Казанский

Распределение пробегов

Зная величины S_n(E) и S_e(E), полный пробег R вычисляется следую-щим образом

R=
1 ¹ dE
^N_{o 0} ^S_n ^E^{ S}_e ^E ⁽¹⁵⁾

Поверхность мишени
<sub>Rp

R</sub>

R

Траектория иона

R – полный пробег
R_p – проекционный пробег R_ – боковое рассеяние
Рис.20. Траектория и пробег ионов в твердом теле

Профиль распределения пробегов

Для количественного описания используется обычно два основных

подхода:

61


Ф



 - математическое моделирование процессов прохождения (метод Монте - Карло). На ЭВМ моделируются траектории нескольких сотен или тысяч ионов. В программах обычно учитываются потери энергии на неупругие и упругие столкновения, распыление, изменение эле-ментного состава. Существуют стандартные программы: TRIM, DINA и др.;
 - метод моментов распределений. В теории ЛШШ в качестве первого приближения взято гауссово распределение. Оно хорошо описывается средним проективным пробегом R_p и дисперсией или средним квад-
ратичным отклонением R_p (страгглинг)

^N ^x^
 _{x R} ² 
^exp ²  ⁽¹⁶⁾  ^p 

N

_Nmax

R_p X

Рис.21. Профиль распределения пробегов имплантированных ионов При таком распределении не учитываются диффузионное перерас-
пределение, распыление и т.п. Однако, для оценок такое распределение очень удобно. Существуют таблицы R_p и R_p для различных комбина-

62

ций ион - мишень при различных энергиях [Буренков А.Ф. и др. Таблицы

параметров пространственного распределения ионно-имплантированных

примесей.- Мн.: Изд-во БГУ, 1980.- 352с.].

В монокристаллах известен эффект каналирования - увеличение про-

бега при имплантации в направлениях кристаллографических осей, вдоль

которых образуются каналы для движения имплантированных ионов.

N
Аморфный профиль

Участок деканалированных ионов

Участок каналирования

_{Рис. 22. Распределен} R_{p обегов при каналировании} X Рис.22. Распределение пробегов при каналировании