Способы получения мультикристаллическогоМеталлургия хом ашёсидан кўп кристалли кремний олиш усуллари


Download 436.48 Kb.
bet1/6
Sana29.03.2023
Hajmi436.48 Kb.
#1307514
  1   2   3   4   5   6
Bog'liq
Tarjima kremniy olish uchun karbotermik usulning samaradorligi


Способы получения мультикристаллическогоМеталлургия хом ашёсидан кўп кристалли кремний олиш усуллари

Кремний қуёш модуллари нархида камида 20% манба материалига сарфланади-поликристалли Си. Бироқ, хом ашё етказиб бериш билан боғлиқ кескинликлар туфайли ФЕП ишлаб чиқарувчилари муқобил кремний хом ашёсини ишлаб чиқмоқдалар. Қуёш хужайралари нархини пасайтириш учун бошланғич материалнинг нархини пасайтириш ёки Қуёш хужайралари ишлаб чиқаришда Си истеъмолини камайтириш керак. Охирги variant аморф Си асосида юпқа плёнкали қуёш ҳужайраларини ишлаб чиқишда амалга Siоширилади. Аморф Си дан тайёрланган қуёш хужайраларининг експериментал намуналарининг самарадорлиги Si13% га етади, аммо саноат намуналари самарадорлик, барқарорлик ва чидамлилик жиҳатидан кристалли қуёш хужайраларидан сезиларли даражада паст.



Ҳозирги вақтда Си ишлаб чиқариш учун Siюқори самарадорликка ега қуёш батареяларини ишлаб чиқаришга яроқли янги технологияларни жадал ривожлантириш ишлари олиб борилмоқда. Ушбу кремнийнинг кутилаётган нархи йилига 15 тонна ишлаб чиқариш қувватига ега кг учун 5000 Ақш долларидан ошмайди.


Ҳозирги вақтда Сог-Си олиш усулларини ривожлантиришнинг бир неча асосий йўналишлари мавжудSoG-Si.
Учувчи кремний бирикмаларининг пиролизи. Юқори тоза кремний моно -, ди-, три -, тетраклоросилан, алкоксисилановойалкоксисилан технологияси дигалогениднымва диҳалид усули билан олинади.

"Siemens" жараёни Siemens А. G. томонидан таклиф қилинган фотоволтаик ҳужайралар учун material олишнинг асосий саноат усулларидан биридирSiemens.ва Си-Течни триклоросиланга айлантириш орқали тозалашни, сўнгра поликристалли кремний ишлаб чиқариш учун водородни камайтиришни ўз ичига олади.
Тетраклориддан кремнийни фаол металл билан камайтириш орқали юқори тоза кремнийни олиш мумкин (бу усул биринчилардан бўлиб юқори тоза кремний ишлаб чиқаради). Усул Сиcл4 ни бошланғич material сифатида ишлатганда фаол металл ёрдамида тоза кремнийни камайтиришга асосланган (Зн камайтирувчи Znвосита сифатида ишлатилади).
Ихтиро муаллифлари А. M. Прохоров, Г. N. Petrov, Н. A. Калужский, А. Ю. Баимаков, М. S. Жирков, Л. L. Фадеев фракцияси органохлоросиланлар ва хлоросиланлар ишлаб чиқаришда олинган қолдиқ кремний кукунидан аралашмаларни олиб ташлаш учун қурилмани таклиф органохлорсиланов и қилинг. Масалан, триклоросиланларни ишлаб чиқариш қолдиқлари таркибида катта миқдордаги елементар Сиифлосланган. Тавсия етилган қурилмаFe, Al и Caнисбатан тоза магнит бўлмаган фракцияни олиш учун магнит ажратиш ёрдамида қолдиқлардан ифлосликларни (Фе, Ал ва Cа бирикмалари, шлак зарралари, Си карбидлари ва маълум миқдордаги Б) олиб ташлаш харажатларини соддалаштириш ва камайтиришга имкон беради и некоторое количество B) из остатков путем применения магнитной сепарации с получением относительно чистой немагнитной фракции, имеющей повышенное содержание . Си таркибикўпайган ва нисбатан ифлосланган магнит Siбўлмаган магнитдан паст бўлган Си таркибига ега магнит фракция.


Download 436.48 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4   5   6




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling