Ал-хоразмий номли урганч давлат университети

Donor - erkin elektronlarni etkazib beradigan dopant turi.
Kovak - musbat zaryadi mutlaq qiymati bo'yicha elektron zaryadiga teng bo'lgan qattiq jismdagi kvazizarra.
Kovakli o'tkazuvchanligi - p-tipli o'tkazuvchan-likka ega yarimo'tkazgichda asosiy zaryad tashuvchilar o'tkazuvchanlikka asosiy hissa qo'shadilar.
Kovakli yarimo'tkazgich - p-tipli o'tkazuvchan-likka ega yarimo'tkazgich bo'lib, asosiy zaryad tashuvchilari kovaklardir.
Kremniy - yarimo'tkazgich, zamonaviy yarim-o'tkazgich sanoatining asosiy materiali.
Ta’qiqlangan soha kengligi- yarim o'tkazgichning asosiy elektr xususiyatlaridan biri bo’lib, o'tkazuvchanlik sohaning pastki va valent sohasining yuqori qismi o'rtasidagi farq.
Elektron –manfiy zaryadlangan barqa-ror elementar zarracha.
To‘g‘rilovchi diodlar - to‘g‘rilovchi diodlar o‘zgaruvchan kuchlanishli elektr manbalarni o’zgarmasga o‘zgartirish uchun ishlatiladi.
Xususiy o’tkazgich - yarim o'tkazgich kristalda kiritma lar va kristall panjara tuzilmalari nuqsonlari (bo‘sh tugunlar, panjara surilishlari va boshqalar) bo’lmagan yarimo’tkazgichlar.
Rekombinatsiya – elektron va kovak justligininig birikishi.
Kiritmali yarimo'tkazgichlar – elektr o‘tkazuv-chanligi asosan kiritmalar atom larining ionlashuvi natijasida hosil bo‘ladigan zaryad tashuvchilar bilan bog‘liq yarim o‘tkazgichlar.
Generatsiya – elektron va kovak justligininig hosil bo’lishi.
Muvozanat holatda yarim o‘tkazgich - ularda elektron va kovaklar soni vaqt o‘tishi bilan o'zgarmaydi.
Fonon – issiqlik ta’sirida kristall atomlarining tebranuvchan harakati natijasida ularning zichlashuvi yoki siyraklashuvi.
Diffuziya harakati - zaryad tashuvchilarning yarim o‘tkazgich hajm ida notekis taqsimlanishi natijasida yo‘nalgan harakati.

FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR
Asоsiy:
1. Eggleston D.L. Basic electronics for scientists and engineers// Cambridge press.2011.267P.
2. Basic electronics. Copyright 2018 by Tutorials Point (I) Pvt. Ltd. www.tutorialspoint.com
3. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. М.: Либроком, 2013. 512 с.
4.Викулин И.М, Стафеев В.И. Физика полу-проводниковых приборов.M.:- 332С
5.Юнусов М.С.,Власов С.И.,Назиров Д.E., Толипов Д.О, Электрон асбоблар,Тошкент 2003й 191 б.
6. Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Томск: Изд-во ТПУ, 2013. 208 с.
7. Бурбаева Н,Днепровская Т.Основы полупро- водниковой электроники. –М;Физматлит,2012. 312стр.
8. Зайнобиддинов С. ва бош. Яримўтказгич асбоблар физикаси 2002.й 285 б.