Va yarimotkazgichli asboblar texnologiyasi

/ 2
  : H 20   bo£lgan 
yedirgich  yaxshi  natijalar beradi.
Fotorezistni  ketkazish.  Fotolitografiya  texnologik  jarayonining  oxirgi 
amali  fotorezistni  ketkazish  keyingi  bosqichlarning  sifatli  bajarilishiga  olib
278

keladi. 
Bu 
bosqichlarga 
diffuziya, 
oksidlash, 
metallash 
kiradi. 
Fotorezistni  sulfat  kislotada  qaynagan  tuzilishi  buzilgan  polimerda; 
organik  eritmalarda  ishlov  berish  yo‘li  bilan;  plazma-kimyoviy,  termik 
yoki  fototermik  usullarda  ketkaziladi.  Sulfat  kislotada  fotorezist  erishi 
ancha  yuqori,  lekin  metallashgan  tagliklarda  fotorezistlarni  ketkazish 
uchun  organik  eritmalar:  aseton,  metiletileton,  sellyuloza  ishlatiladi.
Plastinkalar  eritmada  20-24  soat  ushlab  turiladi,  keyin  shishgan 
fotorezist  doka  bilan  olib  tashlanadi.
Xulosa  qilib  aytganda,  kontakt  fotolitografiyada  texnologik  jarayon 
borishini  III.46-  rasmdagi  amallar  orqali  bajariladi.
Optik  fotolitografiyada  ajrata  olish  qobiliyatini  oshirish  ishchi 
maydon  diametrini  birdaniga  oshirish  hozirgi  zamon  texnologiyasi  asosiy 
masalalaridan  biridir.  Turli  materiallarda  tasvirni  barpo  qilish  usullari  uch 
yo‘nalishda:  proyeksion  fotolitografiya,  rentgenolitografiya,  elektrono- 
litografiya  yo‘nalishlarida  rivojlanib  bormoqda.
Bu 
usullarni 
kontaktli 
fotolitograflyadan 
farqi, 
birinchidan, 
fotoandozaning  taglikka  surtilgan  fotorezist  bilan  mexanik  kontakti 
yo‘qligi,  ikkinchidan,  iflosliklarga  sezgir  emasligi,  rezist  turiga  bog‘liq 
emasligi  yuqoridagi  ikki  tur  fotolitografiyada  mavjud  bo
4
Isa,  rentgen 
fotolitografiyada  yuqoridagi  afzallikdan  tashqari  ajrata  olish  qobiliyati 
1,5-2 
barobar  kattadir. 
Albatta, 
bu 
usullarning 
o'ziga 
yarasha 
kamchiliklari  mavjud.  Bulardan  biri  birga  qo‘shish  operatsiyasini  bajarish 
va  murakkab  fotokatodlar yaratish  zarurligidir.
Nazorat savollari
1.  Fotolitografiya jarayoni  nima  uchun  zarur?
2.  Fotolitografiya jarayonidagi  amallar kema-ketligini  ayting.
3.  Fotorezistlar xossalari  qanaqa va  unga  qanday talablar qo‘yiladi?
4.  Fotorezistni  taglikka o‘tqazish  usullarini  ayting.
5.  Fotoandoza  nima va qanday vazifani  bajaradi?
6
.  Fotoandozalarga qanday talablar qo‘yiladi?
7.  Qanday usullarda fotorezist  ketkaziladi?
8
.  Fotolitografiyaning asboblar texnologiyasidagi  rolini  ayting.
279

17-BOB.  OMIK  KONTAKTLAR  VA  KONTAKT  TIZIMLAR
17.1.  Urnumiy  ma’lumotlar
Omik  kontakt  deganda,  unda  asosiy  bo'lmagan  tok  tashuvchiiarning 
purkashi 
bo‘lmay, 
volt-amper 
tavsifi 
chiziqli 
bo‘lgan 
metall- 
yarimo'tkazgich 
kontakti 
tushuniladi. 
Omik 
kontakt 
har 
bir 
yarimo‘tkazgichli  asbob  va  IMS  da  elementlar  va  tashqi  zanjirlar 
orasidagi  elektr  aloqani  amalga  oshirishni  ta’minlaydi.
Planar  asboblarda  oddiy  kontaktlar  (III.50-rasm,  a),  dielektrik  qat- 
lam  sirtida  vujudga  keltirilgan  kontaktlar  (III.50-rasm,  b),  tayyorlanadi. 
Keng  tarqalgan  kontaktlar  qollanilishi  faol  soha  o‘lchami  ancha  kamay- 
tiradi  hamda  tashqi  muhitning  yaqin  bo'lmagan  ta ’sirlaridan  saqlaydi.
Kontaktga  bir  qancha  talablar  qo‘yilib,  lining  bajarilishi  asbobning 
elektr  va  mexanik  xossalari  hamda  qaysi  shaklda  tayyorlangani  tur- 
g'unligini  taqozo  qiladi.  Kontakt  to ‘gbrilamaydigan  (uning  qarshiligi 
elektr  tok  yo'nalishi  owzgarishi  bilan  o'zgarmasligi),  ya’ni  volt-amper  tav­
sifi  chiziqiy  (ya’ni  uning  qarshiligi  tokga  bog'liq  bolmasligi  kerak);  p-n 
o'tishning  tik  ham  parallel  yo'nalishlarida  juda  kichik  qarshilikka  ega 
bo'lishi,  yuqori  issiqlik  o'tkazuvchanlikka  va  yarimo‘tkazgichga  yaxshi 
yopishqoqlikka  (oksidga  ham)  ega  bo'lishi,  asosiy  bo'lmagan  zaryad 
tashuvchiiarning 
purkalmasligi; 
yarimo‘tkazgich 
va 
chiqqich 
materiallarning  temperaturaviy  kengayish  koeffitsienti  bir-biriga  yaqin 
bolishi  talab  qilinadi.
Bu 
talablarning 
birortasi 
bajarilmasligi 
asbob 
tavsifmi 
yomonlashtiradi.  Agar  omik  kontakt  nochiziqiy  volt-amper  tavsifiga  ega 
bolsa,  unda  asbobning  volt-amper  tavsifi  buziladi.  Kontakt  qarshiligi
oshishi  asbobni  to ‘g‘rilash  va 
kuchaytirish 
xossalarini
yomonlashtiradi.  Agar  kontakt 
purkovchi  bo‘lsa,  u  asbobning 
teskari  toki  oshishiga  olib  keladi.
Albatta, 
kontaktni 
barcha 
talablarga  javob  beradiganarini 
topish  qiyin.
а) 
Ю
Ul.50-rasm.  Planar asboblaming kontaktlari 
sxemalari.
1-chiqqich;  2-kontakt;  3-dielektrik qatlam.
280

17.2.  Kontakt  materiallar  va  kontakt  tizimlarning 
ko‘rinishlari
M etalll-yarim o'tkazgichning  kontakti  o ‘rnashganda  hosil  b o ‘lgan 
elektr  to ‘siq  elektronlarning  metall 
cpm 
va  yarim o‘tkakzgich 
ф уа 
chiqish 
ishlarining  farqi  bilan  aniqlanadi.  Shottki  modeliga  asosan,  metall- 
yarim o‘tkazgich  kontakt,  agarda  (pm<(pya  (л-turli  yarim ofitkazgich  uchun) 
va  (/?-tur  yarim o‘tkazgich  uchun)  bo'lsa,  om ik  bo‘ladi.  Biroq,  real 
sharoitlarda 
m etall—yarim octkazgich 
ф т < Фуа 
qismidagi 
energetik 
holatlarning  ta ’siri  natijasida  ko‘p  hollarda  om ik  kontaktni  olish  qiyin 
bo ‘ladi.  Y arim o‘tkazgichda  kontakt  sohasi  yaqinida  yuqori  iegirlashni 
yaratish  kontakt  sifatini  yaxshilaydi.  Bunday  soha  yarim o4kazgich 
qanday  elektr  o'tkazuvchanlikka  ega  b o ig a n   bo‘lsa,  u  ham   shunday 
elektr  o ‘tkazuvchanlikga  ega  bo ‘lib,  natijada 
rt-n
  yoki 
p+-p
  turdagi 
tuzilm alar  hosil  b o ‘ladi.
Yuqori  legirlangan  sohani  eritish,  diffuziya  yoki  ion  kiritish  usulida 
mos  kirishmalar  kiritish  bilan  hosil  qiladi.  Bunday  sohalarni  Ge,  Si, 
G a As  va  boshqa  yarim o‘tkazgichlarda  omik  kontaktlar  yaratish  bilan 
hosil  qilinadi.  Biroq,  b a’zibir  keng  zonali  yarim o‘tkazgichlarda  xususiy 
qaram a-qarshi  belgili  nuqsonlar  bilan  kirishmalarning  kompensatsiya 
effekti  tufayli  ular  asosida  kontaktlar  olish  qiyin.  Kontaktning  injeksion 
xossasini  kamaytirish  uchun  rekombinatsiyaning  effektiv  markazlari 
b o ‘ladigan 
chegaraga 
kirishmalar 
kiritish 
kerak. 
Ikkinchi 
usuli 
yarim o‘tkazgich  sirtini  qayta  ishlash  natijasida  buzilgan  qatlam ni  hosil 
qilish  bilan  kamaytirish  mumkin.
Kontakt 
material 
talablariga 
ko‘proq 
yaxshi  javob  beradigan 
aluminiydir. 
Aluminiy 
yuqori 
o 6tkazuvchanlikka 
ega, 
u 
plastik, 
kremniyga  yaxshi  yopishadi,  SiC
>2
  bilan  o ‘zaro  ta ’sirlashmaydigan 
yedirgichlarni  qo'llash  bilan  Si
0 2
  va  Si
3
N 4da  oson  fotolitografik  ishlovi 
beriladi.  Aluminiy  kremniy  bilan  turg'un  metallurgik  tizimni  hosil  qiladi. 
Aluminiy  pardaga  term obosim   usulida  chiqqichlarni  oson  kavsharlash 
mumkin.
Aluminiyni  kontakt  material  sifatida  quyidagi  kamchiliklari:  700°C  ga 
va  undan  yuqori  tem peraturada  kremniy  ikki  oksidini  himoya  pardasi 
bilan  faol  tiklanish  reaksiyasi  natijasida 
p-n
  o ‘tish  qisqa  tutashib  qolishi 
m umkin;  kavsharlash  murakkabligi  va  elektrolitik  o4irishni  amalga 
oshirib  b o ‘lmasligi; 
ikki 
qatlamli 
tuzilma 
oltin-alurniniy 
turg4in

intermetall  birikma  hosil  qiladi,  u  keyinchalik  kontaktni  izdan  chiqardi 
va  asbob  um um an  ishdan  chiqadi  (bu  hodisa  adabiyotlarda  m a’lum  «to‘q 
qizil  chuma»);  zanglash  va  chekli  mexanik  mustahkamligi  va  boshqalar.
Aluminiydan  kontakt  material  sifatida  chastotasi  1  G hz  gacha 
b o lg an   kam  quvvatli  kremniy  asboblarini  tayyorlashda  foydalanish 
mumkin.
Yuqori  sifatli  kontaktlarni  ko‘p  qatlamli  tizim lar  asosida  olish 
m umkin. 
Unda  o'tish  qarshiligi  kichik,  oksid  qatlam lar  tiklanish 
imkoniyatiga  ega,  yarim o‘tkazgichga  kirgan  kontakt  sayoz  chuqurlikni 
ta ’minlaydi.  Undan  tashqari,  metall  kontakt  qatlam   va  chiqqich  metall 
bilan  bir-biriga  mos  kelgan  yuqori  o ‘tkazuvchanlikka  ega  qatlam   hosil 
qilish  uchun  foydalaniladi.
Kontakt 
qatlam lar 
olishda 
titan, 
xrom, 
vanadiy, 
molibden, 
volframdan  foydalaniladi.
Titan  yuqori  zanglashga  chidamliligi  va  mexanik  mustahkamligi, 
ham da  turg‘im  metallurgik  tizimni  hosil  qilish  qobiliyati  sababli  kremniy 
qatlami  bilan  pastki  kontaktlashuvchi  sifatida  kremniyda  kontakt 
tizimlarini  yaratishda  qo£llaniladi.
Bir  qatlamli  titan  kontaktidan  foydalanish  m um kin  emas,  chunki 
titan  solishtirma  qarshiligi  (5,8-10
"7
  Om-m)  va  tez  oksidlanadi.  Kremniy 
sirtiga  o ‘tkazilgan  titan  qatlami  to cg‘rilanm aydigan  kontaktni  vujudga 
keltiradi  va  keyingi  metall  qatlam   uchun  u  yopishqoqdir.
Titan  pardalar  kremniyda  ko‘p  qatlamli  omik  kontaktlarni  vujudga 
keltirishda  q o cllaniladi.  Bularga  Si-Ti-Au,  Si-Ti-M o-A u,  S i-T i-M o-C r- 
Au  va  boshqalarni  ko‘rsatish  mumkin.
Kontakt  qatlam   sifatida  foydalanadigan  xrom  pardalar  kremniy  bilan 
to'g'rilam aydigan  kontakt  hosil  qiladi  va  undan  keyin  surkaladigan 
metallga  yaxshi  yopishqoqlikni  ta ’minlaydi.  Xrom  kamchiligi  aluminiyga 
o ‘xshab  SiC
>2
  bilan  470  К   tem peraturada  faol  o ‘zaro  ta ’sirlashmaydi. 
U ndan  tashqari,  xrom  odatda  mexanik  kuchlanish  holatda  turadi  va 
yetarli  darajada  g‘ovak.
0
‘tkazgich  qatlam  materiali  sifatida  alum iniy  va  oltin  ancha  ko‘p 
foydalaniladi.  Kumush  va  mis  osongina  oksidlanishi  sababli  bu  m aqsadlar 
uchun  ancha  kam  qo‘llaniladi.
Kontakt  tizimlarda  o ‘tkazuvchi  qatlam  vujudga  keltirish  uchun  yuqori 
o'tkazuvchanlikka  ega  bo'lgan  va  kimyoviy  inert  oltindan  foydalanish 
mumkin.  Biroq,  bunday  pardalarning  krem niy  va  SiC
>2
  ga  yopishqoqligi 
yomon.  Shuning  uchun  oraliq  qatlam larni  Al,  Ti,  Cr,  M o,  Ta-lardan
282

yaratish  zarurligini  ko‘rsatadi.  Si-Ti-Au,  Si-Cr-A u,  Si-W -Au,  Si-M o-Au 
va  boshqalar  omik  kontakt  tuzilmalarda  oltin  tashqi  o ‘tkazuvchi  qatlam ni 
vujudga  keltirish  uchun  foydalaniladi.
Ajratuvchi,  to ‘siq  qatlamlarni  yaratish  uchun  odatda  platina,  titan, 
m olibden  pardalar  qo‘llaniladi.  Platina  ancha  yaxshi  ajratuvchi  xossaga 
ega  bo ‘ladi,  chunki  qalinligi  0,05  mkm  b o ‘lgan  platina  parda  kontakt  va 
o £tkuzuvchi  qatlamlarni  vujudga  keltirish  uchun  foydalanadigan  ko‘pgina 
m etalllar  orasidagi  o ‘zaro  ta ’sirni  yo‘qotadi.
Ajratuvchi  qatlamsiz  kontakt  tizim   turg‘un  b o ‘lmaydi.  Chunki,  ikki 
qatlamli  C r-A u  tizimda,  m etalllar  o ‘zaro  diffuziyasi  tufayli,  kontakt 
qarshiligi  oshishiga  sabab  b o ‘luvchi  qattiq  eritm alarning  hosil  b o ‘lishiga 
olib  keladi.
17.3.  Omik  kontaktlar  va  kontakt  tizimlarini  vujudga 
keltirish  usullari
Omik  kontaktlar  odatda  qotishtirish,  elektrokimyoviy  yoki  kimyoviy 
o ‘tqazish, 
b o ‘shliqda 
(vakuumda) 
bug‘lantirish, 
term obosim  
yoki 
ultratovush  usullarida  tayyorlanadi.
Qotishmali  usul  bilan  om ik  kontaktlarni  olish  jarayoni  quyidagicha 
olib  boriladi.  Kristall  plastinka  sirtiga  yupqa  metall  qatlam ,  metall  sim 
yoki  sharcha  o ‘rnatilib,  ularni  suyulish  tem peraturasigacha  qizdiriladi. 
Bunda  yarim o‘tkazgichda  ozgina  m iqdorda  suyulish  bo'ladi.  Sovishi 
natijasida  eritma  bilan  yarim o4kazgich  tizim ida  legirlanuvchi  kirishma
metall  bilan  kristallanadi.  N ati- 
jada,  yarim o‘tkazgich  o4kazuv- 
chanligiga  mos  kelgan  yuqori 
legirlangan  qatlam   vujudga  ke­
ladi  va 
Me-n+-n
  yoki 
Me-p+-p 
turdagi  tuzilm a  paydo  bo'ladi. 
Qotishtirish  jarayonida  yarim- 
o ‘tkazgichning 
metall 
bilan 
h o cllanuvchanligi  katta  aham i- 
yatga  ega. 
H ocllanuvchanlikni 
yaxshilash 
uchun 
yarim o't- 
kazgich  sirti  kirishm alardan  va 
oksid  qatlam lardan  tozalanadi.
4 
1
III.51-rasm.
  Qotishtirish  usulida  omik 
kontakt va 
p-n
 o‘tishni olish sxemasi. 
1-aluminiy  sim;  2-kristall;  3-omik  kontakt; 
4-moslama (grafitdan tayyorlangan).
283

Qoldiq  sirt  pardalarini  ketkazish  uchun  flyuslar  qo'llaniladi.  Qotishtirish 
bilan  olingan  yarim o'tkazgich-m etall  kontakt  xona  tem peraturasida  katta 
qoldiq  kuchlanish  paydo  b o ‘lmasligi  uchun  yarim o‘tkazgich  va  m etalllar 
issiqlikdan  kengayish  koeffitsientlari  qiymatlari  b o ‘yicha  bir-biriga  yaqin 
b oiishi  kerak.  Metall  yetarli  darajada  plastik  b o lish i  maqsadga  muvofiq 
bo'ladi.
Sanoatda  maxsus  moslama  yordamida  omik  kontakt  bilan  birlikda 
p- 
n
  o'tish  hosil  qilinadi  (III.5 1-rasm).
Omik  kontaktlarni  elektrokimyoviy  usulda  olish  jarayoni  elektrolitik 
vannada  tuzlarni  hosil  qiluvchi  elektrodlar  orasidan  oqayotgan  tok  o ‘tishi 
katodda  metallni  o ‘tqazish  hisobiga  ro ‘y  beradi.
Kimyoviy  va  elektrokimyoviy  o ‘tqazish  asosan  nikel  va  oltin 
kontaktlar  olish  uchun  qo ‘laniladi.
Kontaktni  olishda  kimyoviy  o ‘tkazish  jarayoni  eritm ada  tiklanuvchi 
reagent  yordamida  tuzdan 
metallni  tiklab  yarim o‘tkazgich  sirtiga 
o ‘tkazish  amalga  oshiriladi.
Nikelni  kimyoviy  o ‘tqazish  я -turdagi  kremniy  qarshiligini  ancha 
kamaytirish 
imkonini 
beruvchi 
fosfat 
elektrolitlarida 
yuz  beradi. 
Kremniyni  nikellashda  ancha  keng  tarqalgan  eritm alardan  biri  tarkibiga 
quyidagilar  kiradi:  30  g//  nikel  xloridi,  12  g//  natriy  gipofosfit;  60  g// 
limonno-kisliy  natriy;  50  g/7  aluminiy  xloritdan  foydalanish  mumkin.
H ar  bir  kvadrat  santimetrga  2  sm
3
  eritm a  olinadi  va  nikellash  92°C- 
96°C  da  10-12  min  davom  etadi.  Nikelni  o'tqazish  ishqoriy  eritm alarda 
pH-3^-10  da  yuz  beradi.  Nikel  barqaror  b o ‘lishi  uchun  jarayon  boshida 
eritmaga  2-4  sm
3
  am m iak  eritmasi  qo'shiladi.  Bunda  elektrolit  yashil 
rangdan  ко'к  rangga  aylanadi.  Nikellash  tem peraturasida  am m iak  tezda 
uchib  ketadi.  Shuning  uchun  eritmaga  davriy  ravishda  am m iak  qo‘shib 
turiladi,  bunda  rang  doim o  ko‘k  bo'lishi  kerak.
Oltinni  o 6tqazish  jarayoni  asosan  elektrokimyoviy  usullarda,  ya’ni 
oltin  xlor  yoki  kaliy  ditsianoaurat 
K A u(C N
)2
  asosidagi  ishqoriy 
elektrolitlarda  o £tkaziladi.  Ishqoriy  elektrolitlarda  tok  zichligi  20-40  A/m
2 
va  tem peraturasi  300-340K  b o ‘lganda  oltinni  o'tqazish  tezligi  0,025-0,05 
mkm/min  dan  oshmaydi.
Planar  texnologiya  rivojlanishi  bilan  omik  kontaktlarni  tayyorlash 
uchun  vakuumda  purkash  usuli  qo‘llanila  boshlandi.  Bu  usul  hozirgi 
paytda  m ikrosxemalar  tayyorlash  uchun  keng  q o ‘llanilmoqda.  Vakuumda 
purkash  metallni  qizdirilgan  chulg‘am  yordamida  bug4antirish  bilan
284

amalga  oshiriladi.  C hulg'am lar  yoki  kichik  qayiqchalar  yordamida 
qizdirishda  yarim o‘tkazgich  sirti  turli  kirishm alar  bilan  ifloslanishi 
m um kin. 
U ndan 
saqlanish 
uchun 
jarayon 
boshida 
to ‘siqlardan 
foydalanish  mumkin.  Ikki  yoki  undan  ortiq  m etall  qatlam larni  olishda, 
odatda  bir-biri  bilan  bog‘liq  b o ‘lmagan  qizdirgich  tizimlari  bilan 
ta ’m inlangan  qurilm alar  qo‘llaniladi.
Term ik 
bugiantirish 
chuqur 
vakuum da 
o ‘tkaziladi. 
Metall 
kontaktlarni  olishda  vakuumda  purkashning  turli  qurilmalari  mavjud.  Biz 
bu  yerda  sanoatda  keng  qo‘llaniladigan  vakuumda  purkash  qurilmasini 
(III.52-rasm )  ko‘rsatamiz.
Qurilm aning  ishchi 
1
  kamerasiga  yarim o'tkazgich 
2
  plastinkalar, 
4 
bug‘lantirgich  va 
3
  to ‘siq  joylashtirilgan.  Ishchi  hajmdagi  bosim 
5
  asbob 
yordamida  o ‘lchanadi.
Boshlang‘ich  vakuumni  hosil  qilish  uchun 
9
  forvakuum  nasos 
yordamida 
1 1
  diffuzion  nasos 
1 2
  klapani  va 
1 0
  kran  yopiq  holga 
o4kaziladi.  7 va 
8
 kranlar  ochiq.  Ishchi  hajm da  bosim 
10
  Pa  bo4ganda  7 
kran  yopilib, 
10
  kran  va 
12
  klapan  ochiladi.  Natijada,  diffuzion  nasos 
orqali  vakuum  olinadi.  Qoldiq  gazlar  va  yog
4
  bug‘larini  kondensirlash 
uchun  suyuq  azot  bilan  toidirilg an  
6
 tuzoq  xizmat  qiladi.
Termik  bugiantirishda  materiallarni  b ugiantirish  uchun  W,  Та  simli, 
M o, 
Та 
tasmali 
yoki 
kvars, 
grafit, 
keramika 
qizdirgichlardan 
foydalaniladi.  Bu  m ateriallar  bug4antiriluvchi  juda  ko‘p  m ateriallar  bilan 
o 4zaro  ta ’sirlashmaydi.
M etall  pardalarni  qoplashda  katod  changlanish  usuli  bugMantiriluvchi 
metallni  qizdirish  o 6rniga  uni  inert  gaz  ionlari  bilan,  ko‘pincha  argon
lll.52-rasm
  Vakuumda  purkash  quril- 
masining  sxemasi:
/-ishchi  kamera (qalpoq),
2-yarimo‘tkazgich  plastinka,
3-to‘siq,
^-bug'lantirgich,
J-manometr,
6-ushlagich,
7-kran,
£-kran,
9-forvakuum  nasos,
10-
kran,
/У-diffuzion nasos,
/2-ochuvchi-yopuvchi  moslama.
285

ionlari  bilan  bom bardim on  qilinadi.  Katod  changlanish  usuli  oldin  biz 
ko‘rgan  yedirish  usuliga  o'xshaydi  va  bunda  katod-nishon  m etalldan 
tayyorlanib,  uning  asosida  parda  hosil  b o cladi.  Katod  changlanish  usuli 
bilan  har  qanday  m etalldan  pardalar  olish  mumkin.  Parda  qalinligi  va 
sifati  katod  tokining  qiymati  va  inert  gaz  bosimi  bilan  aniqlanadi.  Katod 
chaglanish  tezligi  chaglanish  koeffitsienti  katodni  tashlab  chiquvchi 
m etallar  atomlari  m iqdorining  uni  bom bardim on  qiluvchi  ionlar  soniga 
nisbati  bilan  aniqlanadi.  Changlanish  koeffitsienti  changlanuvchi  metall 
ionining  energiyasiga  va  tushish  burchagiga  bog‘liq.  Katod  chaglanish 
qurilm alarida  yarim o‘tkagich  sirtini  boshlang'ich  tozalash  imkoniyati 
ham  mavjud.
Bu  katod  changlanish  usulining  kamchiligi  shuki,  uning  apparaturasi 
m urakkab  va  metall  pardalarda  gaz  molekulalaridagi  kirishmalarning 
b o ‘lib  qolishidir.
Aluminiy  asosida  omik  kontaktlar  tizimini  yaratish.
Aluminiy  pardalarni  qoplash  uchun  vakuum da  (5* 10 
3
  Pa)  term ik 
bug'lantirish  usuli  keng  q o ‘llaniladi.
Sifatli  pardani  elektron-nur  qizdirgichda  alum iniy  simlarini  qizdirish 
bilan  olish  mumkin.  Bunda  aluminiyda  bug‘lanish  tezligini  elektron  oqim 
quvvatini  o ‘zgartirish  bilan  keng  oraliqda 
0
‘zgartirish  mumkin.
Quvvat  oshishi  bilan  metall  kondensirlash  tezligi  chiziqli  o'sadi. 
Elektron  nur  quvvati 
6
  kW  va  taglik  bilan  osilgan  sim  orasidagi  masofa
0,25  m  bo ‘lganda  kondensatsiya  tezligi  taxm inan  0,15  mkm/s  ni  tashkil 
qiladi.
M a’lumki,  hosil  bo'lgan  parda  tuzilmasi  va  kontakt  sifati  taglik  sirti 
sifatiga  va  tem peraturaga  bog‘liq.  Shuning  uchun  alum iniy  pardani 
kremniy  taglikka  o ‘tqazishda  tem peratura  600  К  dan  820  К  gacha 
b o ‘lgan  oraliq  tanlanadi.  Bu  tem peraturalar  oshishi  alum iniy  pardani 
ancha  katta  donadorlikka  olib  keladi.  U ndan  tashqari,  770  K-820  К 
oraliq  tem peraturada  aluminiyning  kremniyga  yopishqoqligi  ancha  oshib 
ketadi.  Kristall  bilan  parda  o ‘rtasida  suyulma  b o ‘lishidan  saqlanish 
uchun,  taglik  tem peraturasi  950  К   dan  oshmasligi  kerak.
Pardani  qoplashdan  oldin  taglik  yuqori  darajada  tozalangan  b o ‘lishi 
kerak.  Buning  uchun  ular  ftorid  kislota  (H F ),  aseton  bilan  (1:10) 
aralashm ada  va  toza  asetonda  uch  m artaba  yuvish  bilan  yedirishdan 
o ‘tkaziladi.
Elektr  o ‘tkazuvchanligi 
n
-tu r  b o ‘lgan  kremniyda  om ik  kontakt 
qarshiiligini  kamaytirish  uchun  oltindan  parda  qoplanadi.  Buning  uchun
286

F 
Bosim
 
F
I 
i 
*
vakuumda 
molibdenli 
tigeldan 
term ik 
bug'lantirish 
usulidan 
foydalaniladi.  So‘ng  640  K-670  К 
tem peraturada  term ik  ishlov  beriladi.
Boshqa 
materiallar 
asosida 
kontakt  tizimlarini  yaratish.
III.53-rasm.
  Term obosim  
(a)
  va  ul- 
tratovush  payvandlash  (
b
)  usullarida
L f c r a J  
С
a)
b)
Kremniyga  Ti-Au  tizimli  ikki 
qatlamli  omik  kontaktni 
yaratish 
uchun  issiqlikdan  bug‘lantirish  yoki 
katod 
o ‘tqazish 
usulidan
kontaktni  hosil  qilish: 
/-qizdirgich, 
2
-
  foydalaniladi.  Oldin  volfram  spiralda 
kristall,  3-chiqqich,  4-sim  dozatori,  5-