Казанский

Лабораторная работа 3. Ионно-лучевой синтез тонких пленок

ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

Ионная имплантация (ионная бомбардировка, ионное внедрение,

ионное легирование) - метод, основанный на внедрении в твердое тело ус-

коренных в электростатическом поле ионизированных атомов или молекул

с энергией от нескольких килоэлектронвольт до нескольких мегаэлектрон-

вольт.

Основные характеристики

Ионная имплантация (ионная бомбардировка, ионное внедрение,

ионное легирование) - метод, основанный на внедрении в твердое тело ус-

коренных в электростатическом поле ионизированных атомов или молекул

с энергией от нескольких килоэлектронвольт до нескольких мегаэлектрон-

вольт.

Рис.18. Основные характеристики ионной имплантации

55

I - ионы практически любых химических элементов, а также молекул или

их фрагментов;

n - заряд иона, обычно положительный. Возможно использование многоза-

рядных ионов. Интенсивность ионов в пучке для газоразрядного плаз-

менного источника с увеличением заряда на единицу обычно уменьша-

ется в 3-4 раза (т.е., например, если в полном спектре ионов ток одно-зарядного О⁺ составляет 10 мкА, то ток ионов О⁺⁺ - ~ 3 мкА). Практи-чески не используются ионы с зарядом более +6, в первую очередь из-за их малого количества в плазме дугового разряда;