Hozirgi sharoitda yoqilg‘ini sezilarli darajada tejashning ikki yo‘li mavjud: avtomobilni garajda yoping va piyoda yurish yoki avtomobilga avtogaz uskunalari o‘rnatish

CaAs dan tayyorlangan nur tarqatuvchi diodlar uchun  taxminan 10⁰ tashkil etadi va nur tarqatuvchi diodni tekis konsturksiyasida u hosil qilgan yorug‘lik 4% chetga chiqadi. Nur tarqatuvchi diodlarni effetivligini oshirish uchun ularni optik yorug‘lik chiqaruvchi yuzasi sferik, elliptik parabolik shaklda bo‘lishi kerak. r-n o‘tish radiusini tashqi yuza radiusiga nisbatan yarim sfera ko‘rinishda tayyorlangan nur tarqatuvchi diodlarda n₂/n₁ nisbatan juda yaxshi bo‘lib, undan tarqalgan yorug‘lik n₁ nisbatan normal bo‘yicha tarqaladi. Nur tarqatuvchi dioddan xavoga berilayotgan yorug‘lik oqimi 20 baravarga kattalashadi. Kerakli shaklga ega bo‘lgan sindirish koeffitsienti nur tarqatuvchi diod materialining sindirish koeffitsientiga yaqin bo‘lgan tiniq material bilan nur tarqatuvchi diod tekis yuzasini qoplab bunday natijaga erishish mumkin. Yuqorida aytilganlardan ko‘rinib turibdiki, nur tarqatuvchi diodlar jo‘nattirilgan yorug‘lik manbaidir. Nur tarqatuvchi diodni asosiy parametrlaridan biri bu yoritish quvvatidir. Tok bilan yoritish quvvatiga bog‘liq xarakteristikalar–nur tarqatuvchi diodni quvvat xarakteristikalari deyiladi. Nur tarqatuvchi diodlarning quvvati tashqi kvant chiqish va r-n o‘tishning yorug‘lik berayotgan maydoniga bog‘liq. 3.6.a-rasmda quvvat xarakteristikalari ko‘rsatilgan. Xarakteristikaning ishchi qismi:
R=k(I_a*^. - I_a )
tenglama bilan ifodalanuvchi qismidir. Quvvat xarakteristikasining bu chiziqli uchastkasida nur tarqatuvchi diodning r-n o‘tishidagi tok kuchi, asosiy bo‘lmagan tashuvchilarning diffuziya toki bilan aniqlanadi. Quvvat xarakteristikasining ko‘rinishiga r-n o‘tish temperaturasi, tashqi muhit temeperaturasi o‘z ta’sirini o‘tkazadi. Nur tarqatuvchi diod ishlashga tashqi muhit temperaturasi ta’sirini kamaytirish uchun unga ketma-ket qilib tiristorlar ulash mumkin. Faqat shundagina uncha katta bo‘lmagan temperatura o‘zgarishi diapazonida natija olish mumkin. Yana ham yaxshi namunalarni nur tarqatuvchi diodga paralel va ketma-ket qilib qarshilik ulash bilan erishiladi. Lekin, bunda shunday qalinliklar tanlanadiki, tashqi muhit harorati ko‘tarilishi bilan erishish mumkin. Lekin, bunda shunday qarshiliklar va unga ulash qarshiliklari o‘rtasida toklarni qayta taqsimlanishi sodir bo‘ladi, buning natijasida nur tarqatuvchi dioddan oqib o‘tayotgan tok ortib boradi. 3.6.b-rasmda CQU-17 nur tarqatuvchi diod yoritish quvvatining tashqi muHit temperaturasiga bog‘liqlik egri chiziqlari berilgan bo‘lib, (2 va 4) egri chiziqlar stabillashuvi, (1 va 3) egri chiziqlar stabillishgan. Boshlang‘ich bo‘limda R=f(I) chiziqsiz bog‘liqligi bilan xarakterlanadi. r-n o‘tishda yetarli zich tokni o‘sib borishi, vaqt birligi rekombinatsiyalar sonini proporsional o‘sib borishiga olib kelmaydi va quvvat xarakteristikasining qiyaligi tusha boshlaydi. Ishchi bo‘limga mos keladigan tok diapazoni turli nur tarqatuvchi diodlar uchun har xil. SaAS nur tarqatuvchi diodlarning quvvat xarakteristikalar tok zichligi diapazoniga (500 A/mm²) ga o‘zgaradi. Fosfidgalliy nur tarqatuvchi diodlarining ko‘k yorug‘lik beruvchi turi uchun ham yoritish quvvati tokdan chiziqli bog‘liq. Qizil yorug‘lik beruvchi nur tarqatuvchi diodlar uchun, to‘yinganlikni R_nurI² ko‘rsatkichli bog‘liqlik tenglama bilan beriladi. Bunda 0,7-0,9. Karbidkremniy nur tarqatuvchi diodlari quvvat xarakteristikalari ham to‘yinish tendensiyasiga ega bo‘lib, to‘yinish fosfidgalliysiga nisbatan ertaroq boshlanadi. Turli materiallardan tayyorlangan nur tarqatuvchi diodlarning solishtirma taxlili shuni ko‘rsatadiki, zich katta yoritish quvvati, yaqin IQ spektrda yorituvchi arsenidgaliy nur tarqatuvchi diodlaridir. Bugungi kunda statik rejimda ishlovchi (doimiy tok) nur tarqatuvchi diodlarning yoritish quvvati, issiqlik bilan yorituvchi manbalarnikiga nisbatan kam. Arsenidgalliy nur tarqatuvchi diodlarini eng yaxshi namunalari quvvati bir necha o‘n mVt dan oshmaydi, fosfidgallarning ko‘k turi bir necha mkVt va qizil turi bir necha yuz mkVt dan oshmaydi.


A ) b)

2.6.-rasm.

a) Nur tarqatuvchi diodning quvvat xarakteristikasi,
b) Nur tarqatuvchi diod yoritish quvvatining tashqi muhit temperaturasiga bog‘liqligi.

Ammo nur tarqatuvchi diodlar nurlanish quvvatini ularning quvvat xarakteristikalariga ko‘ra tokni ko‘paytirish yo‘li bilan bir necha marta ko‘paytirish mumkin, agar r-n o‘tishni majburiy sovutish (masalan, suyuq azotda) yoki nur tarqatuvchi diodning impulsli ta’minlanishidan foydalanish mumkin. Shuning uchun impulsli rejimni fotoelektrik o‘lchov sistemasining nurlanish manbasi sifatida nur tarqatuvchi diodlardan foydalanishda asosiy deb hisoblanadi.

Nur tarqatuvchi diodlarning xususiyati shundaki, ular bitta yoki ikkita tor maydonda bo‘lgan to‘lqin uzunligida nurlanish beradi. 3.1.-jadvalda bir necha turdagi nur tarqatuvchi diodlarning asosiy parametrlari keltirilgan.
Nur tarqatuvchi diodlarning inersiyasi vaqtning o‘sib borishi va to‘g‘riburchak elektrik impulsni berishida nurlanish impulsi tushishi bilan xarakterlanadi. Umuman GaAS nur tarqatuvchi diodlari uchun 10^-10 -10^-6 sek ga teng, GaR nur tarqatuvchi diodlar uchun – 10^-9-10^-7 sek ga va SiR – nur tarqatuvchi diodlar uchun – 10⁸-10^-5 sek ga teng.
Optoelektron o‘lchash apparaturasida qo‘llaniladigan nurlanish manbasi bo‘lgan nur tarqatuvchi diodlarning asosiy qulayligi inersiyalanishidir. Bu bir qator qulayliklarga ega bo‘lgan optoelektron o‘lchash qurilmalarini yaratilishiga olib keladi. Nur tarqatuvchi dioddan oqib o‘tayotgan tokni har xil usullar bilan boshqarish mumkin.
2.6.a-rasmda nur tarqatuvchi diodni tok bilan boshqarishni sodda sxemasi keltirilgan. Asosiy ta’minlash tokni nur tarqatuvchi dioddan oqib o‘tishini tashkil qilib beradi.


a) b)
2.7.-rasm.

a) Nur tarqatuvchi diodni tok bilan boshqarishni sodda sxemasi, b) Nur tarqatuvchi diodni boshqarishni murakkab sxemasi.