Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi


Download 0.94 Mb.
Pdf ko'rish
bet10/24
Sana07.02.2023
Hajmi0.94 Mb.
#1175340
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   24
Bog'liq
yarim o\'tkazgich asboblardan foydalanib epitaksiya

2.4 - rasm. Epitaksial kremniy olish uchun qurilma sxemasi. 


26 
Epitaksial o’stirish texnologiyasi plastinkaga qo’yilgan talablardan kelib 
chiqadi. Bu epitaksial qatlam qalinligi va legirlanish sath qiymatlari (aniqligi 
±5÷10%) yomon bo’lmagan holda yechiladi. Epitaksial qatlam qalinligi talab 
darajasidagi takroriylikka erishish uchun o’sish tezligining doimiyligini saqlash 
kerak. Buning uchun esa 
𝑆𝑖𝐶𝑙
4

𝑆𝑖𝐻
2
asosiy moddalar konsentratsiya sathini, bu 
jarayonda temperaturani o’zgarmas ushlab turish kerak. Epitaksial qatlam 
solishtirma qarshiligining bir xil bo’lishligi uchun qizdirish tekis bo’lishi kerak. 
Germaniy epitaksiyasi. Germaniy epitaksiyasiga qiziqish germaniyli kam 
shovqinli o’ta yuqori chastotali tranzistorlar va integral mikrosxemalar yaratish 
muhimligidan kelib chiqadi. Chunki, bu asboblar kremniyli integral 
mikrosxemalarga nisbatan past temperaturalarda samaraliroq ishlaydi. Germaniy 
epitaksial qatlamlarini o’stirishning xlorid usuli yaxshi o’rganilgan. 
O’tqazish 800°C da bajariladi va germaniy tetraxloridi zichligi 0,2% ga 
yaqin bo’ladi. Aralashma oqimi tezligi tanlangan qiymati reaktor tuzilishiga, 
oqim berish usuliga bog’liq bo’lib, odatda tezlik kattaligi 20 sm/s dan oshmaydi. 
Epitaksial qatlamning 800°C da o’sish tezligi 0,5 mkm/min ni tashkil qiladi. 
Germaniy epitaksial qatlamlarni o’stirishning gidrid usulida olish vodorod 
muhitida 
𝐺𝑒𝐻
4
yordamida 700°C temperatura yaqinida va 
𝐺𝑒𝐻
4
zichligi 0,1—
0,2% bo’lganida bajariladi. O’sish tezligi 800°C gacha oshib boradi, keyin gaz 
fazada 
𝐺𝑒𝐻
4
parchalanishi kamayadi. 
𝐺𝑒𝐻
4
ning gaz fazali parchalanishini 
kamaytirish uchun yuqori tezlikdagi gaz oqimidan foydalaniladi. Sanoat yetarli 
darajada toza germaniy tetraxlorididan foydalanganligi uchun solishtirma 
qarshiligi 15 Om
∙sm dan katta bo’lgan epitaksial qatlamni olish imkonini beradi. 
Yana kamroq qo’llaniladigan usullardan biri yopiq havosi so’rilgan kvars 
nayda olishdir. Nayda germaniy tetrayodidi 
𝐺𝑒𝐼
4
bo’lib, bu zona 550–700°C 
gacha qizdiriladi. Nayning ikkinchi zonasida germaniy taglik bo’lib, uning 
temperaturasi 300–400°C ni tashkil qiladi. Birinchi zonada quyidagi reaksiya 
ketadi: 
𝐺𝑒𝐼
4
+ 𝐺𝑒 → 2𝐺𝑒𝐼
2
. Germaniy diodli taglikka diffuziyalanib, quyidagi 
reaksiya sodir bo’ladi: 


27 
2𝐺𝑒𝐼
2
→ 𝐺𝑒𝐼
4
+ 𝐺𝑒 (2.8) 
Natijada germaniy taglikka o’tiradi, bug’lari esa manba zonasiga diffuziyalanadi 
va reaksiya yana qaytariladi. 

Download 0.94 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   24




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling