- ДК кучайтириш коэффициенти коллектор занжиридаги RК юклама қаршилигига боғлиқ бўлади. Интеграл технологияда RК қийматининг ортиши билан, кристаллда у эгаллаган юза ортади ва транзисторлар иш режимлари сақланган ҳолда, кучланиш манбаи қиймати ҳам ортади. Шунинг учун ДКларда кучайтириш коэффициентини ошириш учун, RК резисторлар ўрнига, динамик (актив) юкламадан фойдаланилади. Динамик юклама биполяр ёки майдоний транзисторлар асосида ҳосил қилинади. Юклама сифатида иккинчи БТГ ишлатилган ДК схемаси кейинги слайдда келтирилган. Иккинчи БТГ p – n – p турли VT3 ва VT4 транзисторлар асосида яратилган. Биринчи БТГ илгаригидек ДК сокинлик режимини белгилайди ва эмиттер қаршилиги сифатида ишлатилади.
Дифференциал кучайтиргич - β нинг қиймати транзистор сокинлик токи IБ0 га боғлиқ бўлганлиги сабабли кириш қаршилигини ошириш учун ДКни кичик сигнал режимида ишлатиш керак.
- Каскад кучайтириш коэффициенти ва ДК кириш қаршилигини сезиларли ошириш мақсадида таркибий транзисторлардан фойдаланилади. Кўпроқ Дарлингтон схемаси ишлатилади.
- Таркибий транзисторлар қўлланилганда ДК кириш қаршилиги β марта ортади.
ТАРКИБИЙ ТРАНЗИСТОРЛАР АСОСИДАГИ ДК СХЕМАСИ - Дифференциал ва синфаз сигналларни кучайтириш коэффициентлари
- синфаз ташкил этувчини сўндириш коэффициенти
- кириш ва чиқиш қаршиликлари.
Назорат саволлари - 1. Дифференциал кучайтиргич (ДК)
- 2. Дифференциал кучайтиргич (ДК) схемаси.
- 3. Носимметрик кириш ва чиқишли ДК схемаси.
- 4. Динамик юкламали ДК схемаси.
- 5. ДК асосий параметрлари.
- 6. ДКнинг уланиш турлари.
Do'stlaringiz bilan baham: |
