Best scientific research 2022

BEST SCIENTIFIC
RESEARCH - 2022 
158 
𝐼
𝐶𝐻
= exp
(
−
𝜃
4√2𝑚
𝑒
3𝑞ℎ
(𝐸
𝑔
)
3
2
𝑉 − 𝑉
𝐾
+ 𝑉
𝑀
𝑑
)
1
4𝜋
2
(
2𝑚
ℎ
2
)
3
2
ℎ𝜔
𝐻
𝑐
∑
1
√𝐸 − (𝑛 +
1
2) ℎ𝜔
𝐻
𝑐
𝑛
𝑒
0
1
4𝜋
2
(
2𝑚
ℎ
2
)
3
2
ℎ𝜔
𝐻
𝑣
𝑑𝐸 
∑
1
√𝐸 − 𝜇
𝑛
+ 𝜇
𝑝
− 𝑞𝑉 − (𝑛 +
1
2)ℎ𝜔
𝐻
𝑣
𝑛
𝑒
0
𝑑Е (3) 
From the given expression (3), we place the graph of the voltage dependence of the excess 
current in the tunnel diode under the influence of the magnetic field and the O'YuCh field on 
the two- and three-dimensional coordinate axes. (Figures 2-3) 
Figure 2. Dependence of the excess 
current in the tunnel diode under the 
influence of the magnetic field and 
the U'YuCh field 
Figure 3. Dependence of the excess current in 
the tunnel diode under the influence of the 
magnetic field and the U'YuCh field 
3. Conclusion 
According to the model presented by Chaynovet, the value of the excess current generated 
in the tunnel diode was studied under the influence of a magnetic field and an extremely 

---

BEST SCIENTIFIC
RESEARCH - 2022 
159 
high frequency field. It was found that the excess current generated in the tunnel diode 
increases under the influence of an extremely high frequency field. When we additionally 
applied the magnetic field, the excess current was reduced. 
REFERENCES:
1. A. G. Aronov and G. E. Pikus .Tunnel current in a transverse magnetic field. J. Exptl.
2. Theoret. Phys. (U.S.S.R.) 51, 281-295 (July
, 1966) Галаванов В .В, Панахов .А.3 
Влияние всестороннего давления на туннельный ток
3. 
Л.H.Сыркин, Н. Н.Феоктистов.GaSb-диодов.—ФТП, 1972,т .6,в.11 ,с.2280—2283.
4. 
К.М.Алиев, И.К.Камилов, Х.О.Ибрагимов, Н.С.Абакарова. Абсолютное 
отрицательное 
сопротивление 
и 
многозначности 
на 
вольт-амперных 
характеристиках туннельных диодов. Физика и техника полупроводников, 2009, 
том 43, вып. 4
5.
Д.А.Усанов А.В.Скрипаль.Снятие вырождения в Р- и –областях туннельного
диода внешним СВЧ –сигналом. 
6. 
Лейдерман А.Ю., Рахмонов У.Х., Утениязов А.К., Уктамова М.К., Нсанбаев
М.Т. Статистика рекомбинации неравновес-ных носителей для
полупроводников с парными рекомбинационными комплексами, активность
которых снижается в процес-се возбуждения
7. Tyler A. Growden, Evan M. Cornuelle, David F. Storm, Weidong Zhang, Elliott R. 
Brown, Logan M. Whitaker, Jeffrey W. Daulton, Richard Molnar, David J. Meyer and 
Paul R. Berger.930 kA/cm2 peak tunneling current density in GaN/AlN resonant 
tunneling diodes grown on MOCVD GaN-on-sapphire template. Cite as: Appl. Phys. Lett. 
114, 203503 (2019)
8. 
Г. Гулямов, М.Дадамирзаев.М.Уктамова. Вид избыточного тока генерируемого 
в туннельных диодах и коэффициента прозрачности барьера (коэффициента 
передачи) в разных моделях. Физика полупроводников и микроэлектроника- 
Журнали – Тошкент: ЯФМИТИ, Volume 3. Issue 3.2021 й. ст27-34.
9. A.G.Chynoweth, W.L.Feldman and R.A.Logan,Phys. Rev. 121,684 (1961)

---