Схемотехника фани, мазмуни ва усуллари

R
K1 

R
K 2 
бўлган идеал ДК хусусиятларини кўриб чиқамиз. U
КИР1 

U
КИР2 
бўлганда 
коллекторлар потенциаллари U
K1 
ва U
K2 
бир хил, натижада, юкламадаги чиқиш 
кучланиши U
ЧИК 

U
K1 

U
K 2 

0 бўлади. Схема симметрик бўлгани учун, кучланиш 
манбаи ва температура бир вақтда ўзгарганда, чиқиш кучланиши U
ЧИҚ 
=0 қиймати 
сақланиб қолади, яъни идеал ДКда нолнинг дрейфи бўлмайди. 
а) 
б) 
30

---




7.1 – расм. Дифференциал кучайтиргич (а) ва унинг эквивалент схемаси (б). 
ДК иккита кучланиш манбаидан таъминланади. Бу манбаларнинг 
кучланишлари модуль бўйича бир – бирига тенг. Иккинчи манба (-Е
М
) нинг 
ишлатилаши VT1 ва VT2 транзисторларларнинг эмиттерлари потенциалларини (Э 
нуқта) умумий шина потенциалигача камайтириш имконини беради. Бу, 
биринчидан, ДК киришларига сигналлар сатҳини силжитмасдан узатиш (киритиш), 
иккинчидан, ҳам мусбат, ҳам манфий кириш сигналлари билан ишлаш имконини 
беради. 
ДК киришларига амплитудалари тенг ва фазалари бир хил сигналлар 
берайлик. Бундай сигналлар синфаз сигналлар деб аталади. Синфаз сигналлар 
манбаи бўлиб халақитлар хизмат қилади. Агар синфаз сигналлар мусбат бўлса, 
VT1 ва VT2 транзисторларларнинг эмиттер токлари қийматлари ортади. Натижада 
эмиттер токи орттирмаси ΔI
Э 
ҳосил бўлади ва у ДК елкалари орасида тенг 
тақсимланади, коллекторлар потенциаллари бир хил қийматга ўзгаради. Натижада, 
бу ҳолда ҳам U
ЧИҚ 
=0 бўлади. 
Реал ДКларда R
K1 
≠ R
K2 
бўлгани учун чиқишда кучланиш ҳосил бўлади. 
Синфаз сигналлар учун кучайтириш коэффициенти К
UСФ 
ни ҳисоблаймиз. ДК да R
Э 
резистор ток бўйича кетма-кет манфий ТА ҳосил қилади, ток орттирмаси эса, унда 
манфий ТА сигналини ҳосил қилади. Демак, К
UСФ 
манфий ТАли кучайтиргич 
каскад учун ѐзилган оддий формула билан ҳисобланиши мумкин. ДКда R
Э 
резистор 
эмиттер занжирлар учун умумий бўлгани учун R
Э 
ўрнига 2R
Э 
ишлатиш керак, 
яъни 
R
K1 
R
K 2 

R
K 
UСФ 
2R
Э
2R
Э 
2R
Э 
. 
(7.2) 
31

---

 

Амалда синфаз сигнал ишчи сигналдан мингларча марта катта бўлгани 
сабабли, К
UСФ
<<1 бўлишига интилинилади. Бунинг учун R
Э 
қиймати оширилиши 
керак. Лекин, ИМСларда катта номиналли резисторларни ҳосил қилиш мақсадга 
мувофиқ эмас. Шунинг учун R
Э 
резистор ўрнига катта номиналли резисторнинг 
электрон эквивалентидан фойдаланилади. Бундай эквивалент бўлиб ўзгарувчан 
токка қаршилиги бир неча МОмни ташкил этувчи БТГ хизмат қилади. 
Монолит ИМСда коллектор қаршиликлари тарқоқлиги ΔR
K 
± 3 % дан 
ортмайди. Баҳолаш учун, R
K 
ларнинг қиймат бўйича катта ва кичик томонга оғиши 
бир хил, лекин ишоралари билан фарқ қилади (энг нохуш ҳолат) деб ҳисоблайлик. 
Унда R
K 
=5 кОм, R