Закон Гесса. Изменение энергии Гиббса и направление реакции. Свободная энергия Гельмгольца


Download 0.61 Mb.
Pdf ko'rish
bet7/16
Sana09.04.2023
Hajmi0.61 Mb.
#1343512
TuriЗакон
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   16
Bog'liq
Назаржонов.А ПДФ


Разделение веществ на полупроводники и диэлектрики весьма условно
потому материалы с шириной запрещённой зоны более 3—4 эВ и менее 4—5 
эВ иногда относят к широкозонным полупроводникам — материалам, 
совмещающим свойства и диэлектриков и полупроводников. К 
широкозонным 
полупроводникам 
относят алмаз (5-6 
эВ), GaN (3,4 
эВ), ZnS (3,56 эВ), ZnO (3,4 эВ). В то же время к диэлектрикам обычно 
относят TiO2 (3,0 эВ), Та2О5 (4,4 эВ), Al2O3 (~7 эВ), SiO2 (~9 эВ), HfO2 (~5,4 
эВ) и мн. др. При достаточно высоких температурах все диэлектрики 
приобретают полупроводниковый механизм электропроводности. Отнесение 
вещества к тому или иному классу больше зависит от способа использования 
или предмета изучения вещества тем или иным автором. Иногда в классе 
полупроводников выделяют подкласс узкозонных полупроводников — с 
шириной запрещённой зоны менее 1 эВ. 
Зонная теория является основой современной теории твёрдых тел. Она 
позволила понять природу и объяснить важнейшие свойства проводников, 
полупроводников и диэлектриков. Величина запрещённой зоны между 
валентной зоной и зоной проводимости является ключевой величиной в 
зонной теории, она определяет оптические и электрические свойства 
материала. 


Поскольку одним из основных механизмов передачи электрону энергии 
является тепловой, проводимость полупроводников очень сильно зависит 
от температуры. Также проводимость можно увеличить, создав разрешённый 
энергетический уровень в запрещённой зоне путём легирования. C помощью 
легирования создаются все полупроводниковые приборы: солнечные 
элементы (преобразователи света в электричество), диоды, транзисторы, 
полупроводниковые лазеры и другие. 
Нахождение собственных функций и значений уравнения Шрёдингера 
по сути складывается из двух частей. Первая часть — это определение 
периодического потенциала, вторая сводится к решению уравнения при 
данном потенциале. Расчёт зонной структуры конкретных полупроводников 
крайне затруднен в силу целого ряда причин, и прежде всего потому, что 
отсутствует аналитическое выражение для
Поэтому при любых расчётах в формулах содержатся некоторые параметры, 
значение которых определяется на основе сравнения с экспериментальными 
данными. Например, ширина запрещённой зоны определяется только 
экспериментально. 
Наиболее широко в конкретных расчетах зонной структуры 
используются следующие методы: 
1. Метод линейных комбинаций атомных орбит (ЛКАО). 
2. Метод присоединённых плоских волн (ППВ или APW — Augmented Plane 
Waves). 
3. Метод Функции Грина (Корринги — Кона — Ростокера, или ККР). 
4. Метод ортогонализированных плоских волн (ОПВ). 
5. Метод псевдопотенциала. 
6. Различные интерполяционные схемы (kp) – метод, эмпирический метод 
псевдопотенциала, комбинированный метод псевдопотенциала и ЛКАО). 



Download 0.61 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   16




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling