49- ma’ruza radiochastota kuchaytirgichlari haqida umumiy tushunchalar

Amplituda detektorlarining turlari 
 
Amplitudaviy detektorlar (AD) orasida asosiy elementi diod bo‘lgan detektorlar 
ko‘proq ishlatiladi. CHunki diodni detektorlar tuzilishi jihatdan soda va signallarni 
teng doirada shakllarni buzmay detektorlaydi. 
10.2,a-rasmda ketma-ket va 10.2,b-rasmda parallel detektorlarning sxemalari 
ko‘rsatilgan. Bu detektorlarni ketma-ket yoki parallel deb atalishi sxemaga ulangan 
diodlarning nagruzka nisbati ketma-ket yoki parallel ulanganligiga qarab olingandir. 
Bu ikki xil ulangan detektorlarning ishlag jarayoni bir-biriga o‘xshashdir. Bular 
orasida parallel ulangan detektorning ahamiyati ko‘proqdir. Bunga sabab signal 
mansabi bilan diod orasida galvanik bog‘lanishning yo‘qligidir. 
a) b) 
10.2-rasm 
Detektorlarning ishlash jarayonini ko‘rib chiqamiz. 
10.2,a rasmda ko‘rsatilgan detektor diodiga kirishdagi signal kuchlanish ta’sir 
etganda undan tok impulsi o‘taboshlaydi (10.3-rasm). 
Bu tokning tarkibida Iyu va chastotalari ω va 2ω teng bo‘lgan toklar bo‘ladi. Bu 
toklarni asosiy tokning tashkil etuvchilari deb qaraladi. Tokning muttasil tashkil 
etuvchisi Iyu kuchlanish Uyu = -IyuZ hosil qiladi. Tokning Yuqori chastotali tashkil 
etuvchilari kondensator Syu dan o‘ta boshlaydi. CHunki, kondensatorning reaktiv 
qarshiligi bu tok uchun deyarli kichik qiymatlidir. 
10.3-rasm. 
Bu aytilgan fikr amalda bajarilishi uchun quyidagi tengsizlik amalga oshishi 
kerak, ya’ni: 
(ω S
yu
) 
–1
 << R
yu
 << (Ω S
yu
) 
–1
 (10.2) 

---

23 
Bu erda, Ω – modulyasiyaning yuqori chastotasi. 
Parallel detektorlarda yuklama R
yu
da to‘g‘rilangan kuchlanishdan tashqari 
kirishdagi Uk ning o‘zgarishi tashkil etuvchisi ham bo‘ladi. Bu kuchlanish kelgusi 
zanjirga ta’sir etmasligi uchun unga quyi chastotali filtrlar ulanadi yoki kondensator Sr 
dan u kuchlanish o‘tmaydi. 
Tranzistorlar detektorlarda modulyasiyalangan signallarni detektorlash bilan bir 
qatorda ularni kuchaytirish ham mumkin. Tranzistorli detektorlar, tranzistorlarni 
ulanishlariga qarab, ular umumiy bazali kollektorni va umumiy emitterli bo‘ladi. 
10.4-rasmda umumiy kollektorli detektorning sxemasi kursatilgan. 
10.4-rasm. 
Sxemada detektorlash tranzistorning o‘tish xarakteristikasidan ham foydalanish 
mumkin. Uning kirish xarakteristikasi quyidagicha ifodalanadi. 
i
k
 = φ(U
be
) 
Detektorlash uchun tarnzistorning kirish xarakteristikasidan xam foydalanish 
mumikn. Uning kirish xarakteristikasi kuyidagicha ifodalanadi: 
i
b
 = φ(U
be
) 
Bu holda R
1
C
1
lar orkali topiladigan vaqt doimiyligi quyidagi shart 
bo‘yicha tanlanadi. 
(vC
1
 )
- 1
<< R 
1
<< (WC )
-1
10.5-rasmda tranzistorning emitter zanjiriga teskari bog‘lanish vazifasini 
bajaradigan R3C2 zanjir ulangan detektorning sxemasi ko‘rsatiladi. 
Bu R
3
C
2
zanjir ulashdan maqsad detektor xarakteristikasini to‘g‘ri chiziqqa 
yaqinlashtirishdir. Undan tashqari vaqt doimiyligini tashuvchi chastota bo‘yicha 
tashkil etuvchi kondensator S
2
 dan o‘tishini ta’minlab beradi. 
10.6-rasmda umumiy emitter detektorning sxemasi ko‘rsatiladi. 
Sxemada vaqt doimiyligi R
yu
,S
yu
 (10.2) shartga asosan tanlanadi. 
Bunday detektorlarda detektorlash ularning o‘tish xaraktestikasi. 

---

24 
10.5-rasm. 
10.6-rasm. 
I
e 
= φ(U
be
) ning egri chiziqligi tufayli amalga oshiriladi. Umumiy emitterli 
detektorlarda teskari bog‘lanish yuz foiz ishtirok etadi. SHu sabab bunday 
detektorlarda kirish qarshiligi katta bo‘ladi va kata amplitudaga ega bo‘lgan signallar 
ishtirok etmaydi. Bu, albatta bunday detektorlarning afzalligi yutug‘i. Ammo ularning 
uzatish koeffitsienti birdan kichikdir. 

---

25