O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi guliston davlat universiteti axborot texnologiyalari kafedrasi

  
 
 
Xotira mikrosxemalarini o‘rnatish  
O‘rnatishda yoki xotirani o‘chirishda quyidagi muammolarga duch 
kelishingiz mumkin:
• 
elektr zaryadlarini to‘plash;
• 
mikrosxema chiqishlarini shikastlanishi;
• 
SIMM va DIMM modullarini noto‘g‘ri o‘rnatilishi;
• 
yoqib-o‘chiruvchilar va ulovchilarni noto‘g‘ri joylashishi.
Sezuvchan xotira mikrosxemalarini yoki platalarni o‘rnatishda elektr 
zaryadlarini to‘planishini oldini olish uchun, sintetik kyilmlar yoki oyoq 
kyilmlari kyilsh shart emas. Ish boshlashdan avval tizim korpusiga tegib 
turuvchi statik zaryad yig‘uvchilarni olib tashashimiz yoki yaxshisi 
almashtiriluvchi qurilmalarga mahsus blaslet kiydirishimiz kerak. Uni 
elektronika do‘konlaridan sotib olish mumkin. Braslet o‘tkazuvchi tasma 
ko‘rinishida bo‘lib, korpus bilan simorqali birlashtiriladi (odatda “timsoh” 
tipida siqish yordamida). Qobiqni yerga qo‘yishda vilkani tarmoqdan uzish 
shart emas, balki komyuterni uchirish yetarli.
Har qanaqa mikrosxema (yoki xotira moduli) mos shaklda o‘rnatilishi shart. 
Mikrosxema bir tarafi oxirida niqob bo‘ladi. Bu qirqimli, doiraviy sathli yoki 
bosqacha bolishi mumkin. Mikrosxemalar o‘rnatiladigan orinlar mos niqobga 
ega. Xullas, tizimli platada mikrosxemalarni qanday o‘rnatish korsatilgan. 
Agarda quyiladigan o‘rinda niqob bo‘lmasa, u holda o‘rnatilgan 
mikrosxemalarga e’tibor qilish lozim. Qirqim joylashishi mikrosxemalarni 
qo‘yish joyini ko‘rsatadi.

---

 
9-Amaliy mashg‘ulot. Xotira va uning turlari. Kesh xotira, xotira 
ierarxiyasi. 
Shaxsiy kompyuterlar xotiraning 4 ta ierarxik darajasiga ega:
• 
mikroprotsessorli xotira (MPX);
• 
registrli kesh-xotira;
• 
asosiy xotira (AX); • tashqi xotira (TaEKD).
Birinchi uchta tipdagi eslab qoluvchi qurilmalarning tezkorligi ularga murojaat 
qilish vaqti (t
mur
) bilan o‘lchanadi, tashqi eslab qoluvchi qurilmalarning 
tezkorligi esa ikkita parametr bilan: murojaat qilish vaqti (t
kid
) va o‘qish tezligi 
(V
o‘qish
) bilan o‘lchanadi. T
mur
— malumotlarni qidirish, o‘qish va yozish 
vaqtlari yig‘indisi; t
kid
— yig‘uvchida (tashuvchi) malumotni qidirish vaqti;
V
o‘qish
— axborotning yonma-yon baytlarini ketma-ket (transfer) o‘qish tezligi.
Umumiy qabul qilingan qisqartirishlarni eslatib o‘taniz:sekund, ms — 
millisekund, mks — mikrosekund; 1 s=10
3
ms=10
6
mks=10
9
ns.
Mikroprotsessorli xotira