014 L3: Алимов Жамшид №1

Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ток кўзгусини тадқиқ этиш.



Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ток Схеманинг NI-Multisim дастурий муҳитида йиғилган ҳолати

Берилган параметр: E_П=V₁=12 В I_у=9 мА, U_зи=2В.

Берилган параметр бўйича дастлабки ҳисоблашлар:

R1 қаршиликни ҳисоблаш.

R1= (Е_П – U_зи) / I_у = = 1111.11Ω

Юклама қаршилигининг қийматини R_Н = 0 Ом дан R_Н = 1,5R1 кОм гача 0,1 кОм қийматга ошириб борамиз ва натижаларни жадвалга ёзиб оламиз.

R_H1 = 0 R1 = 0 Ω

R_H2 = 0.1 R1 = 111.111 Ω

R_H3 = 0.2 R1 = 222.222 Ω

R_H4 = 0.3 R1 = 333.333 Ω

R_H5 = 0.4 R1 = 444.444 Ω

R_H6 = 0.5 R1 = 555.555 Ω

R_H7 = 0.6 R1 = 666.666 Ω

R_H8 = 0.7 R1 = 777.777 Ω

R_H9 = 0.8 R1 = 888.888 Ω

R_H10 = 0.9 R1 = 999.999 Ω

R_H11 = 1 R1 = 1111.11 Ω

R_H12 = 1.1 R1 = 1222.221 Ω

R_H13 = 1.2 R1 = 1333.332 Ω

R_H14 = 1.3 R1 = 1444.443 Ω

R_H15 = 1.4 R1 = 1555.554 Ω

R_H16 = 1.5 R1 = 1666.665 Ω

Rн,кОм	0	111,111	222,222	333,333	444,444	555,555	666,666	777,777
URН, В	0	1	1.999	2.999	3.998	4.997	5,997	6.996
IН, мА	100	8.997	8.997	8.999	8.995	8.997	8.995	8.995
δ, %	0.055	0.055	0.055	0.055	0.055	0.055	0.055	0.055

Rн,кОм	888,888	999,999	1111,11	1222,221	1333,332	1444,443	1555,554	1666,665
URН, В	7.995	8.995	9.994	10.993	11.759	11.805	11.830	11.848
IН, мА	8.995	8.995	8.997	8.995	8.820	8.175	7.606	7.111
δ, %	0.055	0.055	0.055	0.055	0.055	0.055	0.055	0.055

Олинган натижаларга ишлов бериш.

Симуляция нитижасида ток оқими хатолигини ҳисоблаш. Биринчи ҳисоблашда ток оқими хатолигини ни ташкил этди. Симуляцияни биринчи марта ишга туширганда Iу бошқарувчи ток оқими хатолиги 3% гача бўлиши мукин.

Бу ерда, I_у ток вариант бўйича, 𝐼_из ток олчаб олинади.

Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: