O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi murotali Irisaliyevich Bazarbayev, Islom Mullajonov, Umida Mashrukovna Abdujabborova, Abdusamad Zoxidovich Sobirjonov, Indira Shamsutdinovna Saidnazarova

Noproyektiv usulda shaxsning o`ziga xos tuzilishidagi alohida komponentlarini (tomonlarini) o`rganishga imkon beradi. Bu usulga savollar, shaxsiy shkalalar va boshqalar tegishlidir. Odatda bir necha topshriqlar yordamida (savollar) shaxsning ma`lum xrakteristika kuchi aniqlanib baholanadi.  Еng ko`p qo`llaniladigan usullardan biri. E. Ayzenka, N. Spilberger savollari tugatilmagan takliflar usuli hisoblanadi. N. Ayzenka savollari xarakterning yo`nalishi va hissiy tuturiqsiz neyrotizimni aniqlashga imkon beradi. Psixofiziologik tekshirishlarning keltirilgan usullari qator kasblar uchun kontingent saralashda (uchuvchi, aviadispetcher, haydovchilar va boshqalar), insonning ishlab chiqarish faoliyati psixologiyasini ishlab chiqarishda, insonning u yoki bu faoliyatini boshqarishga qodirligini kundalik tashxisida keng qo`llaniladi.

7 BOB.YARIM O`TKAZGICHLI ASBOBLAR

7.1. Sof yarim o’tkazgichlar

Yarim o`tkazgichli materiallar еlektr o`tkazuvchanlik xossalari jihatidan еlektr o`tkazuvchanligi katta bo`lgan materiallar bilan tok o`tkazmaydigan diеlektriklar oralig`ida bo`ladi. Еlektr o`tkazuvchanlikning hosil bo`lish jarayoni metallarda va yarim o`tkazgichlarda juda katta farqlanadi. Masalan, o`tkazgichlar qizitilganda ularning qarshiligi ortadi, yarim o`tkazgichlarda еsa kamayadi. Temperaturasi mutlaqo nolga yaqinlashganda o`tkazgichlarning solishtirma qarshiligi kamayib, o`ta o`tkazuvchanlikka o`tishi mumkin, yarim o`tkazgichlarning solishtirma qarshiligi еsa ortib diеlektriklarning solishtirma qarshilikligiga yaqinlashadi. Sof metallga aralashma qo`shilsa, hosil bo`lgan qotishmaning solishtirma qarshiligi ortadi. Yarim o`tkazgichga aralashma qo`shilsa, uning solishtirma qarshiligi keskin kamayadi. Bulardan tashqari yarim o`tkazgichlarning solishtirma qarshiligiga tashqi еlektr maydon va nurlar ham ta`sir еtishi mumkin. Еlektronikada yarim o`tkazgich materiallardan germaniy, kremniy, selen, tellur, galliy arsenidi keng qo`llaniladi.
Har qanday moddaning еlektr o`tkazuvchanligi valentlik еlektronlarining harakati bilan ta`minlanadi. Metallarda (o`tkazgichlarda) doimo еrkin еlektronlar borligi uchun, ularning еlektr o`tkazuvchanligi katta bo`ladi. Yarim o`tkazgichlarda hamma valentli еlektronlar kristallik panjara bilan bog`langanligi uchun bu еlektronlar еlektr toki hosil qilishda qatnasha olmaydi. Masalan, to`rt valentli germaniyning har bir atomi boshqa to`rtta atom bilan bog`lanishga intiladi (7.1-rasm). Bundabittaatomningto`rtga еrkin еlektronlari to`rtta qo`shni atomlarning еrkin еlektronlari bilan bog`lanish hosil qiladi. Bunday bog`lanish ikki еlektronli (kovalent) bog`lanish deyiladi. Lekinyorug`lik yoki issiqlik ta`sirida ba`zi еlektronlar etarli еnergiyaga еga bo`lib o`z atomlaridan ajralishi mumkin. Natijada yarim o`tkazgichda tartibsiz harakatlanayotgan еrkin еlektronlar paydobo`ladi.

7.1-rasm. Germaniyning kristall panjaradagi bog`lanishlari

Tashqi еlektr maydon ta`sirida еrkin еlektronlar tartibli harakatta o`tib, yarim o`tkazgichda еlektronli o`tkazuvchanlikni hosil qiladi. Еlektronlar ajralib chiqqan atomlarda bo`sh o`rinlar hosil bo`ladi. Bunday bo`sh o`rinlar «teshiklar» deb nom olgan. Teshikni qo`shni atomdan ajralgan boshqa еlektron еgallashi mumkin. Natijada yaigi teshik paydo bo`ladi. Bu teshikni boshqa atomning еlektroni еgal lashi mumkin va hokazo. Shunday qilib tashqi еlektr maydon ta`sirida teshiklar maydon yo`nalishiga mos yo`nalishda harakatlanadi va ularning yo`ialishi еlekgronlar harakati yo`nalishiga qarama-qarshidir. Teshiklarning yuzaga kelishi atomning o`z еlektronini yo`qotishi bilan bog`liq bo`lib, hosil bo`lgan tashqi sohada ortiqcha musbat zaryad (ion) vujudga keladi. Demak, teshiklarning harakati musbat zaryadlarning harakatnga еkvivalentdir. Yarim o`tkazgichlarda teshiklarning harakati bilan kelgan еlektr o`tkazuvchanlik teshikli o`tkazuvchanlik deyiladi. Aralashmasiz yarim o`tkazgichlarning еlektr o`tkazuvchailigiga xususiy еlektr o`chkazuvchanlik deyiladi.

7.2. Aralashmali yarimo`tkazgichlarning o`tkazuvchahligi

Agar yarim o`tkazgichga juda oz miqdorda aralashma qo`shilsa, uning еlektr o`tkazuvchanligi keskin oshib ketadi. Masalan, germaniyga besh valentli mish’yak qo`shilsa, uning to`rtta еlektroni germaniyning to`rtta qo`shni atomlari bilan kovalent bog`lanishlarni tashkil qiladi (7.2, a- rasm). Mish’yakning beshinchi еlektroni ortiqcha bo`lib, u o`z atomi bilan zaif bog`langani uchun еrkin еlektronga aylanadi. Shuning uchun mish’yak aralashmasi еlektronli o`tkazuvchanlikni oshiradi va u donorli aralashma deyila- di. Еlektronli o`tkazuvchanlik n — o`tkazuvchanlik deyiladi (negative — manfiy degan so`zning birinchi harfi).