Oxygen in Silicon Single Crystals

T = 600-700°С. В этом температурном интервале образуется два типа дефектов: стержнеподобные и пластинчатые [196, 197, 290]. Стержнеподобные (RLD) дефекты, как и аналогичные низкотемператур­ные, направлены вдоль [110]. В основном большая плоскость этих де­фектов параллельна плоскости (100)_Si, хотя также имеются некоторые RLD-дефекты с плоскостью (113)_Si. По всей видимости, стержнеподоб­ные дефекты представляют собой гексагональную структуру кристалла кремния, т. е. являются скоплением собственных межузельных атомов кремния [147, 272, 304], а не состоят из коэситной SiO₂ фазы, как предполагалось ранее в некоторых работах [196, 197, 290].
Образование RLD-дефектов при низких температурах сопровожда­ется образованием коллинеарных с ними (т. е. также направленных вдоль [110]) дислокационных диполей. Дислокационные диполи прак­тически образуются в том же температурном интервале (Т = 550- -750°C, что и стержнеподобные дефекты, причем их концентрация того же порядка, что и концентрация RLD-дефектов. При высоких темпера­турах плоскость дислокационных диполей резко уменьшается. Обычно наблюдается образование дислокационных диполей двух типов - 60° и 90°, хотя подавляющую часть составляют 60° дислокационные диполи. Диполи по своей структуре представляют собой две коллинеарные дислокации, направленные вдоль [110], расстояние между которыми порядка 25-35 нм [197]. Установлено, что эти дислокации межузель­ного типа и они являются недекорируемыми и недиссоциируемыми. На ранней стадии отжига образование RLD-дефектов сопровождается об­разованием маленьких дислокационных петель.
Второй тип дефекта, который образуется в этой температурной об­ласти - это кислородные преципитаты пластинчатой формы. Исследо­вания, проведенные с помощью высокоразрешающей электронной микроскопии, показывают, что эти преципитаты имеют аморфную SiO_x