Hozirgi sharoitda yoqilg‘ini sezilarli darajada tejashning ikki yo‘li mavjud: avtomobilni garajda yoping va piyoda yurish yoki avtomobilga avtogaz uskunalari o‘rnatish

3.1-jadval.

Diod turi	V kd/m^3	Ud, V	R, mvt	,nm	Id, mA	Ut, V	Tempe-ratura oralig‘i	Nurla-nish rangi.
AL106A AL106B AL106V AL107A AL107B AL108A AL108B LA109A AL301A AL301B	- - - - - - - - 10 20	1,7 1,7 1,7 2 2 1,35 1,85 1,2 3 3,8	0,2 0,4 0,6 6 10 1,5 1,5 0,2 - -	920-935 920-935 920-935 900-1200 900-1200 - - -	120 120 120 100 100 110 110 22 11 11	- - - - - 2 2 - - -	-60-+85 -60-+85 -60-+85 -40-+85 -40-+85 -60-+85 -60-+85 -60-+85 -60-+85 -60-+85	IQ IQ IQ IQ IQ IQ IQ IQ Qizil IQ

Boshqariladigan manbadan nur tarqatuvchi diodning zanjiriga kerakli qonun bilan ta’minlaydigan o‘zgaruvchan tok keladi. Nur tarqatuvchi dioddan oqib o‘tayotgan tok quyidagi tenglama bilan aniqlanadi:

R qarshiligini I_SD kattaligiga nur tarqatuvchi diod parametrlarining har xilligi ta’sirini kamaytirish uchun kiritiladi. Bu yerda Z_D – nur tarqatuvchi diodning to‘g‘ri qarshiligi.
3.7.(b)-rasmda nur tarqatuvchi diodni boshqarishni boshqa sistemasi keltirilgan.
I_SD toki nur tarqatuvchi diodlarning bunday ulanishida, kirish signali yo‘qligida nur tarqatuvchi dioddan oqib o‘tayotgan tok va tranzistorlar kirishiga beriladigan, signal sathiga proporsional bo‘lgan, ushbu tokning o‘zgaruvchan kattaligi toklarning yig‘indisiga tengdir. Boshqarish kuchlanishi qiymati bo‘lgan nur tarqatuvchi dioddan oqib o‘tayotgan tok kattaligi, tranzistor kirishiga beriladigan, R qarshiligi yordamida o‘rnatiladi.

2.4. Fotopriyomniklar va ularning asosiy xarakteristikalari.

Nur tarqatuvchi diodli qurilmalarda ham ichki fotoeffektli ham tashqi fotoeffektli fotopriyomnik qo‘llanishi mumkin. Nur tarqatuvchi diodlar ishlatiladigan qurilmalarda asosan kichik xajmli va past to‘lqinli manba bo‘lganiligi uchun fotopriyomnikli fotodiodlar va fototranzistorlar ishlatiladi. Fotorezistorlarda fotoo‘tkazuvchanlikni o‘zgarishi va ham toza, ham aralashmalar fotoo‘tkazuvchanligiga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichlar asosida tayyorlanadi.

Birinchi guruxga qo‘rg‘oshin (RbSe, RbS, RbTe) va indiy (InSb,InAs) aralashmalari asosida yaratilgan fotorezistorlar kiradi. Ikkinchi guruxga germaniy va kremniyga turli elementlar aralashmalari–oltin, qo‘rg‘oshin, simob, bo‘r, kadmiy, rux va hakazolar qo‘shilgan qorishmalar asosidagi fotorezistorlar kiradi.
Amaliyotdan ma’lumki umumiy barcha fotorezistorlar chiziqsiz luks-amper xarakteristikaga ega, uni qisqartirilgan holda quyidagi ko‘rinishda bo‘ladi:
I_f=SI^.F_
bu yerda: I_f-fototok; S-doimiy, material xususiyatlaridan aniqlanadigan kattalik; U-fotorezistorga qo‘yilgan kuchlanish; F –fotorezistorning sezuvchi qismiga tushayotgan nurlanish oqimi; ,  - nochiziqlilik koeffitsienti.
I_n fotorezistor orqali oqib o‘tayotgan to‘la tok quyidagi tenglamaga teng:
I_n= I_f+ I_t
bu yerda: I_t - fotorezistor yoritilmagandagi oqib o‘tayotgan qorong‘ulik toki:

bu yerda, R_t- qorong‘ulik qarshiligi.
Luks-ommik xarakteristikani quyidagicha izoxlanadi:

bu yerda, R₀ –fotorezistorning yoritilganlikdagi qarshiligi.
Inersiyalanish, yuqorida aytib o‘tilganidek, fotopriyomniklarning kamchiliklaridan biri bo‘lib hisoblanadi, shunday ekan ko‘pchilik hollarda nur tarqatuvchi diodli qurilmalarda impulsli rejim ishlatiladi.
Inersiyalanish doimiy vaqtning o‘sishi _n va fototokning kamayuvchi kuchlanishda pasayishi _s bilan xarakterlanadi. Fotorezistorning tez harakatchanlik bo‘yicha tanlashda quyidagicha qabul qilingan, impulsning doimiyligi vaqtning doimiy o‘suvchanligidan uch-to‘rt marta katta bo‘lishi kerak, shunday ekan shu vaqt ichida fototok o‘zining yuqori qiymatiga erishadi.
Yuklama qarshiligini ma’lum formuladan keltirib chiqarish mumkin:

bu yerda, R_K – qorong‘ulik qarshiligi; R_Yo – yorug‘lik qarshiligi.
Fotodiodlar, fotorezistorlardan farqli holda, yarim o‘tkazgich plastikani tashkil qiladi, uning ichida quyidagi soxalar mavjud elektron (n-soxa) va teshik (r-soxa) o‘tkazuvchilar, n-r o‘tkazgichlarga bo‘lingan.
Fotodiodlarda ikki xil ish rejimi ajratiladi fotodiodli va fotogeneratorli. Fotodiodni yoritilganda va fotodiodli rejimda yordamchi tashuvchilar ajratiladi, toki oshadi, bu tokning ortishi asosiy tashuvchilar tokidan ma’lum darajada katta bo‘ladi, ya’ni yorug‘lik tokining qorong‘ilik tokiga munosabati fotodiodlarda ancha ortiq, fotorezistorlarda ham shunday munosabat bo‘ladi. Fotodiod orqali o‘tayotgan to‘la tok teskari siljishda quyidagiga teng:

bu yerda, I_F – fototok, I_S –r-n o‘tish orqali teskari tok, D – koeffitsient, I – fotodiod kuchlanishi, fototok quyidagiga teng:

bu yerda, S – fotodiodning integral tok sezgirligi.
Fotogeneratorli rejimda, ya’ni tashqi manbasiz, r-n o‘tishning vazifasi asosan yorug‘lik ta’sirida paydo bo‘luvchi zaryad tashuvchilarni ajratish (elektron va teshik), uning natijasida fotodiod foto EYuK ishlab chiqaradi.
Salt ishlash rejimida fotogeneratordagi kuchlanish nur oqimi logarifmiga proporsional, ya’ni,

Ta’kidlash kerakki, fotodiodning inersiyalanishi fotodiodli rejimga nisbatan fotogenerator rejimida ancha yuqoridir.
Fotodiodning spektral xarakteristikasi qanday fotodiodning qaysi material asosida tayyorlanishiga bog‘liq bo‘ladi. Ko‘pincha, fotodiodlar germaniy va kremniydan tayyorlanadi. Kremniyli fotodiodlar 0,80,9 mkm spektral xarakteristikaga ega bo‘lsa, germaniyli fotodiodlar maksimum 1,2 mkm gacha bo‘ladi.
Fototranzistorlar fototokni kuchaytirish xususiyatiga ega. Uchta ketma-ket soxalardan tashkil topgan elektron va teshikli o‘tkazuvchilar, sxemaga kiritish uchun chiqishlar bilan ta’minlangan, baza soxasiga yorug‘lik bilan ta’sir qilinadi.