Бп транзисторы

Схема для включения транзистора ОБ
Т-образная малосигнальная эквивалентная схема приведена на рис. 3.37. Она включает: дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода;
сопротивление базы;
дифференциальное выходное сопротивление транзистора;
дифференциальный коэффициент передачи тока в схеме с общей базой.
Схема получена путем линеаризации классической модели Эберса-Молла для активного режима. Для данного режима генератор тока _Ii₂ в схеме на рис. 3.37 отсутствует и i_Э = i₁. При линеаризации вместо эмиттерного перехода с нелинейной характеристикой появляется его дифференциальное сопротивление r_Э. Сопротивление r_К, учитывающее эффект Эрли определяется по выходным характеристикам транзистора в схеме с ОБ величина r _к составляет десятки - сотни килоом и часто не учитывается. h_21Б   - параметр, аналогичный статическому коэффициенту передачи тока , но для малых приращений. В практических расчетах h_21Б часто принимают равным единице.

Динамические свойства транзистора при включении с общей базой

Рассмотрим высокочастотную малосигнальную физическую эквивалентную схему транзистора при включении с ОБ (рис 3.41). По сравнению с аналогичной низкочастотной схемой (рис. 3.37) в нее добавлена емкость эммитерного перехода C_Э, состоящая из диффузионной C_ЭД и барьерной C_ЭБ емкостей. В общем случае C_Э=C_ЭД+C_ЭБ. Но для прямо с мещенного перехода C_Э C_ЭДд. Кроме того, параллельно обратно смещенному коллекторному переходу включена емкость C_К =C_КБ + С_КД  C_КБ. Генератор тока может быть представлен двумя способами: в первом случае он управляется током с комплексной амплитудой , протекающим через r_э, что сответствует базовым моделям Эберса - Молла. Отметим, что при появлении емкости C_Э ток , поскольку эмиттерный ток суммируется из тока через переход и тока через емкость. При этом ток генератора равен , где h_21Б - низкочастотное значение параметра. Во втором случае генератор управляется током эмиттера с комплексной амплитудой . Для него необходимо ввести частотнозависимый параметр H_21Б так, чтобы ток генератора не изменился, тогда
, причем
(3.63)
Обозначим:
, где f_H21Б - предельная частота коэффициента передачи тока эмиттера.
Тогда: . (3.64)
Найдем из (3.64) модуль и фазовый угол коэффициента передачи тока эмиттера
. ; (3.65)
(3.66)
З ависимость коэффициента передачи тока эмиттера от частоты приведена на рис. 3.42.
Таким образом, с ростом частоты коэффициент убывает. На частоте f=f_H21Б модуль .
Отсюда следует физическое определение предельной частоты коэффициента передачи тока эмиттера: представляет частоту, на которой  H_21Б уменьшается в раз по сравнению с низкочастотным значением h_21Б. Из формулы (3.66) также следует, что с ростом частоты увеличивается запаздывание по фазе тока коллектора относительно тока эмиттера . На частоте f_21Б сдвиг составляет 45  . Максимальный сдвиг (при f   составляет 90  . Из выражения (3.63) следует, что предельная частота f _H21Б определяется постоянной времени  _ОБ заряда полной емкости C_Э эмиттерного перехода. Можно показать, что
(3.67)
и включает в себя :
С_ЭБr_Э - постоянную времени заряда барьерной емкости эмиттерного перехода;
t_прБ - время диффузии носителей через базу;
t_КП - время пролета через коллекторный переход.
Для увеличения следует уменьшать время пролета носителей через структуру транзистора (в первую очередь, через базу и обедненную область коллекторного перехода). Дополнительную инерционность вносит барьерная емкость коллекторного перехода, Ее влияние существенно, если C_КR_Н соизмеримо с  _ОБ.

Использование транзистора для усиления малого сигнала и в качестве ключа.

Усилитель малого сигнала