Reja: Raqamli ims larning klassifikatsiyasi, markalanishi va sxemalarda shartli belgilanishi 2

---

TT 11-21 guruh 2-bosqich talabasi 
Elektronika va sxemalar fanidan tayyorlagan 
Bajardi: To’xtayev.B
Qabul qildi: Rustamova.M 
 
Reja: 
1.Raqamli IMS larning klassifikatsiyasi, markalanishi va sxemalarda shartli 
belgilanishi 
2. TTM  va TTMSH  markalanishi va xarakteristikasi 
3
.
KMDYa, markalanishi va xarakteristikalari. 

---

Raqamli IMS larning klassifikatsiyasi, markalanishi va sxemalarda shartli 
belgilanishi 
Integralmikrosxema (IMS) ko‘psonli tranzistor, diod, kondensator, rezistor va 
ularni bir-biriga ulovchi o‘tkazgichlarni yagona konstruksiyaga birlash tirishni 
(konstruktiv integratsiya); sxemada murakkab axborot o‘zgartirishlar bajarilishini 
(sxemotexnik integratsiya); yagonatexnologik siklda, birvaqtn in 
go‘zidasxemaning elektroradioelem entlari (E R E ) hosil qilinishini, ulanishlar 
amalga oshirilishini va bir vaqtda guruh usuli bilan ko‘p sonli bir xil integral 
mikrosxemalar hosil qilish (texnologik integratsiya)ni aks ettiradi. IMS, yagona 
texnologik siklda, yagona asosda tayyorlangan va axborot o‘zgartirishda ma’lum 
funksiyani bajaruvchi o‘zaro elektr jihatdan ulangan E R E lar majmuasidir. IMS 
elektron asboblar qatoriga kiradi. Uning elektron asbob sifatidagi asosiy xususiyati 
shundaki, u mustaqil ravishda, masalan, axborotni eslab qolishi yoki signalni 
kuchaytiri. Diskret elementlar asosida shu funksiyalarni bajarish uchun 
tranzistorlar, rezistorlar va boshqa elementlardan iborat sxemani qolda yigish 
zarur. Elektron asbobning uskuna tarkibida ishlash ishonchliligi avalam bor 
kavsharlangan ulanishlar soni bilan aniqlanadi. IMSlarda elementlar bir-biri bilan 
metallash yo‘li bilan ulanadi, ya’ni kavsharlanmaydi ham , payvand ham 
qilinmaydi. Buning natijasida yig‘ish, montaj qilish ishlarining sifatini oshirish 
masalasi yechildi, katta miqdordagi ERElarga ega radioelektron qurilmalar ishlab 
chiqarishda ishonchlilik ta’minlandi. Hozirgi kunlarda tayorlash usuli va bunda 
hosil bo'ladigan tuzilmasiga ko‘ra IMS larni bir-biridan prinsipial farqlanuvchi uch 
turga ajratiladi: yarim o‘tkazgich, pardali va gibrid. IMSlarning har turi, 
mikrosxem a tarkibiga kiruvchi elementlar va komponentlar sonini ifodalovchi, 
integratsiya darajasi va konstruksiyasi bilan farq qiladi. Element deb , 
konstruksiyasi bo‘yicha kristali yoki asosidan ajralmaydigan, ERE funksiyasini 
bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi. IMS komponenti deb , diskret element 
funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan awal mustaqil mahsulot bolgan IMSning 
bo‘lagiga aytiladi. Yig‘ish, montaj qilish operatsiyalarini bajarishda komponentlar 
mikrosxema asosiga o‘rnatiladi. Qobiqsiz diod va tranzistorlar, k odensatorlarning 
maxsus turlari, kichik o‘lchamli induktivlik kutubxonasi g‘altaklari va boshqalar 
sodda komponentlarga , murakkab komponentlarga esa — bir nechta elementdan 
tashkil topgan, m asalan, diod yoki tranzistorlar yig'm alari kiradi. E lem entlari 
yarim o‘tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlam da hosil qilingan mikrosxem alar 
yarim o‘tkazgich IM S deb ataladi. Elem entlari dielektrik asos sirtida parda 
ko‘rinishida hosil qilingan m ikrosxem alar pardali IMS deb ataladi. P ardalar turli 
m ateriallarni past bosim da yupqa qatlam sifatida o ‘tkazish yo‘li bilan hosil 
qilinadi. Parda hosil qilish usuli va u bilan bog‘liq parda qalinligiga m uvofiq IM 
Slarni yupqa pardali (qalinligi 1—2 m km ) va qalin pardali (qalinligi 10 m km dan 
yuqori) larga ajratiladi. A dabiyotlarda ko‘p hollarda IM S yozuv o ‘m iga IS deb 
yoziladi. H ozirgi kunda pardali diod va tran zisto rlarn in g p aram etrlari barqaror 
b‘lm agani sababli, pardali IM Slar faqat passiv elem entlarga (rezistorlar, 
kondensatorlar va boshqalar) ega. Pardali texnologiyada elem ent param etrlarining 
ruxsat etilgan tarqoqligi 1-^2 % dan oshm aydi. Passiv elem entlar param etrlari va 
ularning barqarorligi hal qiluvchi aham iyat kasb etganda bu ju d a m uhim bo‘ladi. 

---

S husabd an pardali IS lar ba’zi filtrlar, faza o‘zgarishiga sezgir va tanlovchi sxem 
alar, generatorlar va boshqalar tayyorlashda ishlatiladi. Gibrid IM S (yoki GIS) deb 
um um iy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elem entlar 
kom binatsiyasidan iborat m ikrosxem aga aytiladi. D iskret kom ponentlar osm a 
deyiladi. G ibrid IMSlar uchun aktiv elem entlar qobiqsiz yoki jajji m etall 
qobiqlarda tayyorlanadi. G IS larning asosiy afzalliklari: ishlab chiqishning 
nisbatan kichik davrida analog va raqam li m ikrosxem alarning keng sinfini 
yaratish im koniyatidan, keng nom enklaturali passiv elem entlar hosil qilish im 
koniyatidan (M D Y — asboblar, diodli va tranzistorli m atritsalar) va ishlab ch iq 
arila yotganmikrosxemalarda yaroq lilar oizining ko‘pligidan iborat. G IS lar aloqa 
apparatlarining qabul qilish. — uzatish tizim larida, yuqori chastotali 
kuchaytirgichlarda, OlYCH qurilm alarda va boshqalarda qo'llaniladi. Ishlatilgan 
transistor turiga muvofiq yarim o 'tkazg ich integral m ikrosxem alar bipolyar va M 
D Y /M Slarga ajratiladi. H ozirgi kunda p — n o 'tish bilan boshqariladigan M T 
lar asosida yaratilgan IM S lar katta aham iyat kasb etm oqda. U shbu sinfga 
arsenid galliy asosida, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida b o ‘lgan M Tlar kiradi. S 
o‘nggi paytda tarkibida ham bipolyar, ham m aydoniy tranzistorlar ishlatilgan IM 
Slar ham tayyorlanm oqda. IM Sning funksional m urakkabligi uning tarkibidagi 
elem ent va komponentlar soni ko‘rsatuvchi integratsiya arajasi bilan ifodalanadi. 
Integratsiya koeffitsienti so n jih atd an K =lgN tenglik bilan aniqlanadi, bu yerda: 
N — sxem a elem entlari va kom ponentlari O ddiy IM Slarga m isol sifatida m 
antiq elem entlarni ko‘rsatish m um kin. 0 ‘lSlarga jam lash qurilm asi, 
hisoblagichlar, operativ xotira qurilm alari (O X Q ), sig‘im i 256—1024 bit b o 
‘lgan do im iy xotira qurilm alari (D X Q ) misol b o ‘la oladi. KISlarga m antiqiy 
— arifm etik va boshqaruvchi qurilm alar kiradi. 0 ‘KIS larga 1,9 m illiard M D Y 
— tran z isto rla rd a n tashkil to p g an , sig‘im i 294 M B b o ‘lgan xotira m 
ikrosxem alari misol bo‘la oladi. Kristaldagi elem entlar joylashuvining zichligi — 
birlik yuzaga to ‘g ‘ri keluvchi elem entlar soni IS konstruksiyasi va texnologiyasi 
sifatining m uhim k o ‘rsatk ich i h iso b lan ad i. T exnologiya d arajasi m in im al 
texnologik o'lcham , ya’ni erishish m um kin bo‘lgan eng kichik o ‘lcham bilan 
ifodalanadi, masalan, emitter kengligi, o ‘tkazgichlar kengligi, ular orasidagi 
masofa bilan xarakterlanadi. IM S lar ishlab ch iq arish texnologiyasini m u k am 
m allash tirish jarayonida m inim al texnologik o‘khamAning yillar b o ‘yicha o 
‘zgarishi X otira qurilm alarida elem entlar joylashuv zichligi h ar ikki yilda ikki m 
arta ortib borayotganini 1965-yilda G ordon M ur bashorat qilgan edi. ushbuni 
tasdiqlaydi. Funksional vazifasiga ko‘ra ISlar analog va raqamlMxga bo‘linadi. 
Analog lSlarda signal uzluksiz funksiya sifatida o'zgaradi. Eng keng tarqalgan 
analog IS — operatsion kuchaytirgichdir. Raqamli ISlar diskret ko‘rinishda 
berilgan signallarni o ‘zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi. Integral 
mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari. B ugungi kunda alohida 
mikrosxemalar birlashtirilgan tarzda ishlab ch iqarilmoqda. Bunday 
mikrosxemalarga integral mikrosxemalar (IMS) deyiladi. Birinchi IMSlar 1958 
yilda yaratilgan bo’lib uning hajmi ihcham, og‘irligi kam, energiya sarfi kichik, 
ishonchliligi yuqori hisoblanadi. 1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji 
G.Mur qonunigа muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy IMSlardagi 
elemen lar soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 106÷10 9ta 

---

bo‘lgan o‘ta yuqori (O‘YUIS) IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv 
va texnologik. Konstruktiv belgisi- IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida 
yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqa 
joylashtirilgan bo‘lib, yaxlit hisoblanadi. Texnologik belgisi IMS elementlarining 
hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog‘lan shlar yagona texnologik siklda 
bajariladi. Shu sababli integral miros xemalar yuqori ishonchlilikka va kichik 
tannarxga ega. Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra 
IMSlarning uchta prinsipial turi mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid. Har 
bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradi gan element va 
komponentlar sonini Ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi. 
Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondens ator va 
boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki 
asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi. IMS komponentasi deb uning diskret 
element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj 
qilinadigan qismiga aytiladi. Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos 
turi hisoblanadi: - yarim o‘tkazgichli; - dielektrik. Asos sifatida yarim o‘tkazgichli 
materiallar orasida Si va GaAs keng qo‘llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki 
elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos 
ichida joylashadi