Бп транзисторы

Предельные параметры. Допустимые обратные напряжения на переходах, Допустимое напряжение коллектора в схеме с общим эмиттером при заданном сопротивлении базы, максимальная мощность, максимальный ток коллектора, максимальная температура.

Особенности транзисторов интегральных схем

Изопланарный транзистор.
а ). диффузией доноров формируют скрытый слой. Затем на всей пластине наращивают тонкий (1 – 3мк) эпитаксиальный слой.
б). Наносят маску из нитрида кремния. Травят на половину слоя и формируют противоканальные р⁺ области.
в). В вытравленных областях проводят селективное окисление, так что окисел проникает в скрытую n⁺ область. Окисел растет до поверхности.
г). Пленку нитрида удаляют, делают новую маску из диоксида кремния. Диффузией бора формируют базовую область. Окисные области работают как маска.
д). Диффузия фосфора. Формируются эмиттерная и контактная коллекторная области. Снова восстанавливается оксидная пленка. Травятся отверстия, напыляется слой алюминия.
Площадь изопланарного транзистора почти на порядок меньше эпитаксиального.
На поверхности Si – SiO₂ существует положительный заряд. Он притягивает электроны и формирует канал. Для предотвращения этого и служат р⁺ области.
В настоящее время широко используется поликристаллический кремний с примесями и метод самосовмещенных масок.