Muhammad-al xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari univrsiteti

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROR TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI

MUHAMMAD-AL XORAZMIY NOMIDAGI

TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVRSITETI

Kafedra Elektronika va radiotexnika

Fan Elektronika va Sxemalar

Labaratoriya ishi-11

Gurux : 711-19

Bajardi: Rahmonov Azizbek

Tekshirdi: Abdubakir Abdulayev

11- Laboratoriya ishi

Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Voltamper xarakteristikalarini tadqiq etish

Ishdan maqsad: Umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.
Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
11.1. Laboratoriya ishini bajarish oldidan uing pasport ko‘rsatmalarini yozib oling.
11.2. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va
chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchashda 11.1-rasmda keltirilgan principal sxemani yig‘ing, sxemani o‘lchashda qo‘llaniladigan o‘lchov asboblari bilan
tanishib chiqing.

13 variant R=50 2N3055G

Uкэ =0В	IБ(мкА)	0	20	40	60	80	100
	UБЭ (В)	0	0.471	0.485	0.493	0.499	0.504
Uкэ >6В	IБ(мкА)	0	20	40	60	80	100
	UБЭ (В)	0	0.533	0.557	0.569	0.577	0.578

120	140	160	180	200
0.508	0.511	0.514	0.516	0.519
120	140	160	180	200
0.578	0.578	0.579	0.579	0.579

IБ=25 мкА	UКЭ, В	0	1	2	3	4	6
	IК, мА	0	0.855	1.815	2.716	2.795	2.887
IБ=150 мкА	UКЭ, В	0	1	2	3	4	6
	IК, мА	0	0.905	1.885	2.871	3.859	5.84
IБ=200 мкА	UКЭ, В	0	1	2	3	4	6
	IК, мА	0	0.912	1.892	2.879	3.868	5.85

8	10	12	14	16
2.979	3.071	3.162	3.254	3.347
8	10	12	14	16
7.823	9.807	11.79	13.77	15.74
8	10	12	14	16
7.835	9.821	11.8	13.79	15.78