Бп транзисторы

Временные процессы.
Включение.
При подаче положительного напряжения на базу, т.к. Е_Б >> U_БЭ, сразу течет ток I_Б = Е_Б /R1. Напряжение нарастает вследствие зарядки емкостей, как в переходе.
В t₂ напряжение на эмиттерном переходе достигает значения достаточного для инжекции электронов. Начинает протекать коллекторный ток. Наступает активный режим.
Время между t₁ и t₂ называется временем задержки.
Ток в коллекторе нарастает тоже не сразу. Электронам нужно время для пролета по базе и коллекторному переходу. Время пролета условно определяют по току, который берут от 0.1 его максимального значения до 0.9. Период пока ток нарастет до 0.9 называется временем нарастания. Определяется зарядом барьерной емкости коллекторного перехода, разрядом паразитной емкости выхода и катодным сопротивлением. При больших С_н напряжение может спадать очень долго.
Суммарное время нарастания и задержки называется временем включения.
После времени t₃ транзистор находится в режиме насыщения, при этом в базе накапливается заряд, больший, чем в активном режиме.
Выключение.
При подаче отрицательного импульса начинается обратный ток из базы. Называется временем рассасывания. Когда избыточный по сравнению с активным режимом заряд рассосется, транзистор переходит в активный режим. Время рассасывания определяется в основном зарядами, накопленными в пассивной базе.
После времени t₅ процесс перезарядки – время спада.
Суммарное время спада и рассасывания – время выключения.

Разновидности дискретных транзисторов

Классификация. По мощности. Мощные > 1Вт. По частоте. <30 МГц, 30 – 300МГц, >300МГц – СВЧ
По назначению – универсальные, усилительные, генераторные, переключательные, импульсные…
Система параметров. Электрические.
Граничная частота, коэффициент передачи тока h_21Э, обратные токи переходов, емкости.
Для импульсных транзисторов – напряжения в режиме насыщения, время рассасывания при заданных токах.
Для СВЧ транзисторов – коэффициент усиления на заданной частоте, индуктивности и емкости выводов.