Best scientific research 2022

BEST SCIENTIFIC
RESEARCH - 2022 
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the schemes made by I.K.Kamilov and K.M.Aliev from the combination of several tunnel 
diodes [5,6]. Tunnel diodes are widely used in microwave ovens, nuclear weapons, and 
aerospace applications. It is very important to generate a large tunnel current from the tunnel 
diodes at high temperatures and under the influence of the magnetic field and to reduce the 
excess current generated in the tunnel diodes. The resistance of tunnel diodes to external 
influences is due to the fact that they are strongly alloyed or prepared from the combination 
of various chemical elements by the heterostructure method. 
In the work of Professor Paul R. Berger of the University of Ohio in the USA, it was 
observed that when the temperature of the GaN/AIN-based two-barresonant tunnel diode is 
827
℃, the current density at the highest point is 
𝐽 = 637 − 930
𝑘𝐴
см
2
, and the voltage 
reaches 8 volts [7]. We can observe in experiments that the tunnel current increases with 
temperature increase in strongly biased semiconductors, and the tunnel diode decreases 
with temperature increase in weak biased semiconductors [8]. A high current density in 
tunnel diodes is an indication of the efficiency value of the diode. Based on the above, the 
purpose of this work is to study the effects of the magnetic field and the magnetic field on 
the transparency coefficient of the tunnel diode VAX and the excess current in the 
expression of the total current of the tunnel diode. 
2. Calculation of excess current in the tunnel diode according to the model 
provided by Chaynovet 
According to the model presented by Chaynovet[9], if the field of U'YuCh affects the 
excess current in the tunnel diode, we write that the electric field is strengthened in the form 
𝐹 =
𝑉−𝑉
𝐾
+𝑉
𝑀
𝑑
[ 10]. In this case, V is the external voltage, Vk is the contact potential 
difference, d is the voltage given by the V