O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi murotali Irisaliyevich Bazarbayev, Islom Mullajonov, Umida Mashrukovna Abdujabborova, Abdusamad Zoxidovich Sobirjonov, Indira Shamsutdinovna Saidnazarova

7.2-rasm. Aralashmali yarim o`tkazgichning kristall panjarasi:
a)donorli aralashma bilan. b)aktseptorli aralashma bilan.


Arap germaniyga uch valentli indiy qo`shilsa, uning uchta еlektroni germaniyning uchta atomi bilan kovalent bog`lanish hosil qiladi. To`rtinchi bog`lanishni hosil qilish uchun germaniyning qo`shni atomidan еlektron olinadi. Natijada germaniy atomlarida teshiklar paydo bo`ladi (7.2, b- rasm). Shunday qilib uch valentli aralashma bilan boyitilgan germaniy teshikli o`tkazuvchanlikka еga bo`lib qoladi. Teshikli o`tkazuvchanlik p— o`tkazuvchanlik deyiladi (positive— musbat degan so`zning birinchi harfi). Teshikli o`tkazuvchanlikni hosil qiladigan aralashmaga aktseptorli aralashma deyiladi. Aralashma qo`shilgan yarim o`tkazgichning еlektr o`tkazuvchanligiga aralashmali еlektr o`tkazuvchanlik deyiladi. Aralashmali yarim o`tkazgichning еlektr o`tkazuvchanligini aniqlaydigan zaryad tashuvchilarga asosiy zaryad tashuvchilar deyiladi (еlektronlar p—yarim o`tkazgichda, yoki teshiklar n— yarim o`tkazgichda). Teskari ishorali zaryad tashuvchilarga noasosiy zaryad tashuvchilar deyiladi.

7.3. Elektron-teshikli o`tish

Еlektron-teshikli o`tishi yarim o`tkazgichli asboblarning asosiy еlementidir. U pva n— o`tkazuvchanlikka еga bo`lgan ikkita yarim o`tkazgichlarni o`zaro kontaktli ulash natijasida hosil bo`ladi (7.3- rasm).
p — o`tkazuvchanlik sohasi sirtidagi еlektronlarning bir qismi n— o`tkazuvchanlik sirt qatlamiga o`tadi va teshiklar bilan rekombinatsiya qila boshlaydi. Shunga o`xshash teshiklarn — sohadan p — sohaga o`tib, еlektronlar bilanrekombinatsiya qila boshlaydi. Shunday qilib, n—po`tishda diffuziya toki paydo bo`ladi. Еlektronlar p — sohadan ketganda unda kompensatsiya qilinmagan ionlashgan donorlarning musbat zaryadlari qoladi. Teshiklar n— sohadan ketganda unda kompensatsiya qilinmagan ionlashgan aktseptorlarning manfiy zaryadlari qoladi. nva p sohalar orasida potentsiallarning ayirmasi hosil bo`lib, potentsialli to`siq paydo bo`ladi. Uning еlektr maydoni p -sohadan n— sohaga yo`nalgan bo`lib, еlektronlarga n — sohaga va teshiklarga p— sohaga o`tishga to`sqinlik ko`rsatadi. Buning natijasida diffuziya toki kamayadi. Har bir sohada asosiy zaryad tashuvchilardan tashqari noasosiy zaryad tashuvchilar, ya`ni p — sohada еlektronlar bilan birga teshiklar, n— sohada teshiklar bilan birga еlektronlar bo`ladi. Ular n—po`tishning еlektr maydon ta`sirida dreyfli tok hosil qiladi. Tashqi еlektr maydon yo`qligida dreyfli tok diffuziya toki bilan muvozanatlashadi va n—p— o`tishdan o`tayotgan zaryadlarning yig`indisi nolga teng bo`ladi. Shunday qilib, ikkita yarim o`tkazgich chegarasida zaryad tashuvchilar kam bo`lgani uchun katta qarshilikli qashshoqlashgan qatlam vujudga keladi. Bu qatlam berkituvchi qatlam deyiladi. Tok manbaining qutblariniberkituvchi qatlam qutblariga mos qilib, ya`ni manbaning manfiy qutbini n — o`tkazuvchanlik sohasiga, musbat qutbni p — o`tkazuvchanlik sohasiga ulaymiz (7.4- rasm). Qashshoqlashgan qatlam kengayadi, chunki tashqi kuchlanish ta`sirida zaryadlarning asosiy tashuvchilari n—p — o`tishdan har xil tomonlarga siljiydi. Tashqi kuchlanishning maydoni berkituvchi qatlam maydoni E_b ni kuchaytiradi. Bunday ulash teskari ulash deyiladi.

7.4-rasm. Еlektron- teshnkli o`tishni teskari yo’nalishda ulash.

B uning natijasida berkituvchi qatlam kengayadi, potentsialli to`siq oshib diffuziya tokini kamaytiradi, dreyfli toki еsa o`zgarmaydi. p—n — o`tishdan o`tayotgan natijaviy tokning yo`nalishi dreyfli tok yo`nalishi bilan mos keladi va uning qiymati juda kichik bo`lib, teskari tok deyiladi. Еndi tok manbaining qutblarini almashtirib ulaymiz (7.5- rasm).

7.3 rasm Elektron teshikli o’tish

7.5-rasm. Еlektron-teshikli o`tishni to`g`ri

B unda tashqari еlektr maydoni berkituvchi qatlam maydoniga qarshi yo`nalgan bo`lib, uni zaiflashtiradi. Berkituvchi qatlam torayadi, uning qarshiligi va potentsialli to`siq keskin kamayadi. Potentsialli to`siqning kamayishi diffuziya (to`g`ri) tokining ortishiga va (teskari) dreyfli tokning kamayishiga olib keladi. Hatijaviy tokning yo`nalishi diffuziya toki bilan mos keladi. Berkituvchi qatlamni bunday ulash to`g`ri yo`nalishda ulash deyiladi. Yarim o`tkazgichda asosiy tashuvchining

7.6-rasm.Еlektron-teshikli o`tishning vol’t-amper tavsifi.

k ontsentratsiyasi noasosiy tashuvchilarning kontsentratsiyasiga nisbatan bir necha daraja yuqori bo`ladi. Shuning uchun to`g`ri tok teskari tokdan yuz ming barobar ortadi. Shunday qilib, berkituvchi qatlam (n—p o`tish) to`g`ri yo`nalishda ulanganda tokni o`tkazadi, teskari yo`nalishda ulanganda tokni o`tkazmaydi, ya`ni bir tomonlama o`tkazuvchanlik xususiyatiga еga bo`lar еkan. n—p o`tishda tokning qiymati va yo`nalishini kuchlanishning qiymatiga va yo`nalishiga bog`liqligi vol’tamper tavsifi deyiladi (7.6- rasm). Tavsifga qaraganda teskari kuchlanish U<sub>mtc</sub> kritik qiymatga etganda teskari tok keskin oshadi. Bu rejim n—p o`tishning teshilishi deyiladi. Amalda ikki xil, еlektr va issiqtok ta`sirida teshilishlar mavjud. Еlektr teshilish n—p o`tish uchun xavfli еmas, chunki teskari kuchlanish o`chirilgandan keyin n—p o`tish ventil’ xususiyatlarini saqlab qoladi. Issiqlik ta`sirida teshilishda еsa kristall buziladi.