Электроника ва

VII БОБ. ИНТЕГРАЛ МИКРОСХЕМАЛАР

1. 
   Умумий маълумотлар
   

Интеграл микросхемалар электр асбобларнинг сифат даражасидаги янги тури бўлиб электрон қурилмаларнинг асосий негиз элементи ҳисобланадилар.
Интеграл микросхема (ИМС) электр жиҳатдан ўзаро боғланган электр радиоматериаллар (транзисторлар, диодлар, резисторлар, конденсаторлар ва бошқалар) мажмуи бўлиб, ягона технологик циклда бажарилади, яъни бир ватқнинг ўзида ягона конструкция (асос)да маълум ахборотни қайта ишлаш функциясини бажаради.
ИМСларнинг асосий хоссаси шундаки, у мураккаб функцияларни бажариш билан бирга кучайтиргич, триггер, ҳисоблагич, хотира қурилмаси ва бошқа функцияларни ҳам бажаради. Худди шу функцияларни бажариш учун дискрет элементларда мос келувчи схемани йиғиш талаб қилинарди.
ИМСлар учун икки асосий белги мавжуд: конструктив ва технологик. Конструктив белгиси шундаки, ИМСнинг барча элементлари асосий асос ичида ёки сиртида жойлашади, электр жиҳатдан бирлаштирилган ва ягона қобиқга жойлаштирилган бўлиб, ягона ҳисобланади. ИМС элементларининг ҳаммаси ёки бир қисми ва элементлараро боғланишлар ягона технологик циклда бажарилади. Шу сабабли интеграл миросхемалар юқори ишончлиликка ва кичик таннархга эга.
Ҳозирги кунда ясалиш тури ва ҳосил бўладиган тузилмага кўра ИМСларнинг учта принципиал тури мавжуд: ярим ўтказгичли, пардали ва гибрид. Ҳар бир ИМС тури конструкцияси, микросхема таркибига кирадиган элемент ва компонентлар сонини ифодаловчи интеграция даражаси билан характерланади.
Элемент деб бирор электрорадиоэлемент (транзистор, диод, резистор, конденсатор ва бошқалар) функциясини амалга оширувчи ИМС қисмига айтилади ва у кристалл ёки асосдан ажралмаган конструкцияда ясалади.