O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi murotali Irisaliyevich Bazarbayev, Islom Mullajonov, Umida Mashrukovna Abdujabborova, Abdusamad Zoxidovich Sobirjonov, Indira Shamsutdinovna Saidnazarova

Ish prinsipi
Qo`sh qutbli tranzistorning ish printsipini umumiy asos bilan ulangan r—p—n tranzistor misolida ko`rib chiqamiz (8.7-rasm). Еmitter-asos zanjirini uzib, kollektor va asos orasiga teskari kuchlanish ulaymiz. Bunda еmitter toki I_е= 0, kollektor orqali noasosiy zaryadlartashuvchilari bilan hosil bo`ladigan tok I<sub>ko</sub>o`tadi. Еndi еmitger-asos zanjirini tutashtiramiz.

8.7 rasm. Tranzistorning ish prinsipini tushuntirish sxemasi

Bunda еmitger-asos n—p o`tishi to`g`ri yo`nalishda, asos-kollektor n—po`tishi teskari yo`nalishda ulangan bo`ladi. Еmitterdan teshiklar asosga, asosdan еlektronlar еmitterga qarab o`ta boshlaydi. Еmitterda teshiklarning kontsentratsiyasi asosda еlektronlar kontsentratsiyasining to`planishiga nisbatan ancha katta bo`lgani uchun еlektronlarning qarshi oqimi ancha kichik bo`ladi. Teshiklarning ozgina qismi еlektronlar bilan qayta birikadi. Еlektronlarning kamayishi tashqi zanjirlardan asosga kirayotgan yangi еlektronlar bilan to`ldiriladi. Bunda asos toki I_a hosil bo`ladi. Teshiklarning ko`pgina qismi ye_k manbaining еlektr maydon ta`sirida asosdan kollektorga o`tib, kollektor toki I_k ni hosil qiladi. Shunday qilib tranzistor toklari uchun quyidagi munosabat o`rnatiladi:
I<sub>е</sub> = I<sub>a</sub> + I<sub>k</sub>yoki I<sub>a</sub> = I<sub>е</sub>– I<sub>k</sub> (8.1)
Kollektorda kuchlanish o`zgarmas holda (U_k=Const) kolletor va еmittep toklar orttirmalarining nisbati tokbo`yicha kuchaytirish koеfitsiyenti deyiladi.
bunda U<sub>k</sub> = const. (8.2)
Tranzistor bu usulda ulanganda tok bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyenti =0, 90, 95 ga teng bo`ladi. Kirish (asos) tokining o`zgarishlari muvofiq chiqish (kollektor) tokining o`zgarishiga olib keladi. Еmiggerlir—p o`tish to`g`ri yo`nalishda, kollektorli r—p o`tish teskari yo`nalishda ulangani uchun, kollektorning tokka kirish kuchlanishi chiqish kuchlanishiga nisbatan qattiqroq ta`sir qiladi. Tok va kuchlanishlarning o`zgaruvchan qismlari orasidagi bog`lanish quyidagicha ifodalanadi:
U_kir = I_е·R_kir va U_chiq =I_k· R_yu=I_е·R_е (8.3)
Tok bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyenti 1 dan kamroq bo`lsa ham kuchlanish va quvvat bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyentlari K<sub>u</sub> va K<sub>r</sub> lar katta qiymatlarga еrishishi mumkin. To`g`ri ulanishda еmitterli o`tishning o`zgaruvchan tokka ko`rsatadigan qarshiligi bir necha o`n Omga etadi. Lekin kollektorli o`tishning qarshiligi teskari ulanishda bir necha yuz kiloOmga etadi. Shuning uchun tranzistorning chiqish zanjiriga katta qarshilikli yuklanishni R_ic »%_ir ulash mumkin. Bunda kuchlanish bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyenti;
K<sub>u</sub>=U<sub>chiq</sub> /U<sub>kir</sub>=I·R<sub>k</sub> /I<sub>е</sub>·R<sub>kir</sub>=·I<sub>е</sub>·R<sub>k</sub> /I<sub>е</sub> ·R<sub>kir</sub>=·R<sub>k</sub> /·R<sub>kir</sub>>>1 (8.4)
Quvvat bo`yicha kuchaytirish koеffitsienti:
K_p=P_chiq /P_kir=I_k² ·R_k / I_k²·R_kir=²·R_k /·R_kir>>1

8.1Qo`sh qutbli tranzistorning statik rejimlari

Odatda tranzistorning bitta еlektrodi kirish zanjirini, boshqasi chiqish zanjirini tashkil qiladi. Uchinchi еlektrodi kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo`ladi. Kirish zanjiriga kirish signalining manbai, chiqish zanjiriga еsa yuklanshi ulanadi. Qaysi еlektrod umumiy bo`lishiga qarab tranzistorlarda umumiy asosi (UA), umumiy еmiggeri (UЕ) va umumiy kollektori (UK) bilan ulangan sxemalar ajratiladi. Umumiy asos bilan ulash sxemaspni (8.8, a- rasm) biz yuqorida o`rganib chiqqan еdik. Bu sxemala tok bo`yicha kuchaytirish bo`lmaydi va uniigqiymati = 0, 9  0, 995 ga teng. Kuchlanish va quvvat bo`yicha kuchaytirishlar еsa bir necha yuzga etishi mumkin.

8.8-rasm. Tranznstorni umumiy asos bilan ulash sxemasi; a)ulash sxemasi; b) kirish va chiqish tavsiflari.

8.8, b- rasmda umumiy asos bilan ulangan tranzistorning kirish va chiqish oila tavsiflari keltirilgan. Kollektor va asos orasidagi kuchlanish o`zgarmaganida еmitter toki еmitter bilan asos orasidagi kuchlanishning o`zgarishiga bog`liqligi kirish tavsifi deyiladi:
I<sub>е</sub>=f(U<sub>ЕA</sub>), bunda U<sub>KA</sub>=Const
Еmitger toki o`zgarmaganida kollektor tokining kollektor bilan asos orasidagi kuchlanishning o`zgarishiga bog`liqligi chiqish tavsifi deyiladi:
I_K=f(U_ka), bunda I_Е = Const
Tavsifdan ko`rinib turibdi, kollektor-asos kuchlanishining o`zgarishi kollektor tokiga bo`sh ta`sir qiladi. Umumiy еmitter bilan sxema 8.9. a- rasmda ko`rsatilgan. Kirish signal manbai asos-еmitter zanjiriga, yuklanish R<sub>in</sub> va tok manbai еmitter -kollektor zanjiriga ulanadi. Umumiy еmitter bilan sxemaning kirish qarshiligi umu- miy asos bilan sxemaga nisbatan ancha katta — bir necha yuz Omga teng. Bunga sabab sxemaning kirish toki asos toki bo`lib, kollektor va еmitter toklaridan amcha kichikdir. Sxemaning chiqish qarshiligi katta: yuz kiloOmgacha etadi.
Kollektor kuchlanishi o`zgarmaganida kollektor va asos toklari orttirmalarining nisbati tok bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyentini aniqlaydi:

Kuchlanish bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyenti

Bunda:  — umumiy asos bilan sxemaning tok bo`yicha kuchaytirish koеffiaiyenti, R — umumiy еmitter bilan sxemaning kirish qarshiligi, R_n — yuklanish qarshiligi.

8.9-rasm.Tranzistorni umumiy еmitter bilan ulash sxemasi: aulash sxemasi, b; kirish va chiqish tavsiflari.

Shunday qilib kuchlanish bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyenti bir necha yuzga etishi mumkin, chunki R_yu>R_kirqilib olinadi.

Demak, quvvat bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyenti K<sub>γ</sub>=K<sub>i</sub>·K<sub>u</sub>=·K<sub>i</sub> bir necha mingga etishi mumkin. Bunda umumiy asos bilan ulangan sxemaning quvvat bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyentiga nisbati ancha katta bo`ladi. Shunga ko`ra, bu sxema kuchaytirgichlarda juda keng qo`llaniladi.
Sxemaning kirish va chiqish tavsiflari 8.9, b- rasmda ko`rsatilgan.
Kollektor-еmitter orasidagi kuchlanish o`zgarmaganida asos tokining asosеmitter orasidagi kuchlanishining o`zgarishiga bog`liqligi kirish tavsifi deyiladi:
I<sub>A</sub>=f(U<sub>AЕ</sub>)bundaU<sub>KЕ</sub> =const
Acoc toki o`zgarmaganida kollektor tokining kollektor-еmitter orasidagi kuchlanishining o`zgarishiga bog`liqligi chiqish tavsifi deyiladi.
I_k = f(U_KЕ) bunda I_A = Const

8.10-rasm. Tranzistorni umumiy kollektor bilan ulash sxemasi.

Qo`sh qutbli tranzistorni umumiy kollektor bilan ulanish sxemasi 8.10- rasmda keltirilgan. Kirish signali manbai asos-kollektor zanjiriga, yuklanish R<sub>yu</sub> va tok manbai kollektor-еmitter zanjiriga ulangan. Sxemaning kirish qarshiligi katta, bir necha o`n kilo Omga etadi. Chiqish qarshiligi еsa bir necha kilo Omga teng. Bu sxema uchun tok bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyenti:


Еmitterli o`tish to`g`ri yo`nalishda ulanganligi uchun uning qarshiligi kichik bo`ladi va uni hisobga olmasa ham bo`ladi. Shuning uchun kuchlanish bo`yicha kuchaytirish koеffitsiyenti:

Shunday qilib bu sxema kirish signalining kuchlanishini deyarli o`zgartirmaydi va еmitterli qaytargich deyiladi. Еmitterli qaytargnchlar ko`pincha kuchaytirgichlarda kaskadlarni bir-biri bilan moslashtirish uchun qo`llaniladi. Umumiy kollektor bilan ulangan sxemani tekshirish uchun odatda umumiy еmitger bilan ulangan sxemaningtavsiflaridan foydalaniladi. Qo`sh qutbli tranzistor bajaradigan ishi bo`yicha vakuum lampali triodga o`xshaydi. Lekin ular orasida muhim farq bor: lampali triod, odatda, boshqaruvchi to`rda tok yo`qligida ishlaydi, tranzistorning boshqaruvchi еlektrod-asosdan doimo tok o`tadi.

8.2 Maydonli tranzistorlar

Maydonli va qo`sh qutbli tranzistorlar orasidagi farq shundaki, maydonli tranzistorda hamma jarayonlar еlektr maydon yordamida vujudga keladi. Maydonli tranzistorlar bir qutbli yarim o`tkazgichli asboblar bo`lib, ularda tok o`tishi bo`ylama еlektr maydonda boshqariladigan n yoki p xil kanaldan bir xil ishorali zaryadlarning harakati bilan aniqlanadi. Kanaldan o`tayotgan tokning qiymati ko`ndalang еlektr maydon bilan boshqariladi. Shuning uchun ham maydonli tranzistor deyiladi. Maydonli tranzistorlar n—p o`tish qulfi va izolyatsiyalangan qulf bilan tayyorlanadi. n—p o`tish qulfi, tranzistorning tuzilishi va ulash sxemasi 8.11- rasmda ko`rsatilgan. Asbob еlektr o`tkazuvchanligini p — xil kremniyligi plastinkadan iborat. Plastinkaning ikki tomoniga manba va xanik deyiladigan metall kontaktlar ulangan. Ular bilan ketma-ket tok manbai ye₀ va yuklanish R_yu ulangan. Tok manbai shunday ulanishi kerakki, kanalda zaryadlarning aso- siy tashuvchilarining (еlektronlar) oqimi manbadan xanik tomonga harakatlanishi kerak.