Ҳозирги замонавий электрон қурилмаларни яратишдаги технологиялар такомиллашиб борган сари ташқи муҳитларга чидамли яримўтказгич материалларни яратишдаги имкониятлар ошиб бормоқда. Бу яримўтказгич қурилмалар (ўта катта интеграл схемалар, микропроцеcсорлар) дан амалиётда фойдаланганда нисбатан катта миқдорда иссиқлик ажралиб чиқади. Бундай яримўтказгич асбобларни доимий совутиб туриш талаб этилади. Шу сабабли ажралиб чиқадиган иссиқликнинг физик моҳиятини билиш ва уни бартатраф этиш керак бўлади. Бу каби яримўтказгич қурилмалар ва асбобларни совитишда кульерлар билан бир қаторда марганец олий силицид – кремний асосида яратилинган структуралардан ҳам самарали фойдаланиш имкониятлари аниқланган. Маълум ташқи кучланиш уланган элемент ва структураларда Жоуль иссиқлигидан ташқари, яримўтказгичлар физикасида маълум бўлган Пельтье иссиқлиги ҳам ажраб чиқади. Иссиқлик таъсирида ҳосил бўлган ток ташувчиларни совуқ томонга тартибли ҳаракати туфайли термоэлектр юритувчи кучланиш (ЭЮК) ҳосил бўлади. Ҳосил бўлган иссиқлик ҳисобига ишлайдиган юпқа қатламли термобатареяларни яратиш ҳозирги куннинг долзарб масалаларидан ҳисобланади.
ДИССЕРТАЦИЯ МАВЗУСИНИНГ ДОЛЗАРБЛИГИ ВА ЗАРУРАТИ
МУОММОНИНГ ЎРГАНИЛГАНЛИК ДАРАЖАСИ
Хорижий олимлар И.Борен, А.Фогель ҳамда германиялик олим М.Бинневес ва бошқаларнинг илмий мактабларида, марганец силицидларининг ҳосил бўлишдаги фазалар ўтиш ҳолати, яримўтказгич материаллар, шу жумладан кремний сиртида хосил бўлган марганец атомларининг турли хил таркибда бўлиши марганец силицидларининг электрофизик ҳамда физик-кимёвий хусусиятларининг ўзгаришига боғлиқ бўлиши ўрганилган.
МДҲ олимларидан В.К.Зайцев, О.С.Орехов, Ф.Ю.Соломкин, В.В. Клечковская, Л.И.Петрова ҳамда О.Н.Груба томонидан кремний сиртида марганец атомлари 13 хилдан ортиқ силицидларни хосил қилиши, уларни ичида энг кўп тарқалгани Mn4Si7 таркибидаги марганец олий силициди эканлиги ва унинг электрофизик хусусиятлари яримўтказгич материаллар каби бўлиши аниқланган.
Do'stlaringiz bilan baham: |