Science and world

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 
1. Адирович, Э.И. Токи двойной инжекции в полупроводниках / Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, 
А.Ю. Лейдерман. – М.: Сов. радио, 1978. – С. 320. 
2. Зайнабидинов, С.З. Влияние рекомбинационных процессов на механизм токопрохождения в pSi-nSi
1-x
Sn
x
(0≤x≤0,04) структурах / С.З. Зайнабидинов, Х.М. Мадаминов // Петербургский журнал электроники. – 2017. – № 4. – С. 8–13. 
3. Мадаминов, X.M. Влияние инжекционных эффектов на электрические свойства гетеропереходов pSi-nSi
1−x
Sn
x
/ 
Х.М. Мадаминов // Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки. – 2021. – № 2 (95). – С. 71–84.
4. Мадаминов, X.M. Температурные зависимости электрофизических свойств твердых растворов Si
1-x
Sn
x
(0≤x≤0,04) / Х.М. Мадаминов // Прикладная физика. – 2021. – № 1. – С. 63–68. 
5. Шалимова, К.В. Физика полупроводников / К.В. Шалимова. – М.: Энергияатомиздат, 1985. – С. 396.
6. Leiderman, A.Yu. On the theory of sublinear current-voltage characteristics of semiconductor structures /
A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev // Solid State Commun. – 1978. vol. 25, iss. 10. -РР. 781–783. 
Материал поступил в редакцию 02.12.21 
INFLUENCE OF TEMPERATURE ON ELECTROPHYSICAL
PROPERTIES p-Si-n-Si
1-x
Sn
x
 (0

x

0.04) STRUCTURE 
Kh.M. Madaminov, Candidate of Physics and Mathematical Sciences, Associate Professor 
Andijan State University, Uzbekistan 
Abstract. The article presents the results of studies of the current-voltage characteristics of p-Si–n-Si
1-x
Sn
x
 
(0

x

0.04) transitions in the temperature range from 293 to 453 K. Based on these data, the activation energies of two 
deep levels with the values 0.21 eV and 0.35 eV, which are assigned to interstitial Sn atoms and A centers, respectively. 
Keywords: the solid solution, liquid-phase epitaxy, the diode structure, current-voltage characteristic, the 
intermediate layer. 

---