1947 yilning 23 dekabrida 3ta amerika fiziklari

1947 yilning 23 dekabrida 3ta amerika fiziklari: Uilyam Shokli, Djon Bardin va Uolter Bratteynlar hamkasblariga yangi yarimo’tkazgichli asbob – kuchaytirgich yoki tranzistorni namoyish etishdi.
U radiolampalarga nisbatan miniatyur, arzon, mustahkam, chidamli hamda kam quvvat iste’mol qiladi.
1956 yilda tranzistor ixtirochilari Nobel mukofotiga sazovor bo’lishgan.
Birinchi IMSlar 1958 yilda yaratildi. IMSlarning hajmi ihcham, og’irligi kam, quvvat sarfi kichik, ishonchliligi yuqori bo’lib, hozirgi kunda uch konstruktiv – texnologik variantlarda ishlab chiqarilmoqda: qalin va yupqa pardali, yarimo’tkazgichli va gibrid.
2000 yilda Djek Kilbi , Kremer va Jores Alferovlar birinchi IMS yaratishganligi uchun Nobel mukofotiga sazovor bo’lishgan.
Integral mikrosxema (IMS) o’ta ixcham, o’ta pishiq, kichik tannarxga ega bo’lgan va kam quvvat iste’mol qiladigan radioelement yasash yo’lidagi urinishlar mahsulidir.
IMS (angl. chip «yupqa plastinka» maʼnosini ham bildiradi.
IMS elementi deb, konstruksiyasi bo’yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, ERE funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi.
Integratsiya darajasiga koʼra: kichik, oʼrta, katta, oʼta katta, ulьtra katta va giga katta IMSlar (kichik-100 tagacha element, oʼrta-100-1000, katta-1000-10000, oʼta katta-10000 dan ortiq).
Qabul qilinayotgan, saqlanayotgan va ishlov berilayotgan signal turiga koʼra: analog va raqamli IMSlar;
Tayyorlanish konstruktiv-texnologik turiga koʼra: yarimoʼtkazgichli, pardali va gibrid IMSlar;
Аktiv element turiga koʼra: bipolyar tranzistorli va MDYa-tranzistorli IMSlar;
Isteʼmol quvvatiga koʼra: kam quvvatli, oʼrta quvvatli, katta quvvatli IMSlar;
Ishchi chastotasiga koʼra: past chastota, oʼrta chastota va yuqori chastota IMSlari;
Elementlarni bir-biridan izolyatsiyalanish usuliga koʼra va x.z.