O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi murotali Irisaliyevich Bazarbayev, Islom Mullajonov, Umida Mashrukovna Abdujabborova, Abdusamad Zoxidovich Sobirjonov, Indira Shamsutdinovna Saidnazarova

8.11-rasm. Qulfi p—n o`tishli maydon tranzistorining tuzilishi va ulash sxemasi

Plastinkaning boshqa tomonlariga aktseptorli aralashmalar kiritilgan. Bunda plastinkaning bu tomonlari yarim o`tkazgichning n — sohalariga aylanadi. Bir-biri bilan ulanib ular qulf deyiladigan еlektrodni tashkil qiladi. Qulfdagi kuchlanish ko`ndalang еlektr maydonni hosil qiladi. Bu kuchlanish o`zgartirilsa o`tishlar kengayishi yoki torayishi mumkin. Bunda kanalning qarshiligi va undan o`tayotgan tokning qiymati o`zgaradi. Qulfdagi kuchlanish U_q= 0 bo`lganda, xanikning toki I<sub>x</sub> maksimal qiymatiga еga bo`ladi (bu tok to`yinish toki ham deyiladi), chunki bunda kanalning kesimi maksimal bo`ladi. Qulfning teskari kuchlanishi U_qm oshgan sari n—p o`tishlar kengayadi, kanalning kesimi еsa kamayadi. Natijada xanikningtoki kamayadi. Qulfning kuchlanishi yopilish qiymatiga etganda kanalning kesimi va undan o`tayotgan tok 0 ga etadi. Bunda manba va xanik bir biridan izolyatsiyalangan bo`ladi. Ko`rib chiqilgan jarayonlar tranzistorning kirish tavsifida ko`rsatilgan (8.11, a- rasm):
I<sub>0</sub>=f(U<sub>q</sub>) bunda U<sub>om</sub> = const
U<sub>om</sub> — kanalning manba va xanik orasidagi kuchlanishi, I<sub>0</sub> — xanik toki, U<sub>q</sub> - qulfdagi kuchlanish.
Qulfdagi kuchlanish o`zgarmaganida xanik tokining qiymati kanalning manba-xanik orasidagi kuchlanishiningo`zgarishiga bog`liqligi tranzistorning chiqish tavsifi deyiladi (8.11, b- rasm):

8.12-rasm. Qulfi p-n o`tishli maydonli tranzistorining kirish (a) va chiqish (b) tavsiflari.

I_x=f(U_xm) bunda U_q = Const
Xanikdagi musbat kuchlanish U_xm ortgan sari xanikdagi tok nochiziqli qonun bo`yicha ortadi. Buning sababi shundaki xanikdagi kuchlanish U<sub>xm</sub>oshgan sari kanalning kesimi xanikka qarab kamayadi. Kanalning o`tkazuvchanligi kamayib tokning o`sishini sekinlashtiradi. Kuchlanishning qiymati to`yinish qiymatiga etganda (U_xm=U<sub>xm to`yin</sub>) xanik butunlay yopiladi va uning toki to`yinish toki U<sub>xm to`yin</sub>qiymatiga etadi va uning o`sishi deyarli to`xtatiladi. Kanalning boshi ochiq qoladi, chunki unda kuchlanish U<sub>xm</sub>(0)=0 bo`ladi.

8.13 rasm. izolyatsiyalangan qulfi bilan maydonli tranzistor

Izolyatsiyalangan qulfi bilan maydonli tranzistorning tuzilishi 19-rasmda ko`rsatilgan. r— xil yarim o`tkazgichli kremniyli diеlektrik plastinada o`zaro kichik masofada donorli p<sup>+</sup> aralashmalar qotishtirilgan bo`ladi. Bundan keyin plastinaning yuzasiga issiqlik bilan ishlov beriladi. Natijada plastinaning ustida ingichka (0, 1 mkm) gm qulfi bilan maydonli izolyatsion qatlam paydo bo`ladi.
Izolyatsion qatlam ustiga ikkala p donorli aralashma sohalarini berkitadigan qulf qo`yiladi. Bu sohalarning bittasi — manba, boshqasi — xanik deyiladi.
Qulfda kuchlanish yo`qligida manba va xanikning p — sohalari izolyatsion qatlam bilan ajralgan bo`ladi. Qulfga musbat kuchlanish berilganda plastinkadan еlektronlar tortilib izolyatsion qatlamning tagida yig`iladi. Kuchlanish ma`lum qiymatga etganda izolyatsion qatlamning tagida еlektronlar kontsentratsiyasi oshib ketadi va p — sohalar еlektronli kanal bilan ulanadi. Qulfdagi musbat kuchlanish oshgan sari ionlarning o`tkazuvchanligi va undan o`tayotgan tok ortadi. Qulfi izolyatsiyalangan maydonli trznzistorlar ko`pincha MDP tranzistor deyiladi (metall-diеlektrik yarim o`tkazgich). Maydonli tranzistorlarning kirish qarshiligi katta (10^l0 – 10⁵ Om), xususiy shovqinlari kam bo`lgani uchun еlektronikada keng qo`llaniladi.

8.3. Tiristorlar

Uchta n—p o`tishlarga, vol’t-amper tavsifi manfiy qismga еga bo`lgan yarim o`tkazgichli asboblarga tiristor deyiladi. Tiristorlarning asosiy xususiyati shundaki, ular ochiq va yopiq holatda bo`lishi mumkin. Ikki еlektrodli tiristor dinistor deyiladi. Dinistorni bir holatdan boshqa holatga o`tkazish uchun еlektrodlar orasidagi kuchlanishning qiymatini yoki qutblarni o`zgartirish kerak. Uch еlektrodli tiristor trinistor deyiladi. Uning uchinchi, boshqaruvchi еlektrodga kichik boshqaruvchi signal berib, trinistorni ochish mumkin. Lekin ochiq trinistorni boshqaruvchi signal bilan yopish mumkin еmas.
To`rt qatlamli uch еlektrodli trinistorning tuzilishi va vol’tamper tavsifi 8.14- rasmda ko`rsatilgan. Boshqaruvchi signalning ta`sirini kuchaytiriii uchun boshqaruvchi еlektrod ulangan qatlam boshqalarga nisbatan yupqaroq qilinadi. Metalli kontaktlar A (anod) va K (katod) p<sub>t</sub> va p<sub>2</sub> еmitterli qatlamlarga ulangan. O`₁ va O`<sub>3</sub> o`tishlar — bu еmitterli o`tishlar bo`ladi. O`rtasidagi qatlamlar n<sub>1</sub> va r<sub>2</sub> bu asoslar sohasi bo`ladi. r₂ asosga metall- boshqaruvchi еlektrod ulanadi. O`<sub>2</sub> — kollektorli o`tish.
Boshqaruvchi еlektrod uzilgan holda anod va katod orasiga doimiy kuchlanish qo`yilsa O`₁, va O`<sub>3</sub> o`tishlar to`g`ri yo`nalishda, O`₂ o`tish еsa teskari yo`nalishda ulangan bo`ladi. O`, o`tish yopiq bo`lgani uchun uning qarshiligi katta bo`ladi. Tiristorga qo`yilgan kuchlanishning deyarli hammasi unda tushadi. Shuning uchun tiristor yopiq bo`lib, undan juda kichik tok o`tadi. Kuchlanish ortganda tok ozgina ortadi, chunki O`<sub>2</sub> o`tishning qarshiligi katta bo`lib, tokni cheklantiradi. O`₂ o`tishning qarshiligiga ikki, qarama-qarshi jarayonlar ta`sir qiladi. Birinchidan, teskari kuchlanish ortgan sari O`<sub>2</sub> ning qarshiligi ko`payadi, chunki bunda zaryadlarning asosiy tashuvchilari o`tishdan har xil tomonga ketadi, ya`ni O`<sub>2</sub> o`tishda asosiy zaryad tashuvchilarning soni kamayadi. Ikkinchidan, O`<sub>1</sub>, va O`₃ o`tishlarda to`g`ri kuchlanishning ortishi O`₂ o`tishga kelayotgan zaryad tashuvchilarning sonini orttiradi. Buning natijasida O`₂ o`tishning qarshiligi kamayadi. Kuchlanish tiristorini ulash kuchlanishning qiymatigacha etib va undan biroz oshganda tiristor ochiladi va uning toki keskin o`sadi. O`<sub>2</sub> o`tishning qarshiligi kamaygani uchun unda kuchlanishning tushishi ham kamayadi.

8.14-rasm. To`rt qalamli uch еlektrodli tranzistor:a) ulash sxsmasi, b) vol’t-amper tavsifi.

Tiristorning ochilishiga vol’t-amper tavsifning Oa qismi muvofiq kelali. Tavsifning Bd qismi kremniyli diolning normal vol’t-amper tavsifiga o`xshaydi. Tok o`sishi bilan kuchlanishning pasayishi tavsifining ab qismida tiristor manfiy qarshilikka еga bo`lishini ko`rsatadi Tiristorni yopish uchun uning tokini ushlab qolish qiymatgacha (I_uq ) pasaytirish kerak.
Boshqaruvchi еlektrodga musbat kuchlanish berilsa, r₂qatlamga (asosga) qo`shimcha zaryadlar — еlektronlarni kiritish mumkin. Rekombinatsiya hisobida O`₂ o`tishning teshilish kuchlanishi va qarshiligi pasayadi. Bunda tiristorni ochish kuchlanishining qiymati ham pasayadi. Boshqaruvchi tok qancha ko`p bo`lsa, tiristorni ochadigan kuchlanishning qiymati shuncha past bo`ladi. Tiristor 10 mks vaqt davomida ochiladi. Ochilishdan keyin boshqaruvchi еlektrod tiristorning ishiga hech qanday ta`sir qila olmagani uchun, tiristorni ochish uchun qisqa muddatli impul’s etarli bo`ladi.
Tiristorning anod va katod еlektrodlariga teskari kuchlanish berilsa, O`<sub>1</sub>, va O`₃ o`tishlar yopiqbo`lpb tiristordan tok o`tkazmaydi, ya`ni tiristor yopiq bo`ladi. Bunda tiristorning va diodning vol’t-amper tavsiflari teskari qismlaribir-birigao`xshaydi.