Va yarimotkazgichli asboblar texnologiyasi

f 
■
* I 
r  1^ 
1 1 nr * 1 Л  f < 
W  f if  Г» *Л  4-4 /Л ♦*/-! г»
r v i i o t a u ,  
i« 
^
 
, 
*i 
i 
£ 1  
•  *1 
• 
1
ultratovush  tebranishlar  konsentratori 
t l t a n   t e r m , k   b u §   l a n t , r l b   t l t a n   P a r d a
saqlash  uchun  ishchi  kamerada  bosim  10
~9
  Pa  sathida  ushlab  turiladi. 
Titan  qatlam  qoplanganidan  so‘ng  molibdenli  yoki  tantal  qayiqchalardan 
terniik  bug‘lantirish  usuli  bilan  unga  oltin  parda  qoplanadi.  Kremniy 
to ‘rt  oksidiga  (  Si
0 2
)  titanning  yaxshi  yopishqoqligi  tufayli,  keng 
tarqalgan  Si
0 2
  pardaga  kontakt  tizimlarni  yaratish  m um kin.  Oltin  o ‘rniga 
o'tkazgich  qatlam  sifatida  nikel  yoki  kumush  qoplam alardan  ham 
foydalanish  mumkin.
Molibden  yoki  tantal  qozonchalarda  ingichga  simlarni  ketm a-ket 
issiqlik  bugiantirish  usuli  bilan  xrom  va  oltin  qoplam alar  o ‘tkazish  bilan 
Cr-Au  kontakt  tizimi  yaratiladi.  Xrom  parda  qoplangandan  socng,  xrom 
va  oltin  tarkibli  qatlam  qoplanadi,  keyin  toza  oltin  parda  qoplanadi. 
Xrom  parda  qalinligi  ~ 100  nm ,  oltin  parda  esa  -300  nm   ni  tashkil  qiladi. 
T = ll7 0   К   da  beriladigan  term ik  ishlov  Cr-A u  om ik  kontakt  tizimning 
xossalarini  yaxshilaydi.
Kontakt  qatlam  sifatida  m olibdendan  ham   foydalanish  mumkin. 
M olibden  pardani  odatda  elektron  nur  yordam ida  o'tkaziladi.
Metall  pardaga  ingichka  metall  simlar kontakti.
Y arim o‘tkazgich  sirtiga  qoplangan  metall  pardaga  ingichka  metall 
simlar  kontaktini  termobosim   yoki  ultratovush  payvand  usullarida  olish
qoplanadi. 
Titanni 
oksidlanishdan
287

m um kin  (III.53-rasm ).  Ingichka  metall  simlarni  (ko'pincha  oltin  yoki 
aluminiy)  termobosim   usulida  ham   qizdirish,  ham   bosim  ostida  olinadi.
Term obosim   usulidan  farqli  ravishda  bosim  ostida  ultratovush 
payvandlashda  ultratovush  tebranishlarda  ishqalanishlar  hisobiga  yupqa 
sirt  pardalar  buziladi  va  u  m ateriallarning  o ‘zaro  zich  kontaktini 
ta ’minlaydi.  M exanik  bosim  va  ishqalanish  kontaktni  hosil  qiluvchi 
m ateriallar  aralashishini  va  simlarning  sirt  bilan  m ustahkam   kontaktini 
hosil  qiladi.  Shu  usulda  yarim o'tkazgichniing  plastinkasi  yoki  kristalida 
talab  darajadagi  qalinlikda 
n+  -
  yoki 
p +  -
  turdagi  yuqori  legirlangan, 
kichik  qarshilikli  omik  kontaktlarni  osongina  olish  mumkin.
Nazorat savollari
1.  Omik  kontakt  qanday  kontakt?
2.  Omik  kontaktga  q o ‘yiladigan  talablarni  ayting.
3.  Elektrod  materiallar  qanday  tanlanadi?
4.  Omik  kontaktlar  qanday  usullarda  olinadi?
5.  Omik  kontaktni  elektrolitik  o ‘tqazish  usulini  ayting.
6.  Kontakt  tizim i  nima?
7.  Purkab  qoplash  uchun  vakuum  qurilmasini  tushuntiring.
8.  Metall  pardaga  ingichka  simlar  qanday  ulanadi?
288

18-  BOB.  YARIMO‘TKAZGICHLI  ASBOBLAR  SIRTINI 
MUSTAHKAMLASH  VA  HIMOYA  QILISH
18.1.  Umumiy  ma’lumotlar
Hozirgi  zamon  radioelektronikasida  asosiy  bosh  talablaridan  biri 
butun  apparatlar  va  bloklar,  alohida  elem entlar  ishinig  mustahkamligi  va 
chidamliligidir.  Aniqlanganki,  yarim o‘tkazgichli  asboblar  va  IM S  turg£un 
va  m ustahkam   ishlashi  yarim o‘tkazgich  sirt  holati  va  uning  tashqi  m uhit 
bilan  o‘zaro  ta ’siri  xususiyatlari  bilan  bog‘langan.  Asbobning  berilgan 
ishlatish  sharoitlari  natijasida  sirt  holatlari  turg‘un  b o ‘lishi,  ayniqsa 
p-n 
o ctish  chiqqan  joylarini  tashqi  m uhit  ta ’siridan  m ustahkam   himoyalash 
kerak.
Keyingi  yillarda  himoya  qatlamlari  sifatida  kremniy  IV  oksidi  SiCb, 
kremniy  nitridi  Si
3
N
4
,  alum iniy  oksidi  AI
2
O
3
  yoki  shu  m ateriallarning 
kombinatsiyasi  asosidagi  qatlam  m ateriallarni  q o llash   kengaymoqda. 
Ba’zi  hollarda  tez  eriydigan  silikatli  yoki  xalkogenidli  himoya  pardalar 
muvaffaqiyat  bilan  foydalanilmoqda.
Himoya  qoplamalari  boshqa  vazifalarni  ham  bajarishini  17-bobda 
izohlab  bergan  edik.  Biroq  hozirgi  zam on  konstruksiyalarida  himoya 
pardalar  sifatida  kremniyorganiklar:  lak,  kom paund  va  boshqalar  keng 
qo‘llanilmoqda.
18,2.  Asbobning  elektr  parametrlariga 
p -n
  o 6tish  sirt  holati 
ta’siri
Elektron-kovak  o £tish  sirti  deganda,  yarim o'tkazgich  kristall  yoki 
yarim o'tkazgich  plastinka  sirtiga  chiqqan  qism  tushuniladi. 
p-n
  o ‘tishi 
chiqqan  yarim o‘tkazgich  material  sirt  holati,  r-p  o ‘tishdan  tashqari 
qolgan  yarim o‘tkazgich  hajmining  fizik  xossasiga  nisbatan  asbobning 
elektr  parametrlariga  ancha  kuchli  ta ’sir  qiladi.  Agar  yarim o'tkazgich 
kristall  ichidagi 
p-n
  o'tish  tashqi  ta ’sirlardan  m ustahkam   him oyalangan 
bo'lsa,  kristall  sirtiga  chiqqan 
p-n
  o'tish  esa  qo‘shimcha  himoyalanishi 
kerak.
Undan  tashqari,  yarim o'tkazgich  material  sirtining  tuzilishi  cheksiz 
uzun  kristallning  energetik  zonasidan  boshqacha  bo'ladi.  Sirt  tuzilishi
289

qisman  uzilgan  atom lardan  tashkil  topadi.  Chunki,  har  bir  atomga 
kovalent  bog'lanish  uchun  juftliklar  yetishmaydi,  unda  bu  bog‘lanishlar 
to ‘yinmagan  b o ‘lib  qoladi  va  u  energetik  holatga  ekvivalent  b o ‘lib, 
sathlar  m an  qilingan  zona  ichida  yotadi.
Shunday  qilib,  elektronlarni  egallab  olish  yo'li  bilan  atom lar  o ‘z 
aloqalarini  to'ldirishga  intiladi.  N atijada  yarim o‘tkazgich  material  turiga 
qaram ay  akseptor  sathlar  hosil  bo ‘ladi.
Shu  bilan  birga  yarim o‘tkazgich 
m aterialda  gaz  va  suyuqlik 
ko‘rinishdagi 
o ‘gay 
m odda 
atom larining 
adsorbsiyasi 
natijasida 
yuqoridagi  sathlardan  tashqari  qo‘shim cha  sirt  holatlari  hosil  bo'lishi 
m umkin.  Adsorbsiyalashgan  atom larining  xossalariga  bog‘liq  ravishda 
yana  hosil  bo'lgan  sathlar  akseptor  yoki  donor  b o iish i  mumkin.
Agar  yarim o‘tkazgich  m aterial  sirtiga  elektronlarni  egallab  oladigan 
atom   yoki  molekula  adsorblashsa,  unda  akseptor  sathlar  hosil  bo'ladi. 
Agar  bu  holda  yarim o‘tkazgich  m aterial  elektron  o ‘tkazuvchanlikka  ega 
b o ‘lsa,  unda  elektronlar  o ‘tkazuvchanlik  zonasidan  yoki  donor  sathdan 
Ferm i  sathida  pastda  yotuvchi  akseptor  sathni  to'ldirishga  intiladi.  Bu 
esa, 
kristall 
sirtiga  to'g'ridan-to^g'ri  joylashgan 
elektronlar  bilan 
kam bag‘allashgan  yupqa  yarim o4kazgich  qatlam   hosil  bo‘lishiga  olib 
keladi.  Bu  yerda  musbat  zaryadlangan  donor  m arkazlar  hosil  b o iad i. 
Hosil  b o ‘lgan  elektr  m aydon  shunday  yo'nalganki,  yarim o4kazgich 
material  hajm idan  kelayotgan  elektronlarni  itaradi  va  energetik  to ‘siqni 
vujudga  keltiradi.
Bunda 
yarim o^kazgich-m uhit 
chegarasida 
energetik 
zona 
va 
yarim o‘tkazgich  m aterial  sirtida  inversion  qatlam   vujudga  kelishi 
m umkin.
G az  molekulalari  yoki  bug'lari  adsorbsiyasi  fizik  yoki  kimyoviy 
bo'lishi  m umkin.  Fizik  adsorbsiya  holida  bug‘lar  va  gazlar  qattiq  jism 
ionlari  ta ’sirida  yarim o'tkazgich  sirtida  ushlanib  qoladi.
Kimyoviy 
adsorbsiyada 
m olekulalar 
atomlarga 
dissotsiyalanadi, 
yarim o'tkazgich  m aterialning  sirt  atomlari  bilan  ular  orasida  turg 'u n 
kimyoviy 
aloqalar 
hosil 
bo'lishi 
bilan 
valent 
elektronlar 
qayta 
taqsimlanishi  yuz  beradi.  Shunday,  suv  b u g iari  ikkiala  m exanizmlar 
yordam ida  yarim o‘tkazgich  m aterial  sirtiga  adsorbsiyalanadi,  bunda 
dastlabki  ikki-uch  qatlam   yarim o'tkazgich  panjara  atom lari  bilan  kuchli
290

bogiangan  b o iib ,  qo‘zg‘almas  b o ‘lib  qoladi  ,  qolgan  qatlam larda  (fizik) 
suv  molekulari  yarim o‘tkazgich  m aterial  sirti  bo ‘ylab  ko‘chishi  mumkin.
Shunday  qilib,  turli  gazlar  va  bug‘lar  adsorbsiyasi  yarim o‘tkazgich  sirt 
yaqin  sohasida  fazoviy  zaryadlarning  hosil  b o ‘lishiga  olib  keladi.  Ancha 
faol  kimyoviy  yutiluvchi  gazlarga  kislorod  va  suv  bug‘lari  kiradi. 
Kislorod,  azon  ham da  xlorning  o ‘tirishi  manfiy  ishorali  sirt  zaryadlarni 
paydo  bo ‘lishiga  olib  keladi.  Suv  bug‘lari,  spirt,  asetonlarning  o ‘tirishi 
musbat  zaryadlarni  hosil  qiladi.
Yarimo‘tkazgich  m aterialning  nam   sirtiga  o ‘tirgan  m etall  ionlari 
(masalan,  natriy  miqdori 
1014
  sm
~2
  gacha)  bo ‘ladi  va  ionli  o ‘tkazgich 
b o ‘lib  qolishi  mumkin.  Shunday  yarim o‘tkazgich  sirtiga  chiqqan 
p-n 
o ‘tishga  tashqi  elektr  m aydon  qo‘yilishi  sirtiy  ion  tokini  hosil  qiladi  va  bu 
tok 
p-n
  o ‘tishning  hajmiy  tokidan  bir  necha  m arta  yuqori  b o ‘ladi.
Bundan  tashqari, 
asboblarning  elektr  param etrlari  o ‘zgarishida 
inversion  qatlam larning  hosil  b o £lishi  bilan  bog‘liq  bo'lgan  sirqish  toki 
ancha  katta  rol  o'ynaydi.
Chunki, 
p-n
  o'tishga  yaqin  yarim o‘tkazgich  sohasida  paydo  bo'lgan 
inversion  qatlam  yarim o4kazgich  sirtiga  chiquvchi 
p-n
  o ‘tishga  tutashgan 
inversion  kanal 
p-n
  o'tish  samaraviy  m aydonini  oshiradi  va  asbobning 
teskari  toki  oshishiga  olib  keladi.  Shunday  qilib,  ion  yoki  kanal 
o4kazuvchanlik  hisobiga  asbob  teskari  toki  ancha  oshadi.
Teskari  tokning  o ‘zgarish  xususiyati  bo'yicha  qaysi  mexanizm  asosiy 
rol  o'ynashini  bilish  m umkin.  Ionlar  toklarning  kuchlanishga  bog'lanish 
chiziqiy,  kanal  toki  esa  kuchlanishning  kvadrat  ildiziga  proporsional 
o ‘zgaradi.
Elektron-kovak  o'tishlarda  teshilish  kuchlanishi  kamayishi  ham  
kanallarning  mavjudligi  bilan  bog‘langan.  Teshilish  kuchlanishi 
p-n 
o ‘tishning  kanal  sohasida  hajmga  nisbatan  kichik,  chunki  kanal 
o'tkazuvchanligi  taglik  m aterial-  baza  o ‘tkazuvganligidan  kattadir.
Asosiy  bo'lm agan  zaryad  tashuvchilar  sirt  rekombinatsiya  tezligi 
yarim o'tkazgich 
material 
sirt 
holatiga 
ta ’sir 
qiluvchi 
zaruriy 
param etrlardan  biridir.
Sirt  rekombinatsiya  tezligi  yuqorida  ko'rilgan  yarim o'tkazgich  qatlam 
sirtidagi 
buzilishlar  va 
adsorbsiya 
m exanizmlari 
hisobiga 
hajmiy 
rekombinatsiyaga  nisbatan  ancha  yuqori  bo'ladi.  Shuning  uchun  asosiy
291

b o ‘lmagan  zaryad  tashuvchilarning  yashash  vaqti  faqat  hajmiy  nuqsonlar 
orqali  aniqlanadigan  vaqtdan  ancha  kichik.
Tranzistorlarda  sirt  rekombinatsiyasi  oshishi  zaryad  tashuvchilar 
ko'chishi 
koeffitsienti 
kamayishiga 
va 
kuchaytirish 
koeffitsienti 
pasayishiga  olib  keladi.  Asboblarning  uzoq  vaqt  ishlashi  davomida 
ularning  elektr  param etrlari  yomonlashadi.  Bunga  asosiy  sabab,  birinchi 
o'rinda 
p-n
  o'tishli  yarim o4kazgich  kristall  sirt  holatining  o ‘zgarishidir. 
Y arim o‘tkazgich  kristall  sirt  holati  o'zgarishi  tashqi  m uhitning  o'zgarishi 
va  uni  yarim o‘tkazgich  materialga  ta ’siri  tufayli  sodir  bo‘ladi.  Shu  sababli 
p-n
  o ‘tishli  yarim o4kazgich  kristall  sirtining  himoyasi  sifatiga  faqat 
tayyor  asbob  elektr  param etrlarigina  emas,  balki  ularning  mustahkamligi 
va  xizmat  vaqti  ham  kiradi.
Y arim o‘tkazgichlar  texnologiyasida 
p-n
 
o ‘tishli 
yarim o4kazgich 
kristall  sirtiga  tashqi  agressiv  m uhit  ta ’sirini  yo‘qotish  uchun  turli 
usullardan  foydalaniladi.  Bu  esa,  asbobning  elektr  param etrlarini  ish 
davomida  turg‘un  va  uzoq  vaqt  saqlash  im konini  beradi.
18.3.  Organik  qoplamalar  yordamida  sirtni  himoyalash
Elektron-kovak  o ‘tishlar  sirtini  tashqi  atm osfera  ta ’siridan  him oyalash 
uchun  namga  chidam li  lak  yoki  kom paund  qoplam alardan  hozirgacha 
foydalanilib  kelinmoqda.  Bu  usul  birinchi  navbatda  planar  b o ‘lmagan 
asboblar,  ya’ni  qotishmali,  qotishm a-diffuzion,  m eza-qotishm ali  va 
m eza-diffuzion  asboblarni  tayyorlashda  qo'llaniladi.
Laklar  va  kom paundlar  bilan  him oyalash  eng  sodda  texnologik 
usuldir.  Ularni  o ‘tish  sirtiga  oddiy  shiprits  bilan  surkaladi,  bunda  albatta 
sirtga  chiqqan  o'tishgina  qoplanm asdan  uning  atrofi  va  chiqqichning 
m a’ium  qismi  ham   laklanadi.  Krem niy  organik  kom paundlar  tiristor 
tuzilmalardagi  yoqlarni  him oyalash  uchun  keng  q o ‘llamladi.  Aytib  o 4tish 
keraki,  sirtni  laklash  yoki  kom paund  bilan  qoplashdan  oldin,  qoida 
bo ‘yicha,  uni  oksidlanadi  yoki  boshqa  ancha  m ustahkam   vositalar  bilan 
him oyalanadi.
Elektron-kovak  o'tishlarni  himoya  qilish  uchun  m ateriallar  sifatida 
turli  kremniy-organik  laklar  va  kom paundlardan  foydalaniladi.  Ular
292

nisbatan  namga  yuqori  chidamli  va  yaxshi  dielektr  xossalarga  ega  ekanligi 
bilan  ajralib  turadi  (III.
8
-jadval).
III. 8-jadval
Turi
Quritish  rejimi
Solishtirma  qarshiligi 
p
,  Onrsm
vaqti,
soat
Temperaturasi,°C 20°C  da
200°C  da
Lak
M K -49
5
200
1014
1012
K -55
3
150
1013
1012
K - l
4
150
1012
1010
П Е -518
3
200
1014
1012
KO-961
1
20
1014
1012
Emal  РП Е-401
5
200
1014
1012
Kom paund
12
100
1013
1012
Emal  Э С -50
2
180
1014
io n
Elektron-kovak  o ‘tishli  yarim o‘tkazgich  kristall  sirtini  himoyalash 
uchun  laklar  va  kom paundlar  bilan  birgalikda  kremniy  organik  vazelinlar 
qoilanilm oqda. 
Vazelinlar 
asosan 
mayda 
dispersion 
to ‘ldirgich 
qo'shilgan 
kremniy-organik 
suyuqliklardan 
olinadi. 
U lar 
yuqori 
izolatsion  xossaga  ega  (20°C  tem peraturada  solishtirma  qarshiligi  10
14 
O m sm ,  150°C  da  esa  10
12
  Om-sm,  elektr  mustahkamligi  15  kV/m).
Vazelinlarning  laklar  va  kom paundlardan  afzallik  farqi  shundan 
iboratki,  ular  yarim o4kazgich  kristallga  surkalgandan  so‘ng  mexanik 
kuchlanishlarni  hosil  qilmaydi.
Organik  himoya  qoplamalarining  boshqacha  qiziq  ko‘rinishlaridan 
biri  silanlash  usuli  bo‘lib,  unda  yarim o‘tkazgich  sirtida  kremniy  organik 
polim er 
pardalar 
olinadi. 
Bu 
holda 
parda 
t o ^ r i d a n - t o ^ r i  
yarim o‘tkazgich  sirtida  m onom er  gidroliz  jarayonida  hosil  qilinadi. 
Masalan,  organogaloidosilan  R^SiX*  (i  =  1,2,3),  gidrolizini  reaksiyasi 
hisobiga  parda  vujudga  keladi.  Bu  yerda  R-organik  radikal,  bular  sifatida 
metil  C N
3
,  etil  S
2
N
5
,  fenil 
X -m onom erni  gidrolizlovchi  qismi,
masalan,  galoid  Cl,  Br  ishlatiladi.
Gidroliz-polim erlash  reaksiyasi  oldindan  suyuq  metilxlorsilan  yoki 
silanli  eritm a  va  ularning  karbon  vodorod  aralashm alarida  nam langan
293

nam unalari,  silanlar  va  ularning  aralashm a  bug'larida  m a’lum  vaqt 
ushlab  turilib  o ‘tkaziladi.
Botirish  usuli  yuqori  himoyali  xossaga  ega  b o ‘lgan  pardani  (ayrimlari 
yaxshi 
yopishqoqlikni 
va 
suv 
o'tkazm aslikni) 
ta ’minlaydi, 
biroq 
galoidosilan  gidrolizi  paytida  ancha  m iqdorda  vodorod  xlorid  paydo 
b o ‘ladi.  Bu  esa,  aluminiy  kontaktlarni  yemirishi  mumkin.  Biroq,  silanli 
eritmalarga  vodorod  xloridni  neytrallovchi  kiritish  m umkin.  Eritm ada 
galoidosilan  konsetratsiyasini  boshqarish  hisobiga  botirish  jarayoni 
boshqariluvchidir.  Parda  qalinligi  0,3  mkm   dan  oshmaydi.
Sirtni  silanlash  usulining,  polim er  laklar  va  kom paundlarni  mexanik 
qoplash  usuliga  nisbatan,  asosiy  afzalligi  yarim o‘tkazgich  sirti  bilan 
himoya  pardasi  orasidagi  kimyoviy  bog‘lanishning  mavjudligidir.  Bu  faqat 
sirtga  yuqori  yopishqoqlikni  ta ’m inlamasdan,  nuqsonlarni  kamaytirib, 
o ‘tishlarni  teskari  tavsifnomasini  yaxshilaydi.  Undan  tashqari,  eritm alarda 
silanlash  usuli  murakkab  uskunalar  talab  qilmagan  holda  himoya 
pardalari  gomogen  o ‘sishi  uchun  sharoit  yaratadi.
18.3.  Kremniy  oksid  va  nitridlar  bilan  himoyalash
Y arim o‘tkazgichli  asboblar va  IM Slar  ishlab  chiqarish  texnologiyasida 
krem niy  IV  oksidi  Si
0 2
  va  kremniy  nitridi  Si
3
N
4
  keng  q o ‘llanilmoqda. 
Asbobni  planar  tayyorlashda  himoya  pardalar  SiC
>2
  va  Si
3
N
4
 boshlang‘ich 
taglikka 
p-n
  o4ishlarni  hosil  qilishdan  oldin  qoplanadi  .
H im oya  pardalar  Si
0 2
  va  Si
3
N
4
  orqali  mahalliy  diffuziya  o ‘tkazilishi 
yarim o‘tkazgich  kristall  sirtiga  chiqqan 
p-n
  o ‘tishni  tashqi  ta ’sirdan 
himoyalagan  holda  ajratish  inkonini  beradi.
Dielektr  Si
0 2
  va  Si
3
N
4
  himoya  pardalarni  olish  usullari  17-bobda 
batafsil  berilgan.  Bu  yerda  biz  qotishmali,  qotishm a-diffuzion  va  meza- 
qotishmali  usullarda  olingan 
p-n
  o ‘tishlarni  him oyalash  usullari  haqida 
to ‘xtalamiz.  Bu  turdagi  asboblarga  him oya  pardalari  SiC
>2
  va  Si
3
N
4
 
p-n 
o'tishlar  va  om ik  kontaktlar  olingandan  so‘ng  qoplanadi.
Elektron-kovak  o'tishli  kremniy  kristall  sirtida  oksidli  himoyaviy 
pardalarini  kuchli  kimyoviy  oksidlovchilarda  ishlov  berish  y o ii  bilan 
olinadi.  K o‘pincha  oksidlovchi  sifatida  nitrat  kislotadan  foydalaniladi.
294

Kremniy  sirtida  hosil  b o ‘luvchi  himoya  pardasining  bir  jinsliligi  va 
qalinligi  ko'pincha  kimyoviy  oksidlanish  rejimiga  bog‘liq.
Elektron-kovak  o'tishli  yarim octkazgich  plastinkalar  sirtiga  oksidli 
himoyaviy  pardalar  qoplash  uchun  kislorod  tarkibli  birikm alarning  suvli 
eritm alaridan  ham  foydalanish  mumkin.  Bu  birikm alar  kremniy  bilan 
o ‘zaro  ta ’sirlashib  kislorod  ajraladi  va  sirtni  oksidlaydi.  Natijada,  yupqa 
himoya  pardasini  hosil  qiladi.  Bunday  eritm alar  sifatida  quyidagi 
aralashm alarni  ko‘rsatishi  mumkin:  100  ml  suv  va  50  mg  natriy  asetati; 
200  ml  suv  va  70  ml  ortofosfat  kislota;  100  ml  suv  va  50  ml  sulfat 
kislota;  150  ml  suv  va  10  g  dvunatriyfosfat  va  boshqalardan  foydalanish 
mumkin.  Bu  aralashmalarda  250-350°  С  tem peraturada  10-15  soat  ishlov 
beriladi.
Kremniy 
plastinkalar 
va 
p-n
 
o ‘tishli 
kristallarni 
katalizator 
qatnashgan  is  gaz  m uhitida  ishlov  berish  bilan  bir  jinsli  SiC
>2
  himoya 
pardalarini  olish  mumkin. 
Katalizator  sifatida  m etan  yoki  etilen 
ishlatiladi.  Bu  usul  qotishmali  yoki  diffuzion  tuzilm alarda  himoyaviy 
pardalarini  olish  imkoniyatini  beradi.
18.5.  Metall  oksidi  pardalari  bilan  himoyalash
Metall  oksidi  pardalari  yarim o‘tkazgich  material  sirtida  himoya 
qoplamasini  hosil  qiladi.  Bu  pardalar  solishtirma  qarshiligi  10
14
  -1 0
15 
Om sm  b o ‘lib,  namga  barqaror  va  issiqqa  chidamlidir.
Yarimo‘tkazgichli  asboblar  ishlab  chiqarishda 
p-n
  o'tishli  kristallarni 
himoyalash  uchun  aluminiy  ,  titan,  berilliy,  sirkoniy  va  boshqalar 
oksidlari  asosidagi  himoya  pardalari  qo‘llaniladi.  N am unaviy  material 
qum  ko'rinishida  olinadi.  Tashuvchi  agent  sifatida  esa  galogen  yoki 
vodorodning  galoid  birikmalaridan  foydalaniladi.  Himoya  pardalarini 
o ‘tqazish 
reaksion 
kam eralarda 
olib 
boriladi, 
unda 
m anba 
va 
yarim o‘tkazgich  material  orasiga  gradientli  tem peratura  o ‘rnatiladi. 
Manba  (qum)  tem peraturasi  yarim o‘tkazgich  tem peraturasidan  yuqori 
bo ‘ladi,  chunki  reaksiya  m ahsulotlari 
p-n
  o'tishlar  sirtiga  o ‘tirishi  kerak.
M anba  va  yarim o'tkazgich  material  orasidagi  tem peratura  gradienti
oshishi  natijasida  himoya  pardasining  hosil  b o clish  tezligi  o csadi.  A1
2
0 3,
BeO, 
ТЮ
2
, 
Z r0
2
 
himoya 
pardalarni 
o'tqazish 
uchun 
manba
295

tem peraturasini 
800-1200°C 
diapazonda, 
p-n
 
o ‘tishli 
kristall 
tem peraturasini  350-500°C  diapazonda  ushlash  kerak. 
Manba  va 
yarim o‘tkazgich  kristall  orasidagi  masofa  tem peratura  gradientiga  b o g iiq  
ravishda 
10-20
  sm  b o ‘lishi  kerak.
Elektron-kovak  o ‘tishIi  yarim o‘tkazgichli  plastinkada  himoya  pardasi 
hosil  bo‘lishning  texnologik  jarayoni  kvars  nayda  olib  borilib,  uning  bir 
uchiga  m anba,  masalan,  AI