Agrotexnologiyalar instituti elektr energiyasi va nasos stansiyalaridan foydalanish kafedrasi

QFEning konstruksiya va materiallar 
 
 
 
4.9. Rasm Oddiy QFEning konstruksiyasi: 
1- 
himoya qiluvchi shisha; 2-tiniq bog‘lovchi modda; 3-qaytarishga qarshi qatlam; 4-taroqli 
tuzilmadagi yuqori elektrokontakt; 5-p-turidagi yarimo‘tkazgich; 6-r-turidagi 
yarimo‘tkazgich; 7-quyi yaxlit elektrokontakt; 8 va 9-kontaktli shinalar 
Namunaviy quyosh fotoelement (rasm 3.9) ko‘p qatlamli material bo‘lib, quyidagilardan 
iborat: 
- tiniq shishali qoplovchi qatlam, tashqi ta’sirlardan himoya qiladi; 
- tiniq bog‘lovchi qatlam, quyosh fotoelement sirtida shishani tutib turadi; 
- qaytarishga qarshi qatlam, energiyani yutishini maksimal oshiradi, fotoelementga 
tushadigan yorug‘likni qaytarishdan saqlab qoladi; 
- oldingi kontakt qatlam, elektr tokni o‘tkazadi; 
- fosfor aralashmali p-turidagi kremniy yarimo‘tkazgichning yubqa qatlam; 
bor aralashmali r-turidagi kremniy yarimo‘tkazgichning ikkinchi yubqa qatlam; 
- ketingi kontakt qatlam, elektr tokni o‘tkazadi. 
Elektronlarni yig‘ish va tashqi zanjirga uzatish uchun QFE yarimo‘tkazgichli 
tuzilmaning sirtida kontaktli tizimi bo‘ladi. O‘zgartirgichning oldingi yoritilgan sirtida 
kontaktlar to‘r yoki taroq ko‘rinishda tayyorlanadi, orqa tomondan esa kontakt yaxlit bo‘lish 
mumkin. 
QFElarni ishlab chiqarish uchun asosiy materiallar quyidagilardan iborat. 
Kremniy (Si) – quyosh fotoelektr elementlarni ishlab chiqarishda eng muxim material 
hisoblanadi. Hozirgi davrda amalda quyosh fotoelementlarni yirik ishlab chiqarishda yagona 
materialldir. 
Galliy arsenidi (GaAs) – yuqori samarali QFElarni ishlab chiqarish uchun foydalaniladi. 
Ushbu material ko‘p hollarda konsentrasiyalangan fotoelektr tizimi va kosmik qurilmalarda 
ishlatiladi. Konsentrasiyalangan quyosh radiasiyada uning FIK 25% gacha va 28% gacha 
bo‘ladi. Maxsus turlarida esa FIK 30% dan ortadi.