Рецензент: ведущий инженер по стандартам систем Управления главного энергетика Р. В. Лазарев


Download 0.72 Mb.
bet4/9
Sana01.11.2023
Hajmi0.72 Mb.
#1737852
1   2   3   4   5   6   7   8   9
Bog'liq
Мякотина М.В. МЭТ РТ ЛР АТ

(формула Конуэлла-Вайскопора)
Концентрация свободных носителей не зависит от температуры в металлах и диэлектриках, а в полупроводниках изменяется по закону
(2.3)
где n0 – концентрация носителей, зависящая от материала полупроводника;
ΔE- энергия активации полупроводника;
K = 1,38-10-23 Дж/К - постоянная Больцмана;
Т – температура, К.
Для полупроводников с большой точностью
(2.4)
где Gk - удельная электропроводность полупроводника при Т→ Тк.
Из формулы видно, что величина удельной электропроводности зависит от энергии активации полупроводника ΔЕ, что позволяет определить эту важную величину по наклону прямой
(2.5)
На графике от
(2.6)
где – отношение приращения функции к приращению аргумента. [2]

2.3 Описание лабораторной установки


Оборудование: регулируемый источник питания, вольтметр, амперметр, термостат с образцами, термометр.






Рис. 2.1

Электропроводность образцов РК при их нагревании измеряется при помощи макета, схема которого приведена на рис.2.1.


Исследуемые образцы РК1, РК2, РКЗ помещены в термостат с нагревательным элементом Ек и термометром ВК. Переключатель SA2 позволяет подключить их к измерительной схеме поочередно.
Электропроводность образцов G определяется косвенным методом, по изменению силы тока при постоянной величине напряжения на образце либо при изменении напряжения при постоянной величине тока. [4]

2.4 Порядок выполнения работы





  1. Включите макет. Изменяя напряжение на образцах при помощи потенциометра RP, и изменяя ток и напряжение, снимите ВАХ образцов. ВАХ для 1,2 и 3 образца нанесите в одну систему координат.

Т1 =Тк= (К) Т2 = Тк + 10С= (К)


Тз=Тк+20С= (К) Т4= Тк+30С= (К)


2. Тумблером SA1 включите нагреватель Ек и электронный стабилизатор.


Снимите зависимость электропроводности образцов от температуры. Изменение электропроводности образцов при их нагревании определите по показаниям прибора, подключенного к клеммам XI и Х2, так как
при U = Uk или при I=-IK
Где IK, UK, σK -величины, измеренные при комнатной температуре Т.

3. По полученным зависимостям постройте график от Т и с его помощью найдите полупроводник. Укажите качественные характеристики полупроводника.


4. Для полупроводника постройте график зависимости от 1/Т


По графику определите приращение от , что позволяет определить Е – энергию активации полупроводника.

5. Используя формулу(2.6), вычислите энергию активации полупроводника ΔЕ.


________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

6. Сравните значения полученной величины ∆Е со справочными значениями простых и сложных п/п:


∆ Е Si = ____________________________________________________
∆ E Ge = _____________________________________________________
∆ E AsGa =_____________________________________________________

  1. Вывод

__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________



Download 0.72 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling