Tranzistorlar turlari. Bipolyar tranzistorlarning tuzilishi, turlari, ishlashi, statik xarakteristikalari va parametrlari

---

9 - Mavzu. Tranzistorlar Tranzistorlar turlari. Bipolyar tranzistorlarning tuzilishi, turlari, 
ishlashi, statik xarakteristikalari va parametrlari.
8.1. Bipolyar (biqutbiy) tranzistorlarning tuzilishi va ishlash printsipi. 
Tranzistor 1948-yilda amerikalik olimlar U. Shokli, D. Bardin, U. Bratteyn, tomonidan
ixtiro qilingan. Tranzistor so’zi inglizcha trans-uzatish va resistor-qarshilik degan so’zlaridan 
olingan bo’lib, qarshilikni uzatish degan maʻnoni anglatadi. Ular barcha Elektronika va signallarni 
qayta ishlash qurilmalarining asosini tashkil etadi. Tranzistor elektr signallarini kuchaytirish 
generatsiyalash va boshqa ko’pgina maqsadlarda qo’llaniladi.
Tranzistorlar tuzilishi va ishlash tamoyiliga qarab biqutbiy (bipolyar) va unipolyar (maydon) 
tranzistorlarga bo’linadi. Unipolyar tranzistorlar maydon tranzistorlari deb ham ataladi. Bipolyar 
tranzistorlarni ishlashi p – n o’tish hodisasiga, maydon tranzistorlarining ishlashi esa bir turdagi
o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan Yarim o’tkazgichning o’tkazuvchanligini elektr maydoni 
yordamida boshqarishga asoslangan. 
Bipolyar tranzistor deb 2 ta o’zaro taʻsirlashadigan p – n o’tishdan tashkil topgan yarim 
o’tkazgichli asbobga aytiladi. U Yarim o’tkazgich kristalida 2 ta p – n o’tish sohasini hosil qilish 
asosida yasaladi. Tranzistorni o’tkazuvchanligi almashib keladigan 3 ta sohaga ajratish mumkin. 
Bipolyar tranzistorlar strukturasiga qarab p – n – r va n - p – n turli tranzistorlarga ajratiladi. 3 
qatlamdan tashkil topgan tranzistorning har bir sohasining nomi bor: chap chekka soha emitter 
deb, o’ng chekka soha kollektor deb o’rtadagi soha esa baza deb ataladi (8.1-rasmga qarang).
8.1-rasm. 
p – n – r tranzistorni to’g’ri n - p – n tranzistorni esa teskari tranzistor deb atash qabul 
qilingan. Bu tranzistorlarning ishlash tamoyili bir xil bo’lib, faqat elektr sxemaga ulanishi bilan 
farqlanadi. p – n – r tranzistorda asosiy tok tashuvchilar kovaklar, n-p-n tranzistorda asosiy tok 
tashuvchilar 
elektronlar 
hisoblanadi.Tranzistorlar 
radiosxemada 
ishlatilganda 
uning 
elektrodlaridan biri zanjirning kirish va chiqish zanjiri uchun umumiy bo’lgan simga, korpusga 
ulangan bo’ladi. Shunga ko’ra tranzistorlarni uch xil ulanish sxemasi mavjud.
Umumemitter (UE) ulanish sxemasi
Umumbaza (UB) ulanish sxemasi
Umumkollektor (UK) ulanish sxemasi
Bu ulanishlar ichida UB sxema tranzistorlarning xususiyatlarini tekshirishda eng qulay 
hisoblanadi. Shuning uchun tranzistorlarning asosiy kattaliklari va tavsifnomalari Shu sxema 
asosida tekshiriladi va qolgan ikki ulanish sxemasiga tadbik etiladi. 8.2-rasmda tranzistorning UB 
sxemasida ulanishi tasvirlangan. endi tranzistor yordamida elektr signalini kuchaytirish printsipi 
bilan tanishaylik. Rasmda p–n–r tranzistorni umumiy baza bo’yicha ulanish sxemasi keltirilgan. 
Tranzistorda 2 ta p–n o’tish mavjud. Birinchi p–n o’tish emitter, baza o’rtasida, ikkinchisi esa baza 
– kollektor o’rtasida joylashgan. Shuning uchun tranzistorni ikkita bir-biriga qarama-qarshi 
ulangan 2 ta dioddan tashkil topgan qurilma deyish ham mumkin. YOki yuqorida 
taʻkidlanganidek, tranzistorni 2 ta r-n o’tishdan tuzilgan asbob deyish mumkin. Birinchisi emitterli 
p–n o’tish, ikkinchisi esa kollektorli p–n o’tish deyiladi. 

---

Sxemadan ko’rish mumkinki, birinchi p–n o’tishga to’g’ri kuchlanish, ikkinchi p–n o’tishga 
teskari kuchlanish qo’yilgan. Teskari kuchlanishning qiymati, to’g’ri kuchlanish qiymatiga 
qaraganda bir necha marta katta. To’g’ri kuchlanish taʻsirida p–n o’tish orqali emitterdan baza 
tomon kovaklar oqimi asosiy tokni hosil qiladi. Bu tokni 
Э
I
- emitter toki deyiladi. emitterda 
asosiy tok tashuvchilar – kovaklardir. Kovaklar bazaga o’tgach, qisman bazadagi asosiy tok 
tashuvchilar – elektronlar bilan rekombinatsiyalashadi. Odatda tranzistorni yasash vaqtida baza 
qalinligi boshqa sohalarga qaraganda yupqa qilib yasaladi. Shuning uchun emitterdan bazaga 
o’tgan kovaklarning taxminan bir foizigacha bazadagi elektronlar bilan rekombinatsiyalashadi. 
Kovaklarning qolgan qismi hech qanday qarshilikka uchramay bazadan kollektorga o’tadi. 
Maʻlumki 2 - p – n o’tishga teskari kuchlanish berilgan. Bu kuchlanish taʻsirida kovaklar bazadan 
kollektorga o’tib, 
k
I
- kollektor tokini hosil qiladi. Yuqoridagi mulohazalarga asoslanib kollektor 
tokini taxminan emitter tokiga teng deyish mumkin. (
э
k
I
I 
). Agar tranzistorning emitter 
zanjiridagi kuchlanish biror qonuniyat asosida o’zgarib tursa, unga mos ravishda emitter tokining 
qiymati 
э
I
ham o’zgaradi. emitter tokining o’zgarishi esa, kollektor tokining o’zgarishiga olib 
keladi. Kollektor zanjirdagi 
Н
R - yuklama qarshi-ligida kuchlanish tushishining qiymati 
quyidagiga teng bo’ladi. 
H
k
чик
R
I
U
=
Emitter zanjiriga beriladigan o’zgaruvchi kuchlanish esa 
кир
э
кир
R
I
U
=
shaklda yozish mumkin. Bu erda 
кир
R
- zanjirning kirish qismining qarshiligi. 
Tranzistorning emitter o’tishiga beriladigan to’g’ri kuchlanish (emitter-baza kuchlanishi) emitter 
va kollektor tokiga kuchli taʻsir etadi. emitter-baza kuchlanishi qancha katta bo’lsa, kollektor toki 
ham Shuncha katta bo’ladi. Shunday qilib, emitter-baza kuchlanishi kollektor tokini boshqaradi. 
Tranzistor yordamida elektr signallarini kuchaytirish ana Shu hodisaga asoslangan. 8.2-sxemadan 
tranzistorda yig’ilgan kuchaytirgichning kuchaytirish koeffitsienti K ni quyidagicha topamiz. 
кир
H
кир
э
H
k
кир
чик
R
R
R
I
R
I
U
U
К

=
=
(2.3) 
Demak tranzistorda yig’ilgan kuchaytirgichning kuchaytirish koeffitsienti kirish va chiqish 
zanjirlarini qarshilaklari nisbatiga bog’liq ekan. Teskari n-r-n turdagi tranzistorlarning ishlashi 
ham r-n-r turdagi tranzistorlarnikidek bo’lib, faqat elektr sxemaga ulanganda manba qutblari 
teskarisiga ulanadi. Shuning uchun bunday tranzistorlar teskari tranzistorlar deb ataladi. Bunday 
turdagi tranzistorlarida yuz beradigan fizikaviy jarayonlarni ham batafsil ko’raylik. n-r-n turdagi 
tranzistorlarda asosiy tok tashuvchilar elektronlar hisoblanadi. Tranzistorning emitter-baza orasiga 
berilgan kuchlanish oshganda, emitter o’tishdagi potentsial to’siq kamayadi. Natijada emitter toki 
ortadi. Bu tokni hosil qiladigan elektronlar emitterdan bazaga diffuziya tufayli injektsiyalanadi va 
baza sohasi orqali o’tib, kollektorli o’tish tomon harakatlanadi. Kollekorli o’tishga kuchlanish 
teskari yo’nalishda qo’yilgan. Shuning uchun bu o’tish chegarasida hajmiy zaryad paydo bo’ladi. 
Ular orasida elektr maydoni yuzaga keladi. Bu maydon emitterdan kelgan elektronlarni kollektor 
- 
- 
+ 
+