Islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universiteti elektr energetikasi fakulteti

du
dq
С
d

ko‘payishiga 
olib keladi. Dinamik sig‘im-ning ko‘payishini to‘la zaryadning kuchlanishga bog‘liqligini 
ko‘rsatuvchi volt-kulon xarakteristikasida yaqqol ifodalaymiz.
Elektr uzatish yo‘llarida o‘ralgan va parchalangan o‘tkaz-gichlar keng qo‘llanilmoqda. O‘ralgan 
simning g‘adir-budurligi tojlanishning hosil bo‘lishini yengillashtiradi. Tashqi diametrlar va 
boshqa har xil sharoitlarning tengligida (liniyaning sig‘imi, kuchlanish, atmosfera sharoitlari) 
o‘ramali sim sirtidagi maydonning maksimal kuchlanganligi E
o‘
, silliq sim sirtidagi maydonning 
maksimal kuchlanganlikdan E
s
ancha katta va ularning nisbati 
7
,
0

Еу
Ес
ga teng. O‘ramli simn-

---

41 
ing sirtiga yaqin joyda maydon kuchlanganligi pasayishining silliq sig‘imnikiga qaraganda sal-
mog‘i katta, o‘ramli sim sirtidagi tojlanishning boshlanish kuchlanishining silliq simnikiga nisbati 
0,82–85 ga teng. 
Elektr uzatish yo‘lida tojlanishning alohida o‘choqlari, kuch-lanishning qiymati o‘tkazgich ustiga 
hech qanday yog‘in-sochin bo‘lmagandagi kritik kuchlanishdan anchagina kichik kuchla-nishda 
ham paydo bo‘ladi. Kuchlanishning kritik kuchlanishdan kichik qiymatlarida tojlanish razryadi 
mahalliy xarakterga ega. Sim sirtining ayrim joylarida razryadlanish o‘choqlarining paydo 
bo‘lishiga sabab o‘tkazgich sirtining kirlanishi yoki shikastlanishi tufayli kuchlanganlikning 
oshishi hisoblanadi. Elektr uzatish yo‘lining simlaridagi kuchlanish kritik kuchlanishga tenglash-
ganda isrof yo‘l qo‘yib bo‘lmaydi gan darajada oshib ketadi. Shuning uchun fazadagi par-
chalangan simlarning diametri shunday bo‘lishi kerakki, ularning ishchi kuchlanishi tojlanishning 
kritik kuchlanishdan ancha kichik bo‘lsin, ya’ni U
r
= (0.8-0.9)U
k
. 
Tojlanish tokining impulslari elektr uzatish yo‘llarining yaqinida radioshovqin hosil qiladi. Radi-
oshovqin sathi ruxsat etilgan qiymatdan oshmagandagi simlar sirtlaridagi maydon kuchlanganligi 
(kV/sm) quyidagi empirik formula yordamida aniqla-nishi mumkin: 
0
0
8
,
4
2
,
11
7
,
15
r
r
E
rsh



Laboratoriya sharoitida simlar sirtidagi tojlanishni tekshirishda sim silindrga joylashtiriladi. Bu 
paytda tojlanishlarning boshlang‘ich kuchlanishi ushbu formulalar bo‘yicha hisoblanadi:
yagona sim uchun 
0
0
r
R
l
mr
E
U
n
b
b

parchalangan simlar uchun 
э
b
b
r
R
r
r
n
Е
nmr
U
ln
)
1
(
1
0
0



bu yerda: E
b
-tojlanishning boshlang‘ich kuchlanganligi, kV/sm (agar tojlanishning kritik 
kuchlanishi U
k
aniqlanilayotgan bo‘lsa, u vaqtda E
b
o‘rniga E
k
qo‘yiladi); r
0
-simning radiusi, sm;
R-silindrning radiusi; m-nosilliqlik koeffitsienti; n-faza parchalangandagi simlar soni; 
p
r
- par-
chalanish radiusi; 
n
p
p
e
r
r
n
r
r
0

- parchalangan simlarning ekvivalent radiusi; r
e
u shunday 
yagona o‘tkazgichning radiusi-ki, u vaqtda liniyaning ishchi sig‘imi parchalangan simlarning 
ishchi sig‘imiga teng.
Ko‘rinuvchan tojlanish kuchlanishiga o‘tkazgich sirtining silliqligi katta ta’sir ko‘rsatadi. 
Silindrik kondensatorning o‘qiga nisbatan r masofadagi ixtiyoriy nuqtadagi maydon kuchlangaligi