O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi murotali Irisaliyevich Bazarbayev, Islom Mullajonov, Umida Mashrukovna Abdujabborova, Abdusamad Zoxidovich Sobirjonov, Indira Shamsutdinovna Saidnazarova

1.1 rasm Ikki dielektrik orasidan elektr tokining oqib chiqishi
Y angieffektlar (hodisalar) asosidaelektronqurilmalar, shularqatoridaelektronvatibbiyotdaqo‘llasabo‘ladiganlarnihamyaratilmoqda. NamunasifatidaDjozefsoneffektiniko'ribchiqamiz.
1962- yildaInglizfizigiB.Djozefsonikkitao‘tao‘tkazgich 2-2 orasigajoylashganjudayupqa (qalinligi 1 nmgayaqin) dielektrikqatlami 1 danelektrtokioqibo‘taolishinioldindanaytgan (1.1 rasm)
Tez orada bunday hodisa haqiqatdan ayon bo‘ldi. Agar tok kuchi qandaydir kritik qiymatdan kichik bo‘lsa, u holda dielektrikda kuchlanish tushishi sodir bo‘lmas edi, agar tok kuchi kritik qiymatdan ortib ketsa, u holda dielektrikda kuchlanish tushishi ro‘y berib, va o‘ta o‘tkazgich dielektrik – o‘ta o‘tkazgich kontakti elektromagnit to‘lqinlarini nurlatar edi.
Tok kuchining kritik qiymati tashqi magnit maydonlariga sezgir, shuning uchun 1- rasmda tasvirlanganga o‘xshash qurilmalardan kuchsiz magnit maydoni kuchlanganligini (10 ^-7 A/m qiymatigacha tartibda) aniq o‘lchash uchun foydalanish mumkin. Yaqinda Djozefson effektini yurak biotoklari magnit maydonining induksi yasini oichash uchun qo’llaydigan bo‘lingan.
Olimlar har qanday texnika, shu jumladan, radiotexnika va electron qurilmalarni zamonaviylashtirishga, mustahkamroq, kam energiya iste‘mol qiladigan, kichik gabaritli va hokazo qilishga intilmoqdalar. Biroq bunda qiyinchiliklar tug‘iladi: masalan buyumlar gabaritlaming kichraytirilishi ularning mustahkamligini kamaytirish mumkin va hokazo.
Masalaning bir tomoniga — elektron qurilmalarning va sxemalar elementlarning o‘lchamlarini qisqartirish yoki miniaturlash tendensiyasi g‘oyasi ustida to’xtab o‘tamiz.
Elektronikada faqat elektron lampalar qo’llanilgan vaqtdan beri, bu lampalarni shuningdek, sxemaning passiv elementlarini (rezistorlar, induktiv g’altaklar, kondensatorlar) kichik tashqi o‘lchamli qilishga intilganlar.
Keyinchalik bosma sxemalarni kirita boshladilar, ular oddiy sxemalardan o‘lchovlari tomonidan ustunlikka ega bo‘lib, bundan tashqari, ular sxemani montajlash jarayonini mehanizatsiyalash imkonini berar edi. Bunday intilishlar shunga olib keldiki, 1950- yillarining boshlarida 1 sm³ichida hisobda 0,5 element joylashadigan elektron tuzilmalarni yaratishga yerishildi.