Бп транзисторы

Токи в транзисторе.

Токи показаны на рисунке:
- ток электронов, - ток дырок, - ток рекомбинации
- электронный ток коллектора, - обратный ток коллектора, состоит из тока генерации, теплового и утечек.
Для характеристики качества транзисторов и проведения расчетов схем вводят коэффициенты:
- коэффициент инжекции
- коэффициент переноса (передачи базы).
- статический коэффициент передачи тока эмиттера.
Полный ток коллектора:

Аналогично введен коэффициент

Пренебрегая обратным током коллектора, можно легко получить:

Процессы в эмиттерном переходе и базе. Распределение носителей в базе.

1 . Активный режим.
(7)
это ток в базе
Пренебрегая рекомбинацией можно считать I_n = Const.
На левой границе (x = 0)
(8)
На правой границе вследствие экстракции концентрация пренебрежимо мала
(8)
Распределение дырок в эмиттере определяется теми же формулами, что и для электронов.
2. Инверсный режим.
В сё то же, но наоборот. Концентрация дырок больше, чем концентрация электронов.
Изгиб кривой идет в другую сторону, т.к. движение электронов направлено против встроенного поля.
3 .Режим насыщения.
Концентрация носителей в базе определяется инжекцией через оба перехода. Кривая равна сумме предыдущих кривых
Обращаем внимание на то, что движение электронов в базе имеет диффузионный характер при равномерном ее легировании. В случае дрейфовой базы и неравномерного легирования (у эмиттера на 2 порядка выше) движение имеет смешанный характер. На рисунках показаны кривые распределения электронов при равномерном легировании (без дрейфа) сплошной линией, и в случае дрейфа пунктирной линией. Кривизна определяется из уравнения (7) и условия равенства 0 концентрации электронов на правой границе перехода. Видно, что для обеспечения одного и того же потока электронов в случае бездрейфового транзистора требуется больший уровень инжекции на левой границе.