Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi
Download 5.01 Kb. Pdf ko'rish
|
2014-2730 (2)
6.8. Yandırılan DYQ Yandırılan DYQ bir dəfəlik proqramlaşdırılan yaddaş qurğusudur. Proqramlaşdırma adətən istehlakçı tərəfindən bir dəfə, onun həll edəcəyi məsələyə uyğun yerinə yetirilir. Bu tip DYQ birölçülü ünvanlanma strukturuna malikdir və lazım olan uzunluğa malik çıxış informasiya sözünü (kodunu) ayırmaq üçün çıxış selektorundan istifadə edilir. Yandırılan DYQ-nun struktur sxemi şəkil 6.6-da göstərilmişdir. Şəkil 6.6. Yandırılan DYQ-nun struktur sxemi Burada ilkin vəziyyətdə bütün ünvanlar üzrə 0 və yaxud 1 siqnalı yazılır. İstismarçı, öz istədiyi kimi, lazım olan ünvanlara ilkin vəziyyətdən fərqli məntiq sabitlərini (konstantlar) yazır. Yazma prosesi fiziki olaraq, deşifrasiya olunmuş ünvan və çıxış ucları şinləri arasında nəzərdə tutulmuş bəndləri yandırma yolu ilə həyata keçirilir. Belə bəndlər nixrom və ya titanatdan hazırlanır və bir neçə 10 om xüsusi müqavimətə malik olur. Bəndlər adətən emitter dövrələrinə qoşulur. Proqramlaşdırma zamanı belə bəndləri yandırmaq üçün tranzistordan davametmə müddəti 1msan olan 20-30 mA cərəyan impulsu buraxmaq 108 kifayətdir. Yazmaq üçün lazım olan cərəyan impulsu qida gərginliyini qısa müddət ərzində artırmaq yolu ilə təmin edilir. Normal iş rejimində sxemdəki cərəyanlar proqramlaşdırma cərəyanından kifayət qədər az olur. Odur ki, YE-də yazılmış informasiya oxunma zamanı silinmir. 6.9. Yenidən proqramlaşdırıla bilən DYQ Yenidən proqramlaşdırıla bilən DYQ (YPDYQ) mahiyyətcə elektrostatik YQ-dır. Burada YE-nin yaradılması dinamiki OYQ-da olduğu kimidir. Fərq ancaq ondadır ki, burada informasiya daşıyıcısı kondensator yox, xüsusi sahə (MDY) tranzistorudur. Bu tranzistorların növündən asılı olaraq iki növ YPDYQ mövcuddur: yaddaş elementi «üzən» zatvora malik tranzistorda yaradılan YQ və yaddaş elementi ikiqatlı dielektrikə malik tranzistorda yaradılan YQ. Bun- ların hər ikisi tez oxuma ilə bərabər bir neçə dəfə yenidən yazma imkanına malikdirlər. İnformasiyanın yenidən yazılması üçün İS- kristal rəqəm qurğusundan kənar edilir və xüsusi avadanlıqdan istifadə edilir. Bu YQ – nun fərqi cəhətləri proqramlaşdırmanın müxtəlif üsullarından istifadə edilməsindədir. Birölçülü ünvanlanmaya malik YPDYQ-nun YE-nin sxemi şəkil 6.7-də göstərilmişdir. Şəkil 6.7. Birölçülü ünvanlamaya malik yenidən proqramlaşdırıla bilən DYQ - nun elementar yaddaş qurğusu VT1 tranzistoru deşifratorun çıxış siqnalına əsasən uyğun YE-nin yaddaş tranzistorunu seçmək üçündür. Məlumat şini məhdudlaşdırıcı R1 müqaviməti vasitəsilə qida mənbəyinə qoşulur. VT1 tranzistorunun açılması zamanı onun stokundan (mənsəbindən) axan cərəyan VT2 tranzistorunun vəziyyətindən asılıdır. Cərəyanın olması və ya olmaması 0 və ya 1 siqnallarının yadda saxlanması kimi başa düşülür. Adətən, VT2 tranzistorunun stokundan cərəyanın 109 axması yaddaş yuvasında 0 siqnalının; cərəyanın axmayan halı isə 1 siqnalının yazılmasına uyğun gəlir. «Üzən» zatvora malik tranzistorda informasiyanın yenidən yazılması strukturuna və üsuluna baxaq. Bu tranzistor adi MDY tranzistordur. Onun zatvoru cihazın digər hissələrindən dielektrik qatı ilə ayrılmış keçirici oblasta malikdir. Əlaqələrin olmaması zatvora kifayət qədər böyük elektrik yükünü uzun müddət yadda saxlamaq imkanı verir. Bu yükün təsiri altında n- yarımkeçiricidə keçirici kanal yaranır. Əgər zatvorda yük varsa, tranzistordan müəyyən cərəyan keçə bilər (tranzistor açıqdır). Əgər zatvorda yük yoxdursa tranzistorun stok cərəyanı sıfıra bərabərdir. (tranzistor bağlıdır). Bu 0 və ya 1 siqnalının olmasına uyğun qiymətləndirilir (şəkil 6.8). Şəkil 6.8. «Üzən» zatvora malik MDY tranzistorun strukturu Tranzistora informasiyanın yazılması iki mərhələdə yerinə yetirilir: əvvəlcə ilkin yazılmış informasiya silinir, sonra isə yeni informasiya yazılır. Birinci mərhələdə yarımkeçirici materialın tranzistorlar yerləşmiş səthi ultra- bənövşəyi şüalarla 15-20 dəqiqə ərzində şüalandırılır. Bununla zatvorlarda yığılmış yüklər kənar edilir. Bu səbəbdən bəzən bu tip DYQ-ı ultrabənövşəyi silinməyə malik DYQ-ı adlanır. İkinci mərhələdə yeni informasiyanın yazılması üçün stokla altlıq arasında yaradılan p-n keçid əks istiqamətdə sürüşdürülür. Bu zaman tətbiq olunan gərginlik keçidin elektrik deşilməsi üçün kifayət qədər olmalıdır. Deşilmə zamanı yaranan yükdaşıyıcıların bir hissəsi yarımkeçirici ilə dielektrik arasındakı potensial çəpəri keçmək üçün lazım olan enerjiyə malik olurlar. Dielektrikə injeksiya olunan yükdaşıyıcılar «üzən» zatvor istiqamətində dreyf edərək tutulurlar (rekombinasiya olunurlar) və zatvorun yükünə çevrilirlər. Bu cür toplanmış yük informasiyanın yazılması müddətinə mütənasib olur. İkiqatlı dielektrikə malik MDY tranzistorlar daha mürəkkəb struktura (metal-silisium nitrid – oksid - yarımkeçirici) malik olurlar. Metal zatvorla yarımkeçirici arasında iki müxtəlif dielektrik qatı olur. Bu növ strukturlarda 110 dielektrik qatların ayrılma sərhədində elektrik yükü ola bilər. Bu yükün tranzistorun keçiriciliyinə təsiri və tranzistorlarda informasiyanın yazılması «üzən» zatvorlu tranzistorda olduğu kimidir. Onun üstün cəhəti informasiyanın silinməsinin elektrik üsulu ilə mümkün olmasındadır. Qeyd etmək lazımdır ki, elektrik yükləri hər iki tranzistorda zaman keçdikcə azalır. Odur ki, müəyyən müddətdən sonra bu tip DYQ-da yazılmış informasiya itir. Download 5.01 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling