,  NpJ
(
111
.
61
)
ifodagaga  asosan
(
111
.
62
)
9
(111.63)
с
J
236

va  haydash  (7дг,  /дг)  rejimlari  emitter  diffuziyasida  donor  kirishmalar 
uchun  haydash  (7
e
>,  fo)  rejimi.  Baza  diffuziyasini  hisoblash  uchun  xuddi 
bir  tekis  legirlangan  yarimo‘tkazgichli  ikki  bosqichli  diffuziya  rejimi 
hisoblashga  o‘xshab  ketadi. 
Hisoblashlarni  soddalashtirish  emitter 
diffuziya jarayonida  akseptor  kirishmalar  taqsimoti  deyarli  siljimaydi,  deb 
hisoblaymiz,  ya’ni
bu 
yerda 
mitter  diffuziyada 
akseptor  kirishmalar  diffuziya
koeffitsienti.
Emitter  diffuziya  rejimini  hisoblash  uchun  emitter  olishning 
joylashishi  chuqurligini  aniqlashdan  olingan  tenglik  (III.59)  dan 
foydalaniladi. 
0
$ $   ko‘paytmaga  nisbatan  yechib,  temperatura  yoki 
diffuziya  davomiyligini  aniqlanadi.
atomlarining  sirt  konsentratsiyasi  kabi  IH.34-rasm.  Diffuzion  qatlamli
plastinkada sferik  shlif tayyorlash 
parametrlarni  aniqlash  bo‘yicha  olib  j aray0nj sxemasi:
boriladi 
/-yarimo‘tkazgich  plastinka; 
2-p-n
o ‘tish;  3-po‘lat  sharcha;  4-shlif  tus 
Elektron-kovak  o'tishning  joylashish 
olgan p-sohasi.
( D t ) e r   -   D A r f A r  +   D A z f D   ~   D A r f A r
» 
(111.64)
\
J f  
b - 3
(III.65)
13.5. 
Diffuzion  tuzilmalar 
parametrlarini  nazorat  qilish
Diffuzion  qatlamlarni  nazorat  qilish, 
asosan, 
olingan 
p-n 
o‘tishning 
joylashishi  chuqurligini, 
sirt  qatlami 
o'tkazuvchanligi 
va 
kirishma
237

chuqurligini  aniqlashning  ancha  k o kp  tarqalgan  usullardan  biri  shlifga 
rang  berish  usulidir.
Joylashish  chuqurligi  oMchamini  (bir  m ik ro m etr  va  u ndan  kichik 
tartibli)  o klchash  u chun  sferik  shlifdan  foydalanish  qulay.  Uni  olish 
uchun  plastinka  sirtiga  diametri  35-100  m m   li  sharcha  qisiladi  va 
sharchani  q o £zg£almas  o sq  atrofida  aylantirish  bilan  plastinka  sirtida 
c h u q u r  o kyiq  sfera  hosil  boMadi.  Buning  u c h u n   aylanuvchi  shar  va  kristall 
plastinka  kontakt  oraliglga  abraziv  suspenziya  beriladi.  0 ‘lcham lar 
aniqligi  yuqori  bo'lishi  uch u n   abraziv  material  donasining  diametri 
lm k m   dan  oshmasligi  kerak.
p-n  o ‘tish  chegarasini  o c h m o q   u c h u n   sferik  o'y iq  chuqurligi  p-n 
o'tishning  joylashish  chuqurligidan  katta  bo'lishi  kerak.  Chegarani  48%li 
ftorid  kislota  ( H F )   ga  70%  li  nitrat  kislotani  ozgina  0 ,0 5 % -0 ,l%   gacha 
q o ‘shishdan  tayyorlangan  yedirgichda  oksidlanish  natijasida  /7-sohani 
tuslanishi  bo'y icha  aniqlanadi. 
Diffuzion  p-n  o'tishning  joylashish 
chuqurligi
*L
4  D
ifoda  bilan  aniqlanib,  unda  Я - s f e r ik   chuqurlikda  hosil  b o 4gan  k o n tu r 
egri  chizigfcining  ikki  nuqtasini  birlashtiruvchi  t o £g ‘ri  chiziq  uzunligi 
(111.34-rasm)  mikroskop  yordam ida  o ‘lchanadi;  D-shar  diametri.
O 'lchovlar  aniqligini  oshirish  u c h u n   bir  q an ch a  shliflar  tayyorlanadi 
(5  tagacha),  keyin  olingan  natijalar  o ‘rtachalashtiriladi.
Sirt  qarshiligini  o 'lchashning  eng  k o 'p   tarqalgan  usullaridan  biri,  t o 4rt 
zondli  usuldir.  Sirt  qarshiligini  o'lchash  xatoligi  odatda  5% -10% dan 
oshmaydi.
x j  
( I 1 L 6 6 >
238

Legirlangan  kirishmalar  sirt  konsentratsiyasini  aniqlash  uchun 
jarayonni  o‘tkazish  sharoitiga  bog‘liq  holda  diffuzion  sohada  kirishmalar 
taqsimot  xarakterini  bilish  zarur.
Kirishmalarning  sirt  konsentratsiyasini  aniqlash  maqsadida  tajribada 
olingan  diffuzion  p-n  o‘tish  joylashish  chuqurligi  va  sirt  qarshiligi 
qiymatlaridan  namuna  kristallarining  turli  konsentratsiyali  kirishmalarda 
turli  kirishma  diffuzion  taqsimotlari  uchun  sirt  konsentratsiyasining  grafik 
bogianishlari  olinadi,  ya’ni
1
N „ = f
Psx ;
(III.67)
Nazorat savollari
1.  DifTuziyaning  qanday  mexanizmlarini  bilasiz?
2.  Kirishmalarning  sirt  konsentratsiyasing  fizik  m a’nosini  ayting.
3.  0 ‘zgarmas  va  chegaralangan  manbalarda  kirishma  diffuziyasi  taqsimot 
tenglamalarini  yozing.
4.  Diffuzion  tuzilmalarda  p-n  o ‘tishning  joylashish  chuqurligini  aniqlash 
ifodalarini  yozing.
5.  Planar texnologiyada  diffuziya  deganda  nimani  tushunasiz?
6.  Kremniyda  kirishmalarning  chegaraviy  eruvchanligi  qanday  aniqlanadi?
7.  Diffuziya-haydash  va  diffuziya-  kiritish  usullarini  tushuntiring?
8.  Diffuziya  usulida p-n-p  tuzilmalar qanday olinadi  ?
239

14-BOB.  IONLAR  KIRITIB  LEGIRLASH  USULIDA 
TUZILMALAR  OLISH
14.1.  Umumiy  ma lumotlar
Yarimo'tkazgichdagi  kirishmalar  haqidagi  2-bobda  bu  masalalar 
umumiy  tarzda  qaralgan  edi.  Oldingi  bobda  va  ushbu  bobda  ular 
tuzilmalar  olish  nuqtayi  nazaridan  ko'riladi.
Ionlar  kiritib  legirlash  energiyasi  bir  necha  kiloelektron  voltdan  bir 
necha  megaelektron-voltgacha  (odatda 
20-100
  keV)  bo'lgan  ionlashgan 
atomlarni  bombardirovka  y o li  bilan  taglikning  sirt  qatlamiga  boshqargan 
holda  kiritishdir.
Ion  kiritilib  legirlash  jarayoni  yarimo'tkazgich  sirt  qatlamining 
elektrofizik  xossalarini  o'zgartirish  xususiyatiga  ega.
Hozirgi 
vaqtda 
ion 
kiritib 
legirlash 
usuli 
yarimo4kazgichlar 
texnologiyasida  ancha  afzal  boiib,  kelajakda  electron-kovak  o'tishli 
tuzilmalar  hosil  qilishning  boshqa  usullari  (qotishmali,  diffuziya  va 
epitaksiya  usullari)  o'rnini  olishi  mumkin.
Bu  afzallik  ion  kiritib  legirlashning  qattiq  jism  va  legirlovchi  modda 
o'zaro 
ta'siri 
temperaturaga 
bogiiq 
emasligidan 
kelib 
chiqadi. 
Birinchidan,  bu  usul  universal,  chunki  qattiq  jismga  (metall,  dielektrik, 
yarimo'tkazgich)  har  qanday  kirishmani  kiritish  mumkin;  ikkinchidan, 
legirlashning  izotop  tozaligini  ta'm inlaydi,  legirlangan  qatlamga  nazorat 
qilib  bolmaydigan  kirishmalar  kirib  qolishidan  amaliy jihatdan  saqlaydi; 
uchinchidan,  ion  kiritib  legirlash  juda  past  temperaturalarda  o'tkaziladi 
(ba'zi  hollarda  xona  temperaturasida).  Legirlangan  qatlamlarga  issiqlik 
ishlovi  (otjig)  berish  diffuzion  kiritib  legirlashga  nisbatan  ancha  past 
temperaturalarda  o'tkaziladi.
Nihoyat,  ionlarning  energiyasini  o'zgartirish  yoli  bilan  barcha  uch 
oichov  yo'nalishida  kirishmalar  taqsimotini  boshqarish;  yarimo'tkazgich
240

hajmi  sirti  ostida  legirlangan  qatlamlarni  olish;  oqimda  ion  toki  zichligi 
va  nurlantirish  vaqtini  o‘zgartirish  hisobiga  kirishmalarni  aniq  dozalash; 
ularni 
dielektrik  va  metall  qoplamalar  orqali 
kiritish; 
legirlash 
temperaturasi 
muvozanat 
konsentratsiyasidan 
yuqori 
miqdorda 
kirishmalar kiritish  imkoniyatiga  ega.
Usulni  qo‘llanishdagi  chegaralashlar quyidagicha:
1)ionlar  kirish  chuqurligi  kichikligi  hisobiga  p-n  o ‘tishlaming 
joylashish  chuqurligi  kichik bo‘ladi;