Бп транзисторы

Аналитический способ. С помощью схем замещения транзистора легко рассчитать параметры усилительной схемы для сигналов малой амплитуды. Для примера проведем расчет усилительного каскада.
Составим малосигнальную эквивалентную схему, соответствующую схеме рис. 3.30; для этого: заменим транзистор малосигнальной схемой замещения.

И сточник постоянного напряжения (коллекторный) замкнем накоротко (его сопротивление переменному току близко к нулю). Полученная таким образом малосигнальная эквивалентная схема усилительного каскада изображена на рис. 3.36,а.

Для простоты примем, что сопротивления разделительных конденсаторов в рабочем диапазоне частот близки к нулю, а сопротивления R_Б и R_К велики ( R_Б >> h_11Э, R_К >> R_Н). Тогда схема упрощается и приобретает вид рис. 3.36,б. Тогда для токов и напряжений транзистора запишем:
.(3.51)
Кроме того, добавим два уравнения, описывающие источник сигнала и нагрузку:
; (3.52)
. (3.53)
Из системы уравнений (3.51...3.53) можно получить все расчетные формулы. (3.54)
где:  h_э= h_22Э , h_11Э - h_12Э h_21Э .
Главное достоинство полученных с помощью схемы замещения соотношений (3.54) в том, что они справедливы для любой схемы включения транзистора (ОБ, ОЭ, ОК) и даже для любых усилительных элементов.
Импульсная схема.
Токи и напряжения меняются в широких пределах. Поэтому это режим большого с игнала.

Переход из режима высокого коллекторного напряжения и малого тока (ключ разомкнут) в режим малого напряжения и большого тока (ключ замкнут).
При отрицательном напряжении на базе (входе) транзистор в режиме отсечки. Токи малые. Напряжение на выходе практически – Е_К.
При подаче положительного напряжения на базу транзистор открывается, в коллекторе течет ток и напряжение на выходе уменьшается на величину R_KI_K.
Для надежнлй работы в логических элементах требуется как можно меньшее U_вых. Для этого рабочая точка лежит в области насыщения.